外延晶圆的缺陷检测方法、装置、系统及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种外延晶圆的缺陷检测方法、装置及外延晶圆的制造方法；该缺陷检测方法包括：扫描待测外延晶圆的表面，获得所述待测外延晶圆的扫描图像；检测所述扫描图像中存在的缺陷；提取所述扫描图像中各缺陷对应的图像特征；基于所述图像特征识别对应缺陷所属的缺陷类型；针对识别所得的缺陷类型多于一个的待确认缺陷，采集待确认缺陷处的元素成分，并根据元素成分为所述待确认缺陷确定唯一所属的缺陷类型。所属的缺陷类型。所属的缺陷类型。

【技术实现步骤摘要】
外延晶圆的缺陷检测方法、装置、系统及其制造方法


[0001]本专利技术实施例涉及半导体制造技术，尤其涉及一种外延晶圆的缺陷检测方法、装置、系统及其制造方法。

技术介绍

[0002]作为半导体器件的制造工序中所使用的基板，硅晶圆等由半导体构成的晶圆被广泛地使用。作为这种晶圆，已知有对单晶锭进行切片并进行镜面研磨、清洗等流程而成的拋光晶圆（PW晶圆），以及在PW晶圆表面通过化学气相沉积等方式形成具有单晶硅外延层从而得到外延晶圆。
[0003]由于高性能芯片对基板品质的要求不断提升，针对抛光晶圆以及外延晶圆的缺陷检测逐渐变得极为重要。一方面，准确的缺陷检测不仅能够为抛光晶圆以及外延晶圆的生产过程提出生产指导以提高生产过程的良率；另一方面，在制作半导体器件之前进行准确的检测缺陷，能够提高在半导体器件的制造工序中提高半导体器件的成品率和可靠性。
[0004]当前，对于晶圆，尤其是外延晶圆的缺陷检测手段，通常是借助光学或电子扫描方式采集晶圆表面的图像并通过肉眼观察的方式进行。但是肉眼观察属于人工感官检查，因此，基于检查人员的判定的偏差是不可本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种外延晶圆的缺陷检测方法，其特征在于，所述检测方法包括：扫描待测外延晶圆的表面，获得所述待测外延晶圆的扫描图像；检测所述扫描图像中存在的缺陷；提取所述扫描图像中各缺陷对应的图像特征；基于所述图像特征识别对应缺陷所属的缺陷类型；针对识别所得的缺陷类型多于一个的待确认缺陷，采集待确认缺陷处的元素成分，并根据元素成分为所述待确认缺陷确定唯一所属的缺陷类型。2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述提取所述扫描图像中各缺陷对应的图像特征，包括：针对扫描图像中各缺陷所在区域，通过图像检测手段获取各缺陷对应的长度值、宽度值、形态和缺陷面积值中的一个或多个。3.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述基于所述图像特征识别对应缺陷所属的缺陷类型，包括：在缺陷数据库所存储的已有缺陷类型中，将与提取获得的图像特征及对应的特征值最接近的图像特征及对应的特征值所对应的已有缺陷类型确定为缺陷所属的缺陷类型；其中，所述缺陷数据库包括历史检测过程中所检测到的缺陷类型及对应的图像特征和特征值。4.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述基于所述图像特征识别对应缺陷所属的缺陷类型，包括：将提取获得的图像特征及对应的特征值输入至经过训练的机器学习模型中，以使得所述机器学习模型根据提取获得的图像特征及对应的特征值识别缺陷所属的缺陷类型。5.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述扫描待测外延晶圆的表面，获得所述待测外延晶圆的扫描图像，包括：通过扫描电子显微镜SEM扫描待测外延晶圆的表面，并采集二次电子形成所述外延晶圆扫描图像。6.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述采集待确认缺陷处的元素成分，包括：通过扫描电子显微镜SEM扫描待测外延晶圆的表面，通过能谱仪采集待确认缺陷处释放的特征X射线；对特征X射线进行能谱分析，获得所述待确...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁鹏欢，
申请(专利权)人：西安奕斯伟硅片技术有限公司，
类型：发明
国别省市：