本发明提供了一种外延生长方法及外延晶圆，属于半导体制造技术领域。外延生长方法，应用于外延生长设备，所述外延生长设备包括反应腔室、位于所述反应腔室内的基座、用于对所述反应腔室进行加热的加热模组，所述加热模组包括位于所述基座沿竖直方向的上方...

本发明实施例公开了用于线切割硅棒的方法、设备及硅片，所述方法包括：采用第一线切割工艺参数组线切割第一硅棒以获得多个样本硅片；获得所述样本硅片上的线切割线痕的起伏角度；基于所述起伏角度判断是否存在所述线切割线痕从高效切割面向低效切割面的偏...

本发明公开了一种物料的处理方法和处理系统，处理方法包括：在搬运物料之前，获取搬运设备的状态信息与处理设备的状态信息；在搬运设备的状态信息与处理设备的状态信息符合第一预设条件时控制搬运设备为处理设备上料；在搬运设备的状态信息与处理设备的状...

本发明涉及一种单晶炉，包括炉体、坩埚、导流筒、水冷套、所述水冷套靠近所述坩埚的一端设置有用于喷射冷却气体的第一环形喷嘴。本发明还涉及一种晶体生长方法。通过第一环形喷嘴的设置，可以加速晶体的冷却，提高生产效率，且通过调节冷却气体的流量和压...

本公开提供一种单晶炉及二次加料方法，所述单晶炉包括：炉体，其包括炉室；及至少一组挡块机构，每组所述挡块机构包括挡块及升降单元，所述挡块设置在所述炉室的内周壁上，且所述挡块连接至所述升降单元上，并在所述升降单元驱动下能够沿所述炉室轴向移动...

本发明实施例公开了一种单晶硅棒中缺陷的检测方法及系统；所述检测方法包括：从单晶硅棒的P

本发明提供了一种外延生长装置及设备，涉及外延片制造技术领域。该外延生长装置包括：外延生长腔室以及反光板；所述外延生长腔室包括石英钟罩；所述反光板嵌套于所述石英钟罩的底部；所述反光板的底部设置有多个通气孔。本发明实施例的外延生长装置，通过...

本发明提供了一种颗粒物去除装置、外延设备及其工作方法，属于半导体制造技术领域。颗粒物去除装置，用于去除外延炉内的颗粒物，所述外延炉包括炉体，所述炉体包括上部石英罩和下部石英罩，所述上部石英罩与所述下部石英罩扣合形成所述炉体的内腔，所述颗...

本发明提供了一种外延硅片检测方法及装置，属于半导体制造技术领域。外延硅片检测方法包括：控制可见光照射在待检测的外延硅片上，获取所述外延硅片表面反射所述可见光产生的散射光信息；对获取的所述散射光信息进行判断，输出所述外延硅片的第一检测结果...

本发明提供了一种硅片分选设备，属于半导体制造技术领域。硅片分选设备，包括：分选设备本体，所述分选设备本体上设置有出料口；对位器，设置于所述分选设备本体内，用于对硅片进行旋转对位；湿度检测结构，设置于所述分选设备本体内，用于检测所述分选设...

本公开提供了一种晶圆隐裂检测装置及方法，该装置包括：用于承载待测晶圆的载台单元；用于向载台单元上的待测晶圆执行按压动作的按压单元，按压单元位于载台单元的上方，按压单元包括按压杆及驱动件，按压杆轴向垂直于载台单元且沿其自身轴向可运动，按压...

本发明实施例提供一种清洗系统及方法，涉及设备清洗技术领域，清洗系统包括：槽体、药液存放单元、供给管路、循环管路和设置在循环管路上的循环泵；槽体包括：主槽和副槽，副槽设置在主槽的槽口边缘，以使主槽中的液体能够溢流至副槽中；药液存放单元通过...

本发明涉及一种边缘抛光装置，包括承载待抛光件的承载面，抛光鼓和与所述抛光鼓枢接的多个连接杆，每个所述连接杆的两端分别设置有抛光垫和配重锤，所述连接杆上还设置有用于在所述抛光鼓旋转过程中自动调整所述连接杆与所述抛光鼓的外周面之间的角度的调...

本发明提供一种外延晶圆生产设备、外延晶圆生产方法和装置。外延晶圆生产设备包括反应腔以及设置于所述反应腔内的气体输入管路和排气管路，其中，所述排气管路用于排出所述反应腔内的气体，所述气体输入管路包括主输入管路和辅助输入管路，所述主输入管路...

本发明提供了一种抛光装置及其工作方法，属于半导体制造技术领域。抛光装置，包括：相对设置的上抛光头和下抛光头；固定设置于所述上抛光头上的上定盘以及固定设置于所述下抛光头上的下定盘；贴附于所述上定盘表面上的上抛光垫以及贴附于所述下定盘表面上...

本公开涉及用于硅片的外延生长方法，其包括：在反应腔室的基座的用于放置硅片的表面上形成多晶硅层；使硅片进入反应腔室以被置于基座的表面上并向反应腔室通入H2；使反应腔室的温度达到第一预定温度；在第一预定温度下对硅片的表面进行H2烘烤持续第一...

本发明实施例公开了一种晶圆位置的检测方法、装置及介质；所述检测方法包括：利用CCD相机采集承载有晶圆的载具的图像；其中，采集的所述图像中包括载具本体、保持孔以及所述晶圆；基于所述图像中的载具本体、保持孔及所述晶圆分别对应的光学特征信息，...

本发明提供了一种退火炉温度计校准方法及装置，属于半导体制造技术领域。退火炉温度计校准方法，包括：确定退火炉的待校准的温度计对应的第一关系曲线，所述第一关系曲线为硅片氧化膜厚度与温度之间的对应关系曲线；获取所述退火炉内、所述待校准的温度计...

本发明提供了一种清洁装置、设备及方法，涉及硅片抛光技术领域。该装置包括：支撑件和支撑基质；所述支撑件与所述支撑基质固定连接；所述支撑基质上设置有至少一个第一毛刷以及至少一个第二毛刷，且所述第一毛刷与所述第二毛刷间隔设置；所述第一毛刷通过...

本发明实施例提供一种抛光设备及抛光垫检测方法，涉及抛光技术领域，抛光设备包括：抛光垫；承载盘，抛光垫设置在承载盘上；图像获取装置，用于在抛光设备运行过程中获取抛光垫的表面图像。在抛光设备上加装图像获取装置，在抛光设备运行过程中获取抛光垫...