一维/二维钙钛矿范德华异质结光电器件及其制作方法技术

一种一维/二维钙钛矿范德华异质结光电器件及其制作方法，该一维/二维钙钛矿范德华异质结光电器件包括二维钙钛矿纳米片；一维钙钛矿纳米线，设置在二维钙钛矿纳米片上；范德华异质结，设置在一维钙钛矿纳米线和二维钙钛矿纳米片的接触面上；器件电极，包括第一电极和第二电极，第一电极设置在二维钙钛矿纳米片底部，第二电极设置在一维钙钛矿纳米线上；以及衬底，其上设有第一电极，位于器件底部。本发明专利技术两种不同维度的材料形成异质结可以实现不同维度材料中物理效应的耦合与调控；通过结合低维金属卤化物钙钛矿材料和范德华异质结的优点为高性能光电器件制备提供有效手段，此方法可以实现体系中光电性能的灵活调控。

【技术实现步骤摘要】
一维/二维钙钛矿范德华异质结光电器件及其制作方法
本专利技术涉及光电器件领域，特别地涉及一种一维/二维钙钛矿范德华异质结光电器件及其制作方法。
技术介绍
范德华异质结由于简便的制备方法和新奇的物理特性已经成为目前低维材料研究中的热点方向。范德华异质结可以通过将低维材料直接堆垛来实现，由于其对晶格失配的容忍度高，因此可以通过灵活选择不同物理特性的单元及不同的排列方式进行组装，从而实现体系中各种物理性能的调控。随着近年来二维材料的研究热潮增长，已有很多基于二维材料的范德华异质结相关工作报道。这种结构会表现出一些新奇的物理现象如霍夫施塔特蝴蝶谱、莫尔条纹、强激子结合能和自旋能谷极化等。范德华异质结对研究新物理理论及发展新型光电器件具有促进作用。金属卤化物钙钛矿材料具有诸多优异光电性能，是受到广泛关注的前沿热点材料。近年来，人们逐渐从三维钙钛矿体材料转移到了低维钙钛矿材料的研究中来，如零维量子点、一维纳米线和二维纳米片等。但是基于一维/二维钙钛矿材料的范德华异质结还未见报道。钙钛矿低维范德华异质结能为新物理机理研究提供新平台，对未来新型光电器件本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种一维/二维钙钛矿范德华异质结光电器件，其特征在于，包括：/n二维钙钛矿纳米片；/n一维钙钛矿纳米线，设置在二维钙钛矿纳米片上；/n范德华异质结，设置在一维钙钛矿纳米线和二维钙钛矿纳米片的接触面上；/n器件电极，包括第一电极和第二电极，第一电极设置在二维钙钛矿纳米片底部，第二电极设置在一维钙钛矿纳米线上；以及/n衬底，其上设有第一电极，位于器件底部。/n

【技术特征摘要】
1.一种一维/二维钙钛矿范德华异质结光电器件，其特征在于，包括：
二维钙钛矿纳米片；
一维钙钛矿纳米线，设置在二维钙钛矿纳米片上；
范德华异质结，设置在一维钙钛矿纳米线和二维钙钛矿纳米片的接触面上；
器件电极，包括第一电极和第二电极，第一电极设置在二维钙钛矿纳米片底部，第二电极设置在一维钙钛矿纳米线上；以及
衬底，其上设有第一电极，位于器件底部。


2.根据权利要求1所述的一维/二维钙钛矿范德华异质结光电器件，其特征在于，
所述二维钙钛矿纳米片的表面特征尺寸范围在100nm至500μm之间；厚度范围在1nm至500nm之间。


3.根据权利要求1所述的一维/二维钙钛矿范德华异质结光电器件，其特征在于，
所述一维钙钛矿纳米线的截面长或宽尺寸范围均在10nm至1μm之间；
所述一维钙钛矿纳米线的长度范围在100nm至10μm之间。


4.根据权利要求1所述的一维/二维钙钛矿范德华异质结光电器件，其特征在于，
所述一维钙钛矿纳米线和二维钙钛矿纳米片采用的钙钛矿为金属卤化物钙钛矿材料，化学结构为ABX3，其中A为甲胺、甲脒、Cs、Rb中的任一种或四者阳离子的混合物，B为Pb或Sn，X为Cl、Br、I中的任一种或三者阴离子的混合物。


5.根据权利要求1所述的一维/二维钙钛矿范德华异质结光电器件，其特征在于，
所述一维钙钛矿纳米线的截面形状包括圆形、三角形、正方形、矩形中的至少一种。


6.根据权利要求1所述的一维/二维钙钛矿范德华异质结光电器件，其特征在于，
所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘孔，王智杰，曲胜春，贾晓皓，孙明飞，任宽宽，黄志涛，吴玉林，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11