本发明提供了一种晶棒分离装置、系统及方法，涉及硅片管理技术领域。该晶棒分离装置包括：中转台、缓存区以及可移动夹爪；所述中转台用于承载载具或者承载装载有晶棒的载具；所述缓存区临近设置于所述中转台的一侧；所述可移动夹爪设置于所述中转台沿竖直...

本发明提供了一种硅片处理方法及装置，属于半导体制造技术领域。硅片处理方法，包括：划伤检查步骤，用于对平坦度检查合格的硅片进行划伤检查，判断所述硅片是否存在划伤；划伤深度获取步骤，用于如果所述硅片存在划伤，获取所述硅片的划伤深度；处理步骤...

本发明公开了一种清洗装置，包括：清洗槽，清洗槽具有清洗腔；第一承载结构用于承载待清洗件，第一承载结构可移动；第二承载结构用于承载待清洗件，第二承载结构可移动；驱动机构用于在驱动第一承载结构移动至脱离待清洗件的情况下，驱动第二承载结构移动...

本发明实施例公开了一种硅片用的检测系统；所述检测系统包括：强度检测装置，所述强度检测装置用于对硅片进行强度检测；韧度检测装置，所述韧度检测装置用于对所述强度检测合格的硅片进行韧度检测；平坦度检测装置，所述平坦度检测装置用于对所述韧度检测...

本发明实施例公开了一种用于清洗硅片的装置、设备及方法，所述装置包括：管道，所述管道的一个端部与清洗液源连通，所述管道的另一端部位于待清洗的硅片上方并且是敞开的；双向泵送模块，所述双向泵送模块设置在所述管道中并且包括第一模式和第二模式，在...

本发明实施例公开了用于清洗抛光设备的装置及抛光设备，所述装置包括：用于向抛光液存储箱的内部喷洒清洗液的喷射器；设置在所述抛光液存储箱内的超声波搅拌器，所述超声波搅拌器设置成能够搅拌所述抛光液存储箱内的所述清洗液并且能够发出超声波以有助于...

本发明提供了一种抛光装置及抛光垫去除方法，属于半导体制造技术领域。抛光装置包括：相对设置的上抛光头和下抛光头；固定设置于所述上抛光头上的上定盘以及固定设置于所述下抛光头上的下定盘；贴附于所述上定盘表面上的上抛光垫以及贴附于所述下定盘表面...

本发明涉及一种晶体生长装置，包括：炉体；坩埚，用于容纳硅熔液；加热器结构，围设于坩埚的外围，以对坩埚进行加热；保温层，设置于加热器结构的外围；导流筒，呈桶状并沿竖直方向设置在炉体内的硅熔液的上方；导流筒升降结构，设置于炉体的顶部，用于控...

本发明提供了一种悬浮载台、移载系统及悬浮载台的工作方法，涉及半导体技术领域。该悬浮载台包括，台面、承载轴，第一输气管以及第二输气管；所述承载轴与所述台面固定连接，用于承载所述台面；所述台面上均匀设置有多个第一通孔和多个第二通孔，且所述第...

本发明提供了一种跑货控制方法及装置，属于半导体制造技术领域。跑货控制方法，包括：获取加工设备发送的第一加工信息，第一加工信息为加工设备加载的晶圆盒的加工信息；获取MES客户端发送的针对第二晶圆盒的第二加工信息，第二加工信息包括：第二晶圆...

本发明实施例提供一种晶圆评估方法、装置及可读存储介质，包括：获取晶圆图像；在晶圆图像中划分多个区域；按照相邻两个区域为一组，在多个区域中确定出多个区域组；计算区域组中的两个区域的粒子密度比；在计算出的所述粒子密度比大于预设门限的情况下，...

本发明涉及一种硅片缺陷的检测方法，包括以下步骤：将待检测硅片切割为两片待检测子硅片；将两片待检测子硅片进行金属污染处理；将两片待检测子硅片进行不同的热处理，并根据两片待检测子硅片是否显现铜污染图案，判断待检测硅片的缺陷。将待检测硅片切割...

本发明实施例公开了一种拉晶炉的水冷套及拉晶炉，所述水冷套竖直地设置在所述拉晶炉中并且所述水冷套的内径在竖向上是变化的，所述内径的变化用于使所述水冷套的内周壁在竖向上的不同壁部分与所述拉晶炉拉制出并以与竖向平行的方式穿过所述水冷套移动的晶...

本发明涉及一种基座支撑结构，用于支撑外延生长装置中的基座，所述基座支撑结构包括主支撑轴，和由所述主支撑轴向外延伸的多个支撑臂，所述支撑臂上具有图案化的镂空结构。本发明还涉及一种外延生长装置。通过所述镂空结构的设置，减小基座被所述支撑臂遮...

本发明涉及一种存储装置，用于存储修整轮，包括柜体，所述柜体包括多层置物架，每层所述置物架包括底板和顶板，所述底板上设置有用于支撑所述修整轮的中部区域的主承载台。通过设置包括多层置物架的柜体，将修整轮单独存放在每一层置物架内，且每层置物架...

本发明实施例公开了一种用于对多线切割机的转轴上的线槽的磨损程度进行检测的系统，所述系统包括：图形采集单元，所述图形采集单元用于获取所述线槽的实际图形；对比单元，所述对比单元用于将所述实际图形与基准图形进行对比以获得所述实际图形与所述基准...

本发明实施例提供一种打标位置评估方法、装置及可读存储介质，一种打标位置评估方法，方法应用于读码器，包括：读码器根据标准标片，确定目标读码区域；读码器在读码工序流程中，基于目标读码区域，判断被读标片上的打标位置是否合格；其中，标准标片是基...

本公开提供一种硅片外延生长支撑装置及外延生长设备，该装置包括：基座，基座包括用于承载硅片的承载本体、及设置于承载本体下方的承托件，承托件设有第一通孔；及设置于基座下方的基座支撑架，基座支撑架包括支撑柱，支撑柱包括内部中空的固定主轴、及同...

本发明提供了一种外延生长设备重启方法，属于半导体制造技术领域。外延生长设备重启方法，包括：将氢气注入设置在所述外延生长设备内的反应腔中并吹扫氢气预定时间；将晶圆片放置在所述反应腔内部的基座上；在第一温度下向所述反应腔内通入刻蚀气体，流量...

本发明提供了一种晶圆的外延生长方法及设备，属于半导体制造技术领域。晶圆的外延生长方法，包括：将氢气注入晶圆的外延生长设备内的反应腔室中并吹扫预定时间；将抛光后的晶圆放置在所述反应腔室内部的基座上；在第一温度下向所述反应腔室内通入刻蚀气体...