本发明提供了一种边缘刻蚀方法及设备，属于半导体制造技术领域。边缘刻蚀设备，包括：固定结构，用于固定硅片，并暴露出硅片的边缘；驱动结构，用于驱动硅片绕中心轴线转动；设置在硅片周边的喷头组件，喷头组件用于向硅片的边缘喷射液体；与喷头组件分别...

本发明实施例公开了一种搬运控制方法、装置、设备及介质，该方法通过响应于目标设备发送的工艺结束信号，向执行制造系统转发该工艺结束信息，然后获取执行制造系统返回的工艺结束数据完成信息，以及获取目标设备发送的搬运请求。当收到搬运请求以及工艺结...

本发明提供了一种硅片托盘和半导体工艺设备，属于半导体制造技术领域。硅片托盘，用于承载低温氧化物LTO工序中的硅片，所述硅片托盘包括用于承载所述硅片的第一表面和与所述第一表面相背的第二表面，所述第二表面设置有朝向所述第一表面凹陷的第一凹槽...

本发明实施例公开了一种晶圆位置的检测方法、装置及介质；该方法包括：基于晶圆周缘，在晶圆的多个设定径向方向上选取对应的测量点组；其中，每组测量点包括：在所述晶圆的参考周缘外侧针对承载盘本体表面的第一测量点以及在所述晶圆的参考周缘内侧针对晶...

本发明实施例公开了一种用于外延处理期间承载硅片的基座及用于硅片的外延的设备和方法，所述基座包括：本体；涂覆于所述本体的多晶硅层，以使得所述硅片承载于所述基座时与所述多晶硅层接触。根据本发明的基座避免了接受外延处理的硅片的温度不均匀问题，...

本发明实施例公开了一种制造单晶硅棒的装置及方法，所述装置包括：第一测量模块、第二测量模块、处理器，其中，所述第一测量模块配置成用于获取单晶硅棒在熔体固液界面上方预定距离处的第一直径；所述第二测量模块配置成用于获取所述单晶硅棒在所述熔体固...

本发明实施例公开了一种用于单晶硅棒生长的液面间距的控制系统及方法；所述控制系统包括：设置于热屏下部的L型石英硝，所述石英硝的测量端垂直于待测熔体液面且沿竖直向下方向，并且低于所述热屏的最低点；图像检测单元，经配置为获取所述测量端与所述测...

本公开提供一种外延生长方法，所述方法包括如下步骤：将硅片加载至基座上；调节上加热组件和下加热组件的工作参数，以调节反应腔室的温场，使反应腔室达到预定工艺温度，且硅片与所述基座的温差在预定阈值内；向反应腔室供给硅源气体，以在硅片表面成长形...

本公开提供一种晶圆盒定位传输装置及方法，该装置包括：传送平台，沿着第一水平方向移动以传送晶圆盒；定位组件，设置于传送平台的相对的两侧中至少一侧，包括：沿第一水平方向间隔开设置的两个伸缩件，伸缩件可沿第二水平方向往复伸缩；两个定位块，每个...

本发明实施例公开了一种用于对硅片进行双面抛光的设备，所述设备包括：上定盘和下定盘，所述上定盘和所述下定盘用于以恒定的夹紧力将所述硅片夹紧的同时相对于所述硅片平移以对所述硅片进行抛光；位移传感器，所述位移传感器用于实时感测所述上定盘和所述...

本发明实施例公开了一种用于包装硅片盒的设备及方法，所述设备包括：壳体，所述壳体限定腔室；设置在所述腔室内部的导轨；用于承载硅片盒的承载台；其中，所述承载台上设置有抽吸孔，使得在包装硅片盒时，随着所述承载台沿所述导轨的移动，所述腔室内的颗...

本发明实施例公开了一种用于降低双面抛光设备碎片风险的检测装置和方法，检测装置包括：用于支承检测装置的其他单元的固定柱；沿竖直方向相互平行地布置的至少一个硅片固定单元，至少一个硅片固定单元中的一个硅片固定单元用于承载一个硅片；应力施加单元...

本发明公开了一种抛光系统，包括：抛光设备，抛光设备包括抛光机构与搬运机构；转运机构，转运机构可拆卸地设置于抛光设备，转运机构用于转运容纳槽，搬运机构用于搬运转运机构上的容纳槽至抛光设备的卸载部，且搬运机构用于搬运放置于卸载部的容纳槽至清...

本发明实施例公开了一种用于研磨硅片的设备和方法，所述设备包括：研磨垫；加压机构，所述加压机构用于利用所述研磨垫将所述硅片夹持成处于被夹持状态，在所述被夹持状态下，所述硅片相对于在接受常规研磨时所处于的被夹紧状态产生弹性回复，在所述被夹紧...

本发明实施例公开了一种外延晶圆的缺陷检测方法、装置及外延晶圆的制造方法；该缺陷检测方法包括：扫描待测外延晶圆的表面，获得所述待测外延晶圆的扫描图像；检测所述扫描图像中存在的缺陷；提取所述扫描图像中各缺陷对应的图像特征；基于所述图像特征识...

本发明实施例公开了一种用于相对于基座校准硅片的位置的装置、方法及外延设备，其中测量基座的周缘与硅片的周缘之间在基座的第一直径上的第一间距和第二间距以及在基座的与第一直径垂直的第二直径上的第三间距和第四间距，基于第一间距和第二间距以及第一...

本发明公开了一种硅片的处理方法，包括：将硅片放置于反应腔中；向所述反应腔中通入还原性气体还原所述硅片表面的氧化层；向所述反应腔中通入刻蚀气体刻蚀所述硅片表面。通过还原性气体可以还原所述硅片表面的氧化层，比如二氧化硅；通过刻蚀气体可以刻蚀...

本发明提供一种晶圆工厂通讯方法、系统、电子设备和可读存储介质，该晶圆工厂通讯方法包括：获取晶圆生产设备信息，和/或，晶圆产品信息；通过通讯接口将所述晶圆生产设备信息，和/或，晶圆产品信息在晶圆生产设备和上层Host设备之间进行传输，其中...

本发明实施例公开了一种检测晶圆缺口位置的装置、方法及计算机存储介质；所述装置包括：用于承载待测晶圆且能够绕中心轴线旋转的载台；在所述待测晶圆的一侧设置有光源，用于向所述待测晶圆边缘发射检测光线；在所述待测晶圆的另一侧设置有与所述光源对应...

本发明提供一种硅片钝化系统及硅片钝化系统的工作方法，涉及硅片检测技术领域。所述硅片钝化系统包括：壳体以及设置于所述壳体内的空气净化单元、工作台、可升降载台、夹取单元、喷涂单元以及涂覆单元；所述可升降载台、所述夹取单元、所述喷涂单元以及所...