一种晶体硅太阳能电池、制备方法及电池模组技术

本发明专利技术中，通过在传统的电池主体的一侧设置介质层和导电层，使得在导电层具有预设电势之后，导电层与第一电极间存在电势差，并由介质层导入至硅片衬底附近，从而在硅片衬底的表面形成电场钝化，增强硅片表面形成的静电场，在不对电池主体结构进行设置通孔等较大的改动的情况下，提高了电池的转化效率。

【技术实现步骤摘要】
一种晶体硅太阳能电池、制备方法及电池模组
本专利技术涉及太阳能电池领域，特别是涉及一种晶体硅太阳能电池、制备方法及电池模组。
技术介绍
随着传统能源的不断消耗及其对环境带来的负面影响，太阳能作为一种无污染、可再生能源，其开发和利用得到了迅速的发展，尤其是具有较高转化效率的太阳能电池成为了目前研究的重点。目前，具有较高转化效率的钝化发射极和背面电池(PassivatedEmitterandRearCell，PERC)技术，利用在电池的背面制备得到氧化铝等钝化层，从而在硅片表面形成静电场，排斥硅片内部的非平衡载流子靠近硅片的表面，降低硅片表面的非平衡载流子浓度，进而降低非平衡载流子在硅片表面的复合率，使得太阳能电池的半导体主体通过光生伏特效应吸收太阳光之后产生的载流子，不会在硅片表面的复合中心处发生复合而引起电学损失，而是在内建电场的作用下定向运动，从而形成光生电场，产生有效电流，从而提高晶硅太阳电池的转化效率。此外，可以通过在PERC电池主体中设置通孔的方式，将电池背面的钝化层与电池正面的正面电极进行电性连接，使得钝化层具有与正面电极相等本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述晶体硅太阳能电池包括：/n电池主体，以及设置于所述电池主体一面的介质层和导电层；/n其中，所述电池主体包括硅片衬底、设置在所述硅片衬底一面的钝化层；/n所述介质层设置在所述钝化层背离所述硅片衬底的一面上，所述导电层设置在所述介质层背离所述钝化层的一面上；/n在所述介质层和所述导电层的一侧，所述电池主体还包括第一电极；/n通过电连接，使所述导电层具有预设电势，所述导电层与所述第一电极间存在电势差，从而在所述硅片衬底的表面形成电场钝化。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述晶体硅太阳能电池包括：
电池主体，以及设置于所述电池主体一面的介质层和导电层；
其中，所述电池主体包括硅片衬底、设置在所述硅片衬底一面的钝化层；
所述介质层设置在所述钝化层背离所述硅片衬底的一面上，所述导电层设置在所述介质层背离所述钝化层的一面上；
在所述介质层和所述导电层的一侧，所述电池主体还包括第一电极；
通过电连接，使所述导电层具有预设电势，所述导电层与所述第一电极间存在电势差，从而在所述硅片衬底的表面形成电场钝化。


2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述介质层的相对介电常数大于3.8。


3.根据权利要求2所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述介质层的材料包括氧化铝、二氧化钛和氧化锆中的任意一种或多种，所述介质层的厚度大于50纳米。


4.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，
所述第一电极包括第一主栅和第一细栅，所述第一细栅与所述第一主栅相交；
所述介质层具有镂空结构，所述第一主栅位于所述镂空结构的位置，所述镂空结构的宽度大于所述第一主栅的宽度。


5.根据权利要求4所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，
所述导电层的面积小于所述介质层的面积。


6.根据权利要求1-5任一项所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，
所述导电层的厚度大于200纳米。


7.根据权利要求1-5任一项所述的晶体硅太阳能电池，在所述钝化层和所述介质层之间设置第一减反层或反射层。
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【专利技术属性】
技术研发人员：徐琛，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61