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本发明公开了一种改善Logic产品衬底外延后弯曲度和翘曲度工艺，其改善工艺包括以下步骤：S1、首先降低工艺腔体接取片温度可以起到降低弯曲度及翘曲度的作用，由于外延设备仅工艺腔长期维持高温环境，其他传输腔保持常温，硅衬底进出工艺腔时会面临温度...
该专利属于中环领先半导体材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中环领先半导体材料有限公司授权不得商用。

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