本发明提供一种湿法单片硅片清洗设备和清洗液回收方法。湿法单片硅片清洗设备，包括：载盘，用于承载待清洗的硅片；喷嘴，朝向载盘设置，喷嘴用于向载盘提供清洗液；回收组件，包括多个相互独立的回收口，回收口环绕载盘设置，多个回收口沿湿法单片硅片清...

本发明实施例公开了一种晶圆载具的搬送方法、系统、装置、设备及介质，该方法应用于搬送装置，当晶圆盒被搬送至搬送装置的第一装载口时，搬送装置通过校正单元对该晶圆盒进行硅片溢出校正，然后通过机械臂在该搬送装置的第一装载口夹取该晶圆盒，将该晶圆...

本发明提供了一种硅片判定方法及装置，属于半导体制造技术领域。硅片判定方法，包括：获取待检测硅片表面的颗粒分布信息，所述颗粒分布信息包括硅片表面颗粒的数量和坐标；将所述硅片划分为多个扇形的子区域；根据所述颗粒分布信息判断所述多个子区域内包...

本发明提供了一种硅片判定方法及装置，属于半导体制造技术领域。硅片判定方法，包括：获取待检测硅片表面的颗粒分布信息，所述颗粒分布信息包括硅片表面颗粒的数量和坐标；将所述硅片划分为多个子区域；根据所述颗粒分布信息判断所述多个子区域内包含的颗...

本发明实施例公开了一种半导体物料搬送的控制方法、装置、设备、介质及产品，该方法应用于搬送设备控制器，通过搬送设备控制器响应于第一搬送命令，控制搬送设备从仓库获取目标半导体物料，其中第一搬送命令包括从该仓库搬送该目标半导体物料至第一工艺设...

本发明实施例公开了一种动态调整天车待机位置的方法、装置、介质及系统，包括：接收制造执行系统响应于目标设备的物料请求所下发的搬送命令；通过所述搬送命令确定物料的起始位置、目标设备的位置和最优路径信息，根据所述物料的起始位置将所述搬送命令拆...

本公开提供一种晶圆检测装置、机械手臂及晶圆监测方法，该晶圆监测装置包括：至少两个感应器，每个支撑臂部上对应设置一个感应器，感应器包括光发射端和光接收端，光发射端所发射的光束可直接照向感应区、或者可被晶圆反射至感应区，光接收端被配置为能够...

本发明提供了一种基座支撑结构和外延生长设备，属于半导体制造技术领域。基座支撑结构，用于支撑外延生长设备中的基座，所述基座支撑结构包括支撑柱，以及，由所述支撑柱向外延伸的锥形的支撑曲面，所述支撑曲面采用透明材质。本发明的技术方案能够提高外...

本发明实施例公开了一种用于检测硅片的周缘上的缺陷的系统和方法，所述系统包括：光源，所述光源用于将入射光线发射至所述硅片的周缘上的多个特定部位处，以使所述入射光线被所述多个特定部位反射后形成反射光线；接收单元，所述接收单元用于接收所述多个...

本发明提供了一种外延生长方法及外延晶圆，属于半导体制造技术领域。外延生长方法，应用于外延生长设备，所述外延生长设备包括装载端口、负载锁定单元、用以传送晶圆的传输腔室和与所述传输腔室连通的工艺反应腔室，所述外延生长方法包括：在将所述晶圆从...

本公开提供一种硅片外延生长基座支撑架及装置，该基座支撑架包括：支撑柱；及，从所述支撑柱的纵向轴线开始径向向外且沿轴向向上延伸的多根支撑臂，所述支撑臂包括在其轴向向上延伸方向上相对的第一端和第二端，所述第一端连接至所述支撑柱，所述第二端与...

本发明提供了一种单晶炉及单晶硅的制备方法，属于半导体制造技术领域。所述单晶炉包括炉体，所述炉体内设置有坩埚支撑组件，所述坩埚支撑组件上部设置有坩埚，所述坩埚的正上方设置有导流筒，所述炉体的内壁和所述坩埚的外周之间设置有加热器，所述炉体的...

本发明实施例公开了一种用于判断晶棒节段的头尾的装置、方法及截断设备，所述装置包括：电阻测量单元，所述电阻测量单元用于测量所述晶棒节段的第一端部的第一端部电阻值以及所述晶棒节段的第二端部的第二端部电阻值；判定单元，所述判定单元用于将所述第...

本发明提供了一种晶圆刻蚀装置及晶圆刻蚀方法，涉及半导体加工领域。该装置包括：送料台、上料结构、下料结构以及检测结构；所述送料台设置于所述上料结构和所述下料结构之间，且所述送料台的第一端和第二端之间存在高度差；所述上料结构用于将晶圆或者晶...

本发明实施例公开了一种打码控制方法、装置、设备、介质及产品，该方法通过当盒子到达打码设备时，打码设备向制造执行系统发送目标盒子的第一批次标识，以及当打码准备完成时，打码设备向该制造执行系统发送第一准备信号中包括的准备打码盒子的第二批次标...

本发明实施例公开了一种外延晶圆的缺陷检测方法、装置、系统及其制造方法；该缺陷检测方法包括：在抛光晶圆表面形成外延层以生成外延晶圆的生产过程中，采集外延设备在所述生产过程中的加热功率数据；判断所述加热功率数据是否出现波动；相应于所述加热功...

本发明实施例公开了一种分选控制方法、装置、设备及介质，该方法应用于制造执行系统，通过预先获取用户配置的盒子标识、设备标识和第一对应关系之间的第二对应关系，当目标盒子到达设备时，获取该设备发送的目标盒子的盒子标识和设备的设备标识，根据该盒...

本发明实施例公开了一种用于背封硅片的装置，所述装置包括用于将反应气体供应至所述硅片以在所述硅片上生长背封膜的反应气体供应单元，所述反应气体供应单元构造成使得供应至所述硅片的中心区域的反应气体的第一流速大于供应至所述硅片的边缘区域的反应气...

本发明实施例公开了一种分选控制方法、装置、设备、介质及产品，该方法应用于设备自动化控制系统，通过响应于设备所发送的第一到达指令，其中该第一到达指令表征目标晶圆到达该设备，由此可以向制造执行系统发送目标执行任务获取请求，从而可以从该执行制...

本发明提供了一种边缘刻蚀方法及设备，属于半导体制造技术领域。边缘刻蚀设备，包括：固定结构，用于固定硅片，并暴露出硅片的边缘；驱动结构，用于驱动硅片绕中心轴线转动；设置在硅片周边的喷头组件，喷头组件用于向硅片的边缘喷射液体；与喷头组件分别...