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本发明实施例公开了一种外延晶圆的缺陷检测方法、装置及外延晶圆的制造方法;该缺陷检测方法包括:扫描待测外延晶圆的表面,获得所述待测外延晶圆的扫描图像;检测所述扫描图像中存在的缺陷;提取所述扫描图像中各缺陷对应的图像特征;基于所述图像特征识别对...该专利属于西安奕斯伟硅片技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过西安奕斯伟硅片技术有限公司授权不得商用。
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本发明实施例公开了一种外延晶圆的缺陷检测方法、装置及外延晶圆的制造方法;该缺陷检测方法包括:扫描待测外延晶圆的表面,获得所述待测外延晶圆的扫描图像;检测所述扫描图像中存在的缺陷;提取所述扫描图像中各缺陷对应的图像特征;基于所述图像特征识别对...