【技术实现步骤摘要】
抛光装置及其工作方法
[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种抛光装置及其工作方法。
技术介绍
[0002]抛光设备主要由上下定盘、抛光垫以及承载盘等组成。抛光垫贴附在抛光设备的定盘上，抛光过程中使用抛光液，在上下定盘高压力高转速的加工条件下，利用抛光液中碱性添加剂刻蚀硅片表面生成硅酸盐，并通过抛光垫以及抛光液中的SiO2颗粒的摩擦作用，去除硅片表面的硅酸盐，实现硅片表面损伤层的去除，达到高平坦度的镜面状态。
[0003]在长时间的旋转加工后，抛光液会在下抛光垫表面堆积残留形成铀化层，铀化层的铀化部位坚硬且凸起，会导致下抛光垫表面平坦度恶化，使抛光后的硅片的平坦度出现异常，同时会对硅片表面造成严重划伤，影响硅片的产品品质。
技术实现思路
[0004]为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种抛光装置及其工作方法，能够提高硅片的产品品质。
[0005]为了达到上述目的，本专利技术实施例采用的技术方案是：
[0006]一种抛光装置，包括：
[0007]相对设置的上抛
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种抛光装置，包括：相对设置的上抛光头和下抛光头；固定设置于所述上抛光头上的上定盘以及固定设置于所述下抛光头上的下定盘；贴附于所述上定盘表面上的上抛光垫以及贴附于所述下定盘表面上的下抛光垫；其特征在于，所述抛光装置还包括：设置在所述下定盘边缘的检测单元，用于检测所述下抛光垫的表面是否存在高度大于或等于预设阈值的凸起，获得检测结果；与所述检测单元连接的报警单元，用于在所述检测结果指示所述下抛光垫表面存在高度大于或等于预设阈值的凸起时进行报警。2.根据权利要求1所述的抛光装置，其特征在于，所述检测单元包括：设置在所述下定盘边缘的检测光束发射接收模块，用于在所述下定盘旋转时，朝向所述下抛光垫表面发射检测光束，所述检测光束与所述下抛光垫表面平行，且与所述下抛光垫表面之间的垂直距离为所述预设阈值，接收被障碍物反射的所述检测光束；与所述检测光束发射接收模块连接的处理模块，用于根据所述检测光束的路程判断所述下抛光垫表面是否存在高度大于或等于所述预设阈值的凸起。3.根据权利要求2所述的抛光装置，其特征在于，所述处理模块具体用于：在所述检测光束的路程小于第一距离的2倍时，判断所述下抛光垫表面存在高度大于或等于预设阈值的凸起；在所述检测光束的路程不小于第一距离的2倍时，判断所述下抛光垫表面不存在高度大于或等于预设阈值的凸起；其中，所述第一距离为所述下定盘边缘与所述下定盘中心的旋转轴之间的最小距离。4.根据权利要求2所述的抛光装置，其特征在于，所述检测光束为红外光束或激光光束。5.根据权利要求1所述的抛光装置，其特征在于，所述预设阈值为3...
【专利技术属性】
技术研发人员：张伟，
申请(专利权)人：西安奕斯伟硅片技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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