【技术实现步骤摘要】
一种成膜装置下炉体保温机构
[0001]本技术涉及晶片制备
，特别是涉及一种成膜装置下炉体保温机构。
技术介绍
[0002]采用SiC外延生长的方式制备半导体晶片，需要将晶片衬底置于反应腔室中与反应气一同升温至1500℃
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1700℃高温。为实现连续生产，反应室常与搬运装置相连，单次成膜完成后机械臂伸入反应室搬运基板。为了提高升温效率，降低基板周围热量流失，一般需要于下炉体安装保温材。反应室内高温环境下，未与基板充分接触沉积的反应气沿排气方向流动，可能与保温材接触沉积，进而影响保温效果，保温材表面沉积不易清除，更换所需成本较大。
技术实现思路
[0003]本技术的目的是提供一种成膜装置下炉体保温机构，以解决上述现有技术存在的问题，能够避免反应气与保温材接触沉积，确保了保温效果。
[0004]为实现上述目的，本技术提供了如下方案：
[0005]本技术提供一种成膜装置下炉体保温机构，包括位于下炉体中心位置处的基座，下炉体内部形成为反应室，基座位于反应室内，所述基座顶部用于装载基...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种成膜装置下炉体保温机构，其特征在于：包括位于下炉体中心位置处的基座，所述基座顶部用于装载基板，所述基座内设有热场；所述下炉体内壁环设有上保温层，所述上保温层下部设有能够升降的下保温层，所述下保温层远离所述下炉体内壁的一侧设有能够抑制反应物沉积的保护层；所述下炉体顶部连接有进气室，所述下炉体底部连接有排气口；所述下炉体侧壁上设有转运口，所述转运口处设有隔断阀，所述转运口位于所述上保温层和下保温层之间的位置处。2.根据权利要求1所述的成膜装置下炉体保温机构，其特征在于：所述保护层为内外壁均进行涂层处理的套筒，所述套筒上部为锥形缩口结构，下部为直筒结构。3.根据权利要求1所述的成膜装置下炉体保温机构，其特征在于：所述上保温层远离所述下炉体内壁的一侧设有导流筒，所述导流筒上部为直筒结构，下部为锥形的扩口结构。4.根据权利要求1所述的成膜...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘鹏，徐文立，唐凯凯，沈磊，
申请(专利权)人：宁波恒普真空科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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