外延生长方法及外延晶圆技术

本发明专利技术提供了一种外延生长方法及外延晶圆，属于半导体制造技术领域。外延生长方法，应用于外延生长设备，所述外延生长设备包括反应腔室、位于所述反应腔室内的基座、用于对所述反应腔室进行加热的加热模组，所述加热模组包括位于所述基座沿竖直方向的上方的第一加热组件和位于所述基座沿竖直方向的下方的第二加热组件，所述外延生长方法包括：在将抛光后的晶圆放置在所述基座上之前，控制所述第一加热组件和所述第二加热组件对所述反应腔室进行加热，且所述第一加热组件的热发射率大于所述第二加热组件的热发射率。本发明专利技术的技术方案能够消除外延晶圆背面的Halo，提高外延晶圆的产品良率。产品良率。产品良率。

【技术实现步骤摘要】
外延生长方法及外延晶圆


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种外延生长方法及外延晶圆。

技术介绍

[0002]外延生长是指在单晶硅衬底上，通过外延(epitaxy)技术生长一层单晶薄膜(晶向与衬底晶向一致)的工艺过程。外延片的整个生产流程包括长晶(多晶硅料拉制硅晶棒)
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成型(切片研磨)
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抛光(双面抛光)
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清洗(去除表面微粒、金属离子和有机物)
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外延(气相沉积)五大工序，其中外延作为最后一道重要工序，可以改善抛光片的晶体性质、原生缺陷、电阻率以及平坦度等。
[0003]在外延生长过程中，外延层上会出现许多缺陷，按所在位置分两类：
①
表面缺陷；
②
体内缺陷。表面缺陷指显露在外延层表面的缺陷，可用肉眼或金相显微镜观察到，主要表现为：云雾状表面、角锥体、划痕、星状体、麻坑等。体内缺陷指位于外延层内部的晶体结构缺陷，主要有：位错和层错。从广义上讲，缺陷也包括氧、碳、重金属等杂质以及原子空位和填隙原子等点缺陷。这些本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种外延生长方法，其特征在于，应用于外延生长设备，所述外延生长设备包括反应腔室、位于所述反应腔室内的基座、用于对所述反应腔室进行加热的加热模组，所述加热模组包括位于所述基座沿竖直方向的上方的第一加热组件和位于所述基座沿竖直方向的下方的第二加热组件，所述外延生长方法包括：在将抛光后的晶圆放置在所述基座上之前，控制所述第一加热组件和所述第二加热组件对所述反应腔室进行加热，且所述第一加热组件的热发射率大于所述第二加热组件的热发射率。2.根据权利要求1所述的外延生长方法，其特征在于，所述第一加热组件的热发射率比所述第二加热组件的热发射率大0.001
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0.02。3.根据权利要求1所述的外延生长方法，其特征在于，控制所述第一加热组件和所述第二加热组件对所述反应腔室进行加热之后，所述方法还包括：将抛光后的晶圆放置在所述基座上，在第一温度下向所述反应腔室内通入氢气，对所述反应腔室进行吹扫；升高所述第一加热组件和所述第二加热组件的功率，在第二温度下对所述晶圆表面进行氢气烘烤；在第三温度下向所述反应腔室内通入刻蚀气体，对所述晶圆表面进行刻蚀；在所述第三温度下向所述反应腔室内通入硅源气...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨金柱，王力，
申请(专利权)人：西安奕斯伟硅片技术有限公司，
类型：发明
国别省市：