【技术实现步骤摘要】
外延生长装置及设备
[0001]本专利技术涉及外延片制造
,特别涉及一种外延生长装置及设备。
技术介绍
[0002]外延层的生长速率会随着温度的升高而加快,不均匀的生长速度会影响生产的外延片的平整度或者产生重排等结晶缺陷。外延生长腔的石英罩的底部一直处于热辐射的内测,在反光板和底部石英罩脖颈夹层处存在部分未经辐射的高温气体,该高温气体与反光板外侧存在温度差,导致局部热交换,从而引起气流流动,而这部分的局部热辐射无法通过控制布置在周围的灯的功率来进行控制。该局部的气流交换会造成局部的热传递差,形成局部温差,从而影响外延层生长的平稳性。
技术实现思路
[0003]本专利技术实施例提供一种外延生长装置及设备,能够降低外延生长腔室的石英钟罩底部的气流流动,以及局部热传递,从而保证石英钟罩底部温度波动的平稳性,制造出厚度均匀缺陷少的外延片。
[0004]为了解决上述技术问题,本专利技术采用如下技术方案:
[0005]本专利技术实施例提供一种外延生长装置,包括:
[0006]外延生长腔室以及 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种外延生长装置,其特征在于,包括:外延生长腔室(1)以及反光板(2);所述外延生长腔室(1)包括石英钟罩(11);所述反光板(2)嵌套于所述石英钟罩(11)的底部;所述反光板(2)的底部设置有多个通气孔(21)。2.根据权利要求1所述的外延生长装置,其特征在于,每个所述通气孔(21)的直径相同。3.根据权利要求1所述的外延生长装置,其特征在于,每个所述通气孔(21)的直径不同。4.根据权利要求1所述的外延生长装置,其特征在于,所述通气孔(21)的直径为2mm
‑
10mm。5.根据权利要求1所述的外延生长装置,其特征在于,所述多个通气孔(21)在所述反光板(2)的底部阵列分布;在第一方向上,相邻两个所述通气孔(21)之间的第一距离为2mm
‑
10mm;在第二方向上,相邻两个所述通气孔(21)之间的第二距离为...
【专利技术属性】
技术研发人员:贾帅,牛景豪,
申请(专利权)人:西安奕斯伟硅片技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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