一种用于成膜装置的发热体结构制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开一种用于成膜装置的发热体结构，涉及晶片加工设备相关技术领域，包括呈圆筒状的发热体，多个所述发热体依次套设于成膜装置上炉体的套筒外侧，所述发热体两端分别连接有石墨电极，所述石墨电极一端延伸至成膜装置上炉体顶部后固定连接有金属电极，所述金属电极外接电源。本实用新型专利技术提供的用于成膜装置的发热体结构，上炉体套筒处的发热面积大，对过程气体加热效果好，从而能够提高预热后气体的温度均匀性。后气体的温度均匀性。后气体的温度均匀性。

【技术实现步骤摘要】
一种用于成膜装置的发热体结构


[0001]本技术涉及晶片加工设备相关
，特别是涉及一种用于成膜装置的发热体结构。

技术介绍

[0002]随着以气相外延技术制造半导体晶片的成膜工艺日渐成熟，提高膜厚均匀性和生产效率成为主要研究方向。成膜工艺时，基板装载于成膜室，保持高速旋转，供给过程气体于基板晶圆衬底上进行薄膜生长。为实现膜厚均匀，热场将基板和过程气体加热至预定温度。过程气体由进气室通入上炉体套筒后，向下至基板表面的过程中需进行预热。目前上炉体套筒处的加热装置发热面积小，对过程气体加热效果差，无法提高预热后气体的温度均匀性。

技术实现思路

[0003]本技术的目的是提供一种用于成膜装置的发热体结构，以解决上述现有技术存在的问题，上炉体套筒处的发热面积大，对过程气体加热效果好，从而能够提高预热后气体的温度均匀性。
[0004]为实现上述目的，本技术提供了如下方案：
[0005]本技术提供一种用于成膜装置的发热体结构，包括呈圆筒状的发热体，多个所述发热体依次套设于成膜装置上炉体的套筒外侧，所述发热体两端分别连接有石墨电极，所述石墨电极一端延伸至成膜装置上炉体顶部后固定连接有金属电极，所述金属电极外接电源。
[0006]可选的，所述发热体为电阻式发热体，发热主体结构可视为圆筒状，对称两端开有固定电极的螺纹孔，其余为圆周均布发热体折返部；所述发热体包括依次间隔设置的多个竖直部和多个水平部，相邻的两个所述水平部分别位于二者之间的竖直部的上下两端，所述竖直部一端与其相邻的上方水平部一体成型连接，另一端与其相邻的下方水平部一体成型连接，且竖直部与水平部连接处为圆角结构。
[0007]可选的，所述发热体两端分别通过连接螺栓与所述石墨电极一端固定连接，所述金属电极通过固定螺栓与所述石墨电极另一端固定连接。
[0008]可选的，所述发热体为为电阻式发热体；所述发热体包括多个呈弧形的分段发热体，相邻两个所述分段发热体之间通过连接片固定连接，所述连接片的阻值小于所述分段发热体的阻值。
[0009]可选的，所述成膜装置上炉体顶部设置有进气室，位于所述套筒外侧的多个发热体形成热场；所述成膜装置上炉体内底部设置有基座，所述基座上用于放置晶片；所述成膜装置上炉体底部开设有排气口。上述发热体用于上部热场加热时，可由至少三个等同发热体从上到下依次分布。基于拆装便利和石墨电极的热量影响，将三个发热体电极连接处朝向以一定角度分隔，使三组电极连接块均固定于上炉体上端。反应气体进入进气室后向下
流动经上部热场均匀受热后与基座顶部晶片接触反应成膜。
[0010]本技术相对于现有技术取得了以下技术效果：
[0011]本技术采用园筒状电阻式发热体，发热体面内各区域发热量基本相同，增大与反应室上部气体流道套筒正对面积。固定方式较为简单，两端石墨电极先与发热体螺纹连接，反应室内安装确认位置后仅需固定顶部电极。一体式发热体上部多区热场可通用更换，整体结构稳定。
附图说明
[0012]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0013]图1为本技术实施例一用于成膜装置的发热体结构示意图；
[0014]图2为本技术实施例一用于成膜装置的发热体结构与石墨电极连接示意图；
[0015]图3为本技术实施例一用于成膜装置的发热体结构俯视示意图；
[0016]图4为本技术实施例二用于成膜装置的发热体结构俯视示意图；
[0017]图5为本技术成膜装置上炉体内部示意图；
[0018]附图标记说明：1
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发热体，2
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石墨电极，3
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固定螺栓，4
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金属电极，5
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连接螺栓，6
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分段发热体，7
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连接片，8
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进气室，9
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热场，10
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基座，11
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排气口。
具体实施方式
[0019]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0020]本技术的目的是提供一种用于成膜装置的发热体结构，以解决上述现有技术存在的问题，上炉体套筒处的发热面积大，对过程气体加热效果好，从而能够提高预热后气体的温度均匀性。
[0021]为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明。
[0022]实施例一
[0023]本技术提供一种用于成膜装置的发热体结构，如图1、图2和图3所示，包括呈圆筒状的发热体1，用于过程气体预热同时考虑安装时发热体1自身强度需求，发热体1具备一定厚度，多个发热体1依次套设于成膜装置上炉体的套筒外侧，发热体1两端分别连接有石墨电极2，石墨电极2一端延伸至成膜装置上炉体顶部后固定连接有金属电极4，金属电极4外接电源，具体的，发热体1两端分别通过连接螺栓5与石墨电极2一端固定连接，金属电极4通过固定螺栓3与石墨电极2另一端固定连接。
[0024]进一步优选的，发热体1为电阻式发热体，电流通过时产生热量。发热体1呈圆筒结构，具备环状发热部，通电加热时圆周上各区域发热量相同；发热体1于圆周上直线往复折
返，形成圆筒结构，折返处直角部分进行圆角处理且两侧之间保留足够间隙，防止折返间隙以及直角折弯可能导致的电流集中情况发生，具体的，发热体1包括依次间隔设置的多个竖直部和多个水平部，相邻的两个水平部分别位于二者之间的竖直部的上下两端，竖直部一端与其相邻的上方水平部一体成型连接，另一端与其相邻的下方水平部一体成型连接，且竖直部与水平部连接处为圆角结构。
[0025]如图5所示，成膜装置上炉体顶部设置有进气室8，位于套筒外侧的多个发热体1形成热场9；成膜装置上炉体内底部设置有基座10，基座10上用于放置晶片；成膜装置上炉体底部开设有排气口11。上述发热体1用于上部热场9加热时，可由至少三个等同发热体1从上到下依次分布。基于拆装便利和石墨电极2的热量影响，将三个发热体1电极连接处朝向以一定角度分隔，使三组电极连接块均固定于上炉体上端。反应气体进入进气室8后向下流动经上部热场均匀受热后与基座10顶部晶片接触反应成膜。
[0026]实施例二
[0027]本实施例是在实施例一的基础上所做的进一步改进，实施例一中发热体1为一体成型结构，因此局部损坏需更换本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于成膜装置的发热体结构，其特征在于：包括呈圆筒状的发热体，多个所述发热体依次套设于成膜装置上炉体的套筒外侧，所述发热体两端分别连接有石墨电极，所述石墨电极一端延伸至成膜装置上炉体顶部后固定连接有金属电极，所述金属电极外接电源。2.根据权利要求1所述的用于成膜装置的发热体结构，其特征在于：所述发热体为电阻式发热体；所述发热体包括依次间隔设置的多个竖直部和多个水平部，相邻的两个所述水平部分别位于二者之间的竖直部的上下两端，所述竖直部一端与其相邻的上方水平部一体成型连接，另一端与其相邻的下方水平部一体成型连接，且竖直部与水平部连接处为圆角结构。3.根据权利要求1所述的用于成膜装置的发...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘鹏，徐文立，沈磊，
申请(专利权)人：宁波恒普真空科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：