基板处理设备和基板处理方法技术

公开了一种基板处理设备。所述基板处理设备包括：主体，所述主体包括从其照射激光的照射端；轴，所述轴联接到所述主体；以及驱动器，所述驱动器向所述轴供应动力，加热单元绕所述轴的轴线摆动，并且控制器通过调节所述加热单元的旋转角度和支撑单元的旋转角度来将所述加热单元的照射端移动到基板上的目标位置。加热单元的照射端移动到基板上的目标位置。加热单元的照射端移动到基板上的目标位置。

【技术实现步骤摘要】
基板处理设备和基板处理方法


[0001]本文描述的本专利技术构思的实施例涉及一种基板处理设备和一种基板处理方法。

技术介绍

[0002]为了制造半导体器件，对诸如晶片的基板执行各种过程，例如摄像、蚀刻、灰化、离子注入和薄膜沉积等。在这些过程中，使用各种处理液体和处理气体。此外，执行将基板进行干燥的过程以从基板移除用于处理基板的处理液体。
[0003]在晶片上形成图案的摄像过程包括曝光过程。曝光操作是用于将粘附到晶片上的半导体材料直接切割成图案的初步操作。曝光过程可以具有多种目的，诸如形成用于蚀刻的图案和形成用于离子注入的图案。在曝光过程中，通过使用作为一种框架的掩模来用光在晶片上绘制图案。当晶片上的半导体材料(例如，晶片上的抗蚀剂)直接暴露于光时，抗蚀剂的化学性质因光和掩模而根据图案而改变。当向化学性质根据图案而改变的抗蚀剂供应显影液体时，在晶片上形成图案。
[0004]为了精确地执行曝光过程，必须精确地制造在掩模上形成的图案。为了识别图案是否具有期望的形状以及图案是否精确形成，操作者通过使用诸如扫描电子显微镜(SEM)的检查设备来检查所形成的图案。然而，在一个掩模上形成大量图案。也就是说，为了检查一个掩膜，需要花费很多时间来检查所有的所述大量图案。
[0005]因此，在掩模上形成可以表示包括多个图案的一个图案组的监测图案。另外，在掩模上形成可以表示多个图案组的锚定图案。操作者可以通过检查锚定图案来估计在掩模上形成的图案的质量。此外，操作者可以通过检查监测图案来估计一个图案组中包括的图案的质量。
[0006]以这种方式，通过在掩模上形成的监测图案和锚定图案，操作者可以有效地缩短用于检查掩模的时间。然而，为了提高掩模检查的精度，优选的是监测图案和锚定图案的线宽相同。
[0007]当执行蚀刻以使监测图案和锚图案的线宽相同时，图案可能被过度蚀刻。例如，监测图案的线宽的蚀刻速率与锚定图案的线宽的蚀刻速率之间可能会出现多次差异，并且在重复地蚀刻监测图案和/或锚定图案以减小差异的过程中，可能会在监测图案的线宽和锚定图案的线宽中发生过度蚀刻。当精确执行蚀刻过程以使过度蚀刻最小化时，蚀刻过程花费很多时间。因此，另外执行用于精确连接掩模上形成的图案的线宽的线宽校正过程。
[0008]图1示出了在掩模制造过程中，在执行作为最终操作的线宽校正过程之前，掩模的监测图案的第一线宽CDP1和锚定图案的第二线宽CDP2的正态分布。此外，第一线宽CDP1和第二线宽CDP2的尺寸比目标线宽小。此外，如参考图1可以看出的，在执行线宽校正过程之前，监测图案和锚定图案的线宽(关键尺寸)故意具有偏差。此外，通过在线宽校正过程中额外蚀刻锚定图案，使两个图案的线宽相同。
[0009]在线宽校正过程中，将蚀刻化学品供应到基板上，使得第一线宽CDP1和第二线宽CDP2成为目标线宽。然而，当将蚀刻化学品均匀地供应到基板上时，即使第一线宽CDP1和第
二线宽CDP2中的任何一者可以达到目标线宽，第一线宽CDP1和第二线宽CDP2中的另一者也难以达到目标线宽。此外，第一线宽CDP1与第二线宽CDP2之间的偏差没有减小。

技术实现思路

[0010]本专利技术构思的实施例提供了一种可以有效地处理基板的基板处理设备，以及一种基板处理方法。
[0011]本专利技术构思的实施例提供了一种可以使基板上形成的图案的线宽均匀的基板处理设备，以及一种基板处理方法。
[0012]本专利技术构思的实施例提供了一种可以将激光移动到基板上的期望目标位置的基板处理设备，以及一种基板处理方法。
[0013]本专利技术构思的实施例提供了一种基板处理设备以及一种基板处理方法，所述基板处理设备使用摆动的激光模块和旋转的基板支撑单元以允许激光精确地照射到目标位置。
[0014]本专利技术构思要解决的问题不限于上述问题，并且本专利技术构思所属领域的技术人员将从说明书和附图中清楚地理解未提及的问题。
[0015]本专利技术构思的实施例提供了一种基板处理设备。所述基板处理设备包括：主体，所述主体包括从其照射激光的照射端；轴，所述轴联接到所述主体；以及驱动器，所述驱动器向所述轴供应动力，加热单元绕所述轴的轴线摆动，并且控制器通过调节所述加热单元的旋转角度和支撑单元的旋转角度来将所述加热单元的照射端移动到基板上的目标位置。
[0016]所述目标位置可以包括理想目标位置和实际目标位置，其中当所述基板的中心与所述支撑单元的中心彼此重合时，所述目标位置位于所述理想目标位置，并且当所述基板的中心与所述支撑单元的中心彼此不重合时，所述目标位置位于所述实际目标位置，所述控制器可以计算所述理想目标位置与所述实际目标位置之间的误差值，并且所述控制器可以通过将所计算的误差值应用于所述实际目标位置来计算所述实际目标位置的坐标。
[0017]所述控制器可以导出假想第一圆，其半径是支撑单元的中心与实际目标位置的所计算的坐标之间的距离，并且控制器可以计算假想第一圆的第一旋转轨迹。
[0018]所述控制器可以导出假想第二圆，其半径是加热单元的主体的长度，并且控制器可以计算假想第二圆的第二旋转轨迹。
[0019]所述控制器将第一旋转轨迹和第二旋转轨迹彼此相遇的点确定为最终移动位置。
[0020]当第一旋转轨迹和第二旋转轨迹在多个点处彼此相遇时，可以将加热单元的旋转角度小的点确定为最终移动位置。
[0021]所述控制器可以计算第一旋转角度，照射端通过所述第一旋转角度移动到最终移动位置，并且控制器可以使加热单元以第一旋转角度摆动。
[0022]所述控制器可以计算第二旋转角度，所述支撑单元将以所述第二旋转角度旋转，以将所述基板上形成的实际目标位置移动到所述最终移动位置，并且控制器可以使所述支撑单元以第二旋转角度旋转。
[0023]支撑单元可沿顺时针方向或逆时针方向旋转，并且第二旋转角度可以由根据支撑单元的旋转方向具有最小值的角度确定。
[0024]可以在基板上形成第一图案和在不同于第一图案的位置形成的第二图案，并且目标位置可以是第二图案的位置。
[0025]本专利技术构思的实施例提供了一种基板处理方法。所述基板处理方法包括：布置操作，其中将在由支撑单元支撑的基板上形成的目标位置与加热单元的照射激光的照射端对准；以及处理操作，其中由加热单元通过将激光照射至由支撑单元支撑的基板上的目标位置来处理所述基板，并且所述布置操作包括：通过在所述基板的中心和所述支撑单元的中心彼此重合时目标位置所处的理想目标位置与所述目标位置实际所处的实际目标位置彼此不重合时，校正所述理想目标位置与所述实际目标位置之间的误差值，从而将所述基板的中心与所述支撑单元的中心对准。
[0026]所述布置操作可以包括通过将所述误差值应用到所述实际目标位置来计算所述实际目标位置的坐标。
[0027]所述布置操作可以包括：计算具有假想第一圆的第一旋转轨迹和具有假想第二圆的第二旋转轨迹，其中所述假想第一圆的半径是支撑单元的中心与实际目标位置的坐标之间的距离本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理设备，包括：主体，所述主体包括从其照射激光的照射端；轴，所述轴联接到所述主体；以及驱动器，所述驱动器配置为向所述轴供应动力，其中加热单元绕所述轴的轴线摆动，并且其中控制器通过调节所述加热单元的旋转角度和支撑单元的旋转角度来将所述加热单元的照射端移动到基板上的目标位置。2.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中所述目标位置包括理想目标位置和实际目标位置，其中当所述基板的中心与所述支撑单元的中心彼此重合时，所述目标位置位于所述理想目标位置，并且当所述基板的中心与所述支撑单元的中心彼此不重合时，所述目标位置位于所述实际目标位置，其中所述控制器计算所述理想目标位置与所述实际目标位置之间的误差值，并且其中所述控制器通过将所计算的误差值应用于所述实际目标位置来计算所述实际目标位置的坐标。3.根据权利要求2所述的基板处理设备，其中所述控制器导出假想第一圆，所述假想第一圆的半径是所述支撑单元的中心与所述实际目标位置的所计算的坐标之间的距离，并且其中所述控制器计算所述假想第一圆的第一旋转轨迹。4.根据权利要求3所述的基板处理设备，其中所述控制器导出假想第二圆，所述假想第二圆的半径是所述加热单元的主体的长度，并且其中所述控制器计算所述假想第二圆的第二旋转轨迹。5.根据权利要求4所述的基板处理设备，其中所述控制器将所述第一旋转轨迹和所述第二旋转轨迹彼此相遇的点确定为最终移动位置。6.根据权利要求5所述的基板处理设备，其中当所述第一旋转轨迹和所述第二旋转轨迹在多个点处彼此相遇时，将所述加热单元的旋转角度小的点确定为所述最终移动位置。7.根据权利要求4所述的基板处理设备，其中所述控制器计算第一旋转角度，所述照射端以所述第一旋转角度移动到所述最终移动位置，并且其中所述控制器以所述第一旋转角度摆动所述加热单元。8.根据权利要求7所述的基板处理设备，其中所述控制器计算第二旋转角度，所述支撑单元将以所述第二旋转角度旋转，以将所述基板上形成的所述实际目标位置移动到所述最终移动位置，并且其中所述控制器以所述第二旋转角度旋转所述支撑单元。9.根据权利要求8所述的基板处理设备，其中所述支撑单元能够沿顺时针方向或逆时针方向旋转，并且其中所述第二旋转角度由根据所述支撑单元的旋转方向具有最小值的角度确定。10.根据权利要求1至9中任一项所述的基板处理设备，其中在所述基板上形成第一图案以及在与所述第一图案不同的位置处形成的第二图案，并且其中所述目标位置是所述第二图案的位置。11.一种基板处理方法，包括：布置操作，将在由支撑单元支撑的基板上形成的目标位置与加热单元的配置为照射激
光的照射端对准；以及处理操作，由所述加热单元通过将所述激光照射至由所述支撑单元支撑的所述基板上的所述目标位置来处理所述基板，其中所述布置操作包括：通过在所述基板的中心和所述支撑单元的中心彼此重合时所述目标位置所处的理想目标位置与所述目标位置实际所处的实际目标位置彼此不重...

【专利技术属性】
技术研发人员：金光燮，吴承彦，姜信华，柳相铉，朴永镐，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：