【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种基底加工设备，并且更具体地，涉及一种用于对基底进行热处理的设备。
技术介绍
1、为了制造半导体装置，执行诸如光刻、蚀刻、沉积、离子注入和清洁等的各种工艺。在所述各种工艺之中，光刻工艺用于形成图案，其对于实现半导体装置的高集成度是重要的。
2、光刻工艺通常由涂覆工艺、曝光工艺和显影工艺组成，并且在执行曝光工艺之前或之后执行烘烤工艺。烘烤工艺用于对基底进行热处理，并且在该工艺中，在将基底放置在加热板上之后，通过提供在加热板内部的加热器对基底进行热处理。
技术实现思路
1、提供一种基底加工设备，所述基底加工设备可以通过包括用于不仅在热处理室中而且在冷却处理室中提供不活泼气体的气体供应单元来在烘烤工艺期间保持低的氧饱和度。
2、提供一种基底加工设备，所述基底加工设备可以通过包括用于对热处理室和冷却处理室进行密封的盖来在烘烤处理期间保持低的氧饱和度。
3、将通过本公开实现的技术目标不限于上述目标，并且本文中未提及的其它技术目标将被本领域技术人员通过根据本公开的描述清楚地理解。
4、附加方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地，根据描述将是明显的，或者可以通过实践所呈现的实施例而获知。
5、根据本公开的一方面，一种基底加工设备包括：热处理室，提供用于对基底进行热处理的热处理空间；冷却室，布置为在水平方向上与热处理室间隔开；以及盖，密封热处理室和冷却室，其中，冷却室包括：壳体，在壳体中限定冷却处理空间；冷却板，在冷却板上
6、在实施例中，基底加工设备还可以包括控制器，控制器配置为控制通过第一吹扫气体供应单元的第一吹扫气体的供应。
7、在实施例中，控制器可以还配置为控制第一吹扫气体供应单元以在第一载入/载出口打开的同时注入第一吹扫气体。
8、在实施例中，基底加工设备还可以包括配置为将基底从热处理室传送到冷却室传送机器人，其中，控制器还可以配置为控制通过传送机器人的基底的传送。
9、在实施例中，热处理室还可以包括向热处理空间提供第二吹扫气体的第二吹扫气体供应单元，并且控制器可以还配置为控制通过第二吹扫气体供应单元的第二吹扫气体的供应。
10、在实施例中，热处理室还可以包括限定供基底相对于热处理室被从外部载入/被载出的路径的第二载入/载出口，并且控制器还可以配置为控制第二吹扫气体供应单元以在第二载入/载出口打开的同时注入第二吹扫气体。
11、在实施例中，第一吹扫气体供应单元可以包括气体注入孔，第一吹扫气体通过气体注入孔被注入，并且气体注入孔可以布置为面向第一载入/载出口。
12、在实施例中，第一吹扫气体可以包括具有恒定温度的不活泼气体。
13、在实施例中，第一吹扫气体可以包括包含氮气(n2)的不活泼气体。
14、根据本公开的另一方面，一种基底加工设备包括：热处理室，提供用于对基底进行热处理的热处理空间；冷却室，布置为在水平方向上与热处理室间隔开；以及盖，密封热处理室和冷却室，其中，冷却室可以包括：壳体，在所述壳体中限定冷却处理空间；冷却板，在所述冷却板上放置基底；第一载入/载出口，限定供基底相对于冷却室被从外部载入/被载出的路径；以及第一吹扫气体供应单元，向冷却处理空间提供第一吹扫气体，并且其中，盖可以包括：气体供应单元，布置在盖内部的一个侧壁中并且将不活泼气体提供到盖的内部；以及排放单元，布置在与所述一个侧壁相对的另一侧壁中并且排放不活泼气体。
15、在实施例中，基底加工设备还可以包括控制器，控制器配置为控制通过第一吹扫气体供应单元的第一吹扫气体的供应以及通过气体供应单元的不活泼气体的供应。
16、在实施例中，控制器还可以配置为控制气体供应单元以在第一载入/载出口打开的同时注入不活泼气体。
17、在实施例中，基底加工设备可以还包括配置为将基底从热处理室传送到冷却室的传送机器人，其中，控制器还可以配置为控制通过传送机器人的基底的传送。
18、在实施例中，热处理室还可以包括向热处理空间提供第二吹扫气体的第二吹扫气体供应单元，并且控制器还可以配置为控制通过第二吹扫气体供应单元的第二吹扫气体的供应。
19、在实施例中，热处理室还可以包括限定供基底相对于热处理室被从外部载入/被载出的路径的第二载入/载出口，并且控制器还可以配置为控制第二吹扫气体供应单元以在第二载入/载出口打开的同时注入第二吹扫气体。
20、在实施例中，盖可以包括限定供基底被从外部载入/被载出的路径的入口，并且控制器还可以配置为控制气体供应单元以在入口打开的同时注入不活泼气体。
21、在实施例中，控制器可以还配置为控制排放单元以在气体供应单元注入不活泼气体的同时打开。
22、在实施例中，第一吹扫气体可以包括包含氮气(n2)的不活泼气体。
23、根据本公开的另一方面，一种基底加工设备包括：热处理室，提供用于对基底进行热处理的热处理空间；冷却室，布置为在水平方向上与热处理室间隔开；以及盖，密封热处理室和冷却室，其中，冷却室可以包括：壳体，在所述壳体中限定冷却处理空间；冷却板，在所述冷却板上放置基底；第一载入/载出口，限定供基底相对于冷却室被从外部载入/被载出的路径；以及第一吹扫气体供应单元，布置在壳体的内壁中并且向冷却处理空间提供第一吹扫气体，其中热处理室可以包括：第二吹扫气体供应单元，向热处理空间提供第二吹扫气体；以及第二载入/载出口，限定供基底相对于热处理室从被外部载入/被载出的路径，其中第一吹扫气体供应单元可以包括气体注入孔，第一吹扫气体通过气体注入孔被注入并且所述气体注入孔布置为面向第一载入/载出口，并且其中，第一吹扫气体可以包括包含氮气(n2)并且具有恒定温度的不活泼气体。
24、在实施例中，基底加工设备还可以包括：控制器，配置为控制通过第一吹扫气体供应单元的第一吹扫气体的供应；以及传送机器人，配置为将基底从热处理室传送到冷却处理室，其中，控制器还可以配置为：控制第一吹扫气体供应单元以在第一载入/载出口打开的同时注入第一吹扫气体；控制通过传送机器人的基底的传送；控制通过第二吹扫气体供应单元的第二吹扫气体的供应，并且控制第二吹扫气体供应单元以在第二载入/载出口打开的同时注入第二吹扫气体。
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1.一种基底加工设备，包括：
2.根据权利要求1所述的基底加工设备，还包括控制器，所述控制器配置为控制通过所述第一吹扫气体供应单元的所述第一吹扫气体的供应。
3.根据权利要求2所述的基底加工设备，其中，所述控制器还配置为控制所述第一吹扫气体供应单元以在所述第一载入/载出口打开的同时注入第一吹扫气体。
4.根据权利要求2所述的基底加工设备，还包括配置为将所述基底从所述热处理室传送到所述冷却室的传送机器人，
5.根据权利要求2所述的基底加工设备，其中，所述热处理室还包括向所述热处理空间提供第二吹扫气体的第二吹扫气体供应单元，并且
6.根据权利要求5所述的基底加工设备，其中，所述热处理室还包括限定供所述基底相对于所述热处理室被从外部载入/被载出的路径的第二载入/载出口，并且
7.根据权利要求1所述的基底加工设备，其中，所述第一吹扫气体供应单元包括气体注入孔，所述第一吹扫气体通过所述气体注入孔被注入，并且
8.根据权利要求1所述的基底加工设备，其中，所述第一吹扫气体包括具有恒定温度的不活泼气体。
<...【技术特征摘要】
1.一种基底加工设备，包括：
2.根据权利要求1所述的基底加工设备，还包括控制器，所述控制器配置为控制通过所述第一吹扫气体供应单元的所述第一吹扫气体的供应。
3.根据权利要求2所述的基底加工设备，其中，所述控制器还配置为控制所述第一吹扫气体供应单元以在所述第一载入/载出口打开的同时注入第一吹扫气体。
4.根据权利要求2所述的基底加工设备，还包括配置为将所述基底从所述热处理室传送到所述冷却室的传送机器人，
5.根据权利要求2所述的基底加工设备，其中，所述热处理室还包括向所述热处理空间提供第二吹扫气体的第二吹扫气体供应单元，并且
6.根据权利要求5所述的基底加工设备，其中，所述热处理室还包括限定供所述基底相对于所述热处理室被从外部载入/被载出的路径的第二载入/载出口，并且
7.根据权利要求1所述的基底加工设备，其中，所述第一吹扫气体供应单元包括气体注入孔，所述第一吹扫气体通过所述气体注入孔被注入，并且
8.根据权利要求1所述的基底加工设备，其中，所述第一吹扫气体包括具有恒定温度的不活泼气体。
9.根据权利要求1所述的基底加工设备，其中，所述第一吹扫气体包括包含氮气(n2)的不活泼气体。
10.一种基底加工设备，包括：
11.根据权利要求10所述的基底加工设备，还包括...
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