边缘刻蚀方法及设备技术

本发明专利技术提供了一种边缘刻蚀方法及设备，属于半导体制造技术领域。边缘刻蚀设备，包括：固定结构，用于固定硅片，并暴露出硅片的边缘；驱动结构，用于驱动硅片绕中心轴线转动；设置在硅片周边的喷头组件，喷头组件用于向硅片的边缘喷射液体；与喷头组件分别连接的第一供给管路和第二供给管路；与第一供给管路连接的刻蚀液提供组件；与第二供给管路连接的清洁液提供组件；第一控制器，用于在第一工作阶段，控制第一供给管路与喷头组件连通；在第二工作阶段，控制第二供给管路与喷头组件连通。本发明专利技术的技术方案能够提高边缘刻蚀的效率。术方案能够提高边缘刻蚀的效率。术方案能够提高边缘刻蚀的效率。

【技术实现步骤摘要】
边缘刻蚀方法及设备


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种边缘刻蚀方法及设备。

技术介绍

[0002]在硅片制造领域中，重掺杂成分的外延片需求量在不断增加。重掺杂硅片在外延生长工艺阶段会出现自掺杂现象影响其产品品质，为降低自掺杂程度，在前段硅片制造工艺中引入背封处理工序，背封处理工序的引入可有效减少自掺杂对外延产品的品质影响。
[0003]在背封处理工序中，主要分为两个过程：LTO(背封)和Edge Etching(边缘刻蚀)。LTO过程主要采用CVD(化学气相沉积法)，即在高温状态下，通过化学反应在硅片背面长一层薄膜(如SiO2)，该薄膜可有效减少自掺杂对外延片的品质影响；硅片边缘处的薄膜会对外延生长产生品质影响，如导致出现多晶硅缺陷，因此在背封后，还需要对硅片的边缘进行边缘刻蚀来消除这种影响。
[0004]现有技术中，边缘刻蚀工艺的时间比较长，边缘刻蚀的效率比较低。

技术实现思路

[0005]为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种边缘刻蚀方法及设备，能够提高边缘刻蚀的效率。
[0006]为了达到上述目的，本专利技术实施例采用的技术方案是：
[0007]一种边缘刻蚀设备，包括：
[0008]固定结构，用于固定硅片，并暴露出所述硅片的边缘；
[0009]驱动结构，用于驱动所述硅片绕中心轴线转动；
[0010]设置在所述硅片周边的喷头组件，所述喷头组件用于向所述硅片的边缘喷射液体；
[0011]与所述喷头组件分别连接的第一供给管路和第二供给管路；
[0012]与所述第一供给管路连接的刻蚀液提供组件；
[0013]与所述第二供给管路连接的清洁液提供组件；
[0014]第一控制器，用于在第一工作阶段，控制所述第一供给管路与所述喷头组件连通；在第二工作阶段，控制所述第二供给管路与所述喷头组件连通。
[0015]一些实施例中，所述刻蚀液提供组件提供的氢氟酸刻蚀液的浓度为15％
‑
20％。
[0016]一些实施例中，所述边缘刻蚀设备还包括：
[0017]设置在所述硅片下方的容纳槽；
[0018]与所述容纳槽的出口连接的废液收集组件。
[0019]一些实施例中，所述废液收集组件包括：
[0020]与所述出口分别连接的第一管路和第二管路；
[0021]与所述第一管路连接的第一收集组件；
[0022]与所述第二管路连接的第二收集组件；
[0023]第二控制器，用于在所述第一工作阶段，控制所述第一管路与所述出口连通；在所述第二工作阶段，控制所述第二管路与所述出口连通。
[0024]一些实施例中，所述喷头组件包括多个喷头，均匀分布于所述硅片的周边。
[0025]一些实施例中，所述固定结构包括吸盘，所述吸盘通过胶粘或真空吸附的方式固定所述硅片。
[0026]本专利技术实施例还提供了一种边缘刻蚀方法，应用于如上所述的边缘刻蚀设备，所述边缘刻蚀方法包括：
[0027]利用所述固定结构固定硅片，并暴露出所述硅片的边缘；
[0028]利用所述驱动结构驱动所述硅片绕中心轴线转动；
[0029]在第一工作阶段，利用所述第一控制器控制所述第一供给管路与所述喷头组件连通，利用所述喷头组件向所述硅片的边缘喷射刻蚀液；在第二工作阶段，控制所述第二供给管路与所述喷头组件连通，利用所述喷头组件向所述硅片的边缘喷射清洗液。
[0030]一些实施例中，所述刻蚀液为氢氟酸刻蚀液，浓度为15％
‑
20％。
[0031]一些实施例中，所述边缘刻蚀方法包括：
[0032]利用所述第二控制器在所述第一工作阶段，控制所述第一管路与所述出口连通，利用所述第一收集组件收集所述容纳槽流出的刻蚀液；在所述第二工作阶段，控制所述第二管路与所述出口连通，利用所述第二收集组件收集所述容纳槽流出的清洗液。
[0033]一些实施例中，所述第一工作阶段的时长为20
‑
60s；所述第二工作阶段的时长为10
‑
20s。
[0034]本专利技术的有益效果是：
[0035]本实施例中，可以提高对硅片的边缘进行刻蚀的刻蚀液的浓度，这样能够减少边缘刻蚀工艺的时间，提高边缘刻蚀的效率；另外，为了避免高浓度刻蚀液对喷头组件、固定结构、驱动结构等部件的寿命造成影响，还设置与喷头组件连接的第二供给管路，第二供给管路能够为喷头组件提供清洗液，在第一工作阶段结束后，可以利用清洗液对喷头组件、固定结构、驱动结构等部件进行清洗，降低高浓度刻蚀液对这些部件寿命的影响。
附图说明
[0036]图1表示本专利技术实施例边缘刻蚀设备的俯视示意图；
[0037]图2表示本专利技术实施例第一供给管路和第二供给管路的示意图；
[0038]图3表示本专利技术实施例边缘刻蚀设备的正视示意图；
[0039]图4表示本专利技术实施例第一管路和第二管路的示意图；
[0040]图5表示本专利技术实施例的边缘刻蚀效果示意图；
[0041]图6表示本专利技术实施例边缘刻蚀方法的流程示意图。
[0042]附图标记
[0043]1 第一控制器
[0044]2 喷头
[0045]3 硅片
[0046]41 分水器
[0047]42 第一供给管路
[0048]43 第二供给管路
[0049]5 固定结构
[0050]6 出口
[0051]61第一管路
[0052]62 第二管路
[0053]7 硅片边缘区域
[0054]8 容纳槽
具体实施方式
[0055]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例的附图，对本专利技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本专利技术的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0056]本专利技术提供一种边缘刻蚀方法及设备，能够提高边缘刻蚀的效率。
[0057]现有技术中，在进行边缘刻蚀时，利用真空吸盘吸附硅片，暴露出硅片的边缘，利用设置在硅片周边的喷头对硅片进行喷淋刻蚀，一般是利用氢氟酸刻蚀液对硅片边缘的薄膜进行刻蚀，氢氟酸刻蚀液浓度的提高有助于缩短边缘刻蚀工艺的时间，提高边缘刻蚀的效率；但氢氟酸刻蚀液浓度的提高还会增加安全隐患，影响设备的寿命。
[0058]本专利技术实施例提供一种边缘刻蚀设备，如图1
‑
图4所示，包括：
[0059]固定结构5，用于固定硅片3，并暴露出所述硅片3的边缘；
[0060]驱动结构，用于驱动所述硅片3绕中心轴线转动；
[0061]设置在所述硅片3周边的喷头组件，所述喷头组件用于向所述硅片3的边缘喷射液体；
[0062]与所述喷头组件分别连接的第一供给本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种边缘刻蚀设备，其特征在于，包括：固定结构，用于固定硅片，并暴露出所述硅片的边缘；驱动结构，用于驱动所述硅片绕中心轴线转动；设置在所述硅片周边的喷头组件，所述喷头组件用于向所述硅片的边缘喷射液体；与所述喷头组件分别连接的第一供给管路和第二供给管路；与所述第一供给管路连接的刻蚀液提供组件；与所述第二供给管路连接的清洁液提供组件；第一控制器，用于在第一工作阶段，控制所述第一供给管路与所述喷头组件连通；在第二工作阶段，控制所述第二供给管路与所述喷头组件连通。2.根据权利要求1所述的边缘刻蚀设备，其特征在于，所述刻蚀液提供组件提供的氢氟酸刻蚀液的浓度为15％
‑
20％。3.根据权利要求1所述的边缘刻蚀设备，其特征在于，所述边缘刻蚀设备还包括：设置在所述硅片下方的容纳槽；与所述容纳槽的出口连接的废液收集组件。4.根据权利要求3所述的边缘刻蚀设备，其特征在于，所述废液收集组件包括：与所述出口分别连接的第一管路和第二管路；与所述第一管路连接的第一收集组件；与所述第二管路连接的第二收集组件；第二控制器，用于在所述第一工作阶段，控制所述第一管路与所述出口连通；在所述第二工作阶段，控制所述第二管路与所述出口连通。5.根据权利要求1所述的边缘刻蚀设备，其特征在于，所述喷头组件包括多个喷头，均匀分布于所述硅片的周边。6.根据权利要求1所述的边缘刻蚀设备，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝宁，王力，
申请(专利权)人：西安奕斯伟硅片技术有限公司，
类型：发明
国别省市：