基座支撑结构和外延生长设备制造技术

本发明专利技术提供了一种基座支撑结构和外延生长设备，属于半导体制造技术领域。基座支撑结构，用于支撑外延生长设备中的基座，所述基座支撑结构包括支撑柱，以及，由所述支撑柱向外延伸的锥形的支撑曲面，所述支撑曲面采用透明材质。本发明专利技术的技术方案能够提高外延片表面的电阻率均一性。电阻率均一性。电阻率均一性。

【技术实现步骤摘要】
基座支撑结构和外延生长设备


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种基座支撑结构和外延生长设备。

技术介绍

[0002]外延生长是指在单晶硅衬底上，通过外延(Epitaxy)技术生长一层单晶薄膜(晶向与衬底晶向一致)的工艺过程。外延片的整个生产流程包括长晶(多晶硅料拉制硅晶棒)
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成型(切片研磨)
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抛光(双面抛光)
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清洗(去除表面微粒、金属离子和有机物)
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外延(气相沉积)五大工序，其中外延作为最后一道重要工序，可以改善晶圆的晶体性质、原生缺陷、电阻率以及平坦度等。
[0003]一般情况下，外延生长设备包括由上部石英钟罩、下部石英钟罩合围形成的反应腔室，反应腔室内设置有用于承载晶圆的基座，用于支撑基座的基座支撑杆，其中，基座支撑杆起到固定基座以及带动基座转动的作用，以使得外延生长能够在晶圆上均匀进行。石英钟罩外，设置有负责提供反应能量的加热灯泡，通过热辐射的方式为反应提供热量。
[0004]现有技术中，由于基座支撑杆的存在，基座被基座支本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基座支撑结构，用于支撑外延生长设备中的基座，其特征在于，所述基座支撑结构包括支撑柱，以及，由所述支撑柱向外延伸的锥形的支撑曲面，所述支撑曲面采用透明材质。2.根据权利要求1所述的基座支撑结构，其特征在于，沿靠近所述支撑柱的方向，所述支撑曲面的厚度逐渐减薄。3.根据权利要求1所述的基座支撑结构，其特征在于，所述支撑曲面靠近所述支撑柱的部分的厚度为2
‑
3mm；所述支撑曲面靠近所述基座的部分的厚度为4
‑
5mm。4.根据权利要求1所述的基座支撑结构，其特征在于，所述支撑曲面的曲率半径为160
‑
180mm，角度为130
°‑
150
°
。5.根据权利要求1所述的基座支撑结构，其特征在于，所述支撑曲面与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁鹏欢，王力，
申请(专利权)人：西安奕斯伟硅片技术有限公司，
类型：发明
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