一种改善Logic产品衬底外延后弯曲度和翘曲度工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种改善Logic产品衬底外延后弯曲度和翘曲度工艺，其改善工艺包括以下步骤：S1、首先降低工艺腔体接取片温度可以起到降低弯曲度及翘曲度的作用，由于外延设备仅工艺腔长期维持高温环境，其他传输腔保持常温，硅衬底进出工艺腔时会面临温度突变导致变形的问题，工艺腔的接取片的进行实时降低，降低了温度的突变，可以改善弯曲度、翘曲度，S2、然后调整硅衬底在腔内的升温速度和过程可以减少热应力的堆积降低其形变量。本发明专利技术通过优化设备的接取片温度及recipe的升温速率和外延时功率配比可以达到改善硅外延对wafer弯曲度、翘曲度的目的，从而提升了外延工序对衬底弯曲度及翘曲度的接受窗口，方法简单有效。方法简单有效。方法简单有效。

【技术实现步骤摘要】
一种改善Logic产品衬底外延后弯曲度和翘曲度工艺


[0001]本专利技术涉及衬底外延片加工
，具体为一种改善Logic产品衬底外延后弯曲度和翘曲度工艺。

技术介绍

[0002]外延是半导体工艺当中的一种，在bipolar工艺中，硅片最底层是P型衬底硅(有的加点埋层)；然后在衬底上生长一层单晶硅，这层单晶硅称为外延层；再后来在外延层上注入基区、发射区等等，最后基本形成纵向NPN管结构:外延层在其中是集电区，外延上面有基区和发射区。外延片就是在衬底上做好外延层的硅片。因有些厂只做外延之后的工艺生产，所以他们买别人做好外延工艺的外延片来接着做后续工艺
[0003]弯曲度值表表征wafer的弯曲程度，翘曲度表征wafer的翘曲程度，二者是表征硅衬底宏观形貌的重要参数，弯曲度的负值表示凹的形变，正值表示凸的形变，若形变过大则会导致衬底在后续光刻过程中出现失焦点，导致曝光异常，过分的形变甚至会增加后续抛光过程中的碎片风险，严重影响后续制程中的良率，影响外延片弯曲度、翘曲度主要因素是：硅片收到不同的热场分布导致应力释放方向不一致，从而影响弯曲本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善Logic产品衬底外延后弯曲度和翘曲度工艺，其特征在于：其改善工艺包括以下步骤：S1、首先降低工艺腔体接取片温度可以起到降低弯曲度及翘曲度的作用，由于外延设备仅工艺腔长期维持高温环境，其他传输腔保持常温，硅衬底进出工艺腔时会面临温度突变导致变形的问题，工艺腔的接取片的进行实时降低，降低了温度的突变，可以改善弯曲度、翘曲度；S2、然后调整硅衬底在腔内的升温速度和过程可以减少热应力的堆积降低其形变量，降低升温速率可以减少该类形变带来的弯曲度、翘曲度变化，通过将升温速率调整至一定频次，同时使用两步升温方法
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升温至相应的合适温度后维持一定时间进行第二次升温，直至合适的温度；S3、最后平衡外延过程中的温场分布改善外延片弯曲度、翘曲度，外延过程中硅衬底处于较稳定的状态，但此时衬底的状态受温场分布影响会直接...

【专利技术属性】
技术研发人员：张强，杜金生，常雪岩，张坤，宋泰甫，刘校均，张浩，杨振域，郭红慧，孙晨光，王彦君，
申请(专利权)人：中环领先半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：