【技术实现步骤摘要】
一种具有可伸入腔体的多通道功能轴的立式成膜设备
[0001]本技术涉及半导体生产设备
,特别是涉及一种具有可伸入腔体的多通道功能轴的立式成膜设备。
技术介绍
[0002]立式成膜装置制备半导体晶片,反应气体通入腔室内部与稳定高速旋转的晶片接触进行外延生长。工艺过程中基板表面晶片需加热至反应温度。工艺结束后为满足连续生产,基板具有抬升功能并与外部转运系统联动,将成膜完成的基板运出反应室。
[0003]公开号为CN101426965A的专利文献中公开了块状碳化硅单晶的生产,块状、低杂质碳化硅单晶在晶体生长界面上通过沉积含硅和含碳汽相物质生长出。硅源蒸汽由蒸发硅并输送硅蒸汽到晶体生长坩埚而提供。碳汽相物质由碳源蒸汽(例如,CN)提供或由硅源蒸汽从固相碳源上方或中间流过而得到,例如,硅蒸汽流经多孔的石墨或石墨颗粒层。
[0004]但是,其设备内部的温度均匀性不够高,影响最终的晶片质量。
技术实现思路
[0005]为解决以上技术问题,本技术提供一种具有可伸入腔体的多通道功能轴的立式成膜设备,以提高 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种具有可伸入腔体的多通道功能轴的立式成膜设备,其特征在于,包括进气室、反应室、套筒流道、搬运系统、基座、旋转室和旋转轴;所述进气室设置于所述反应室顶部,且所述进气室与所述反应室相连通;所述反应室内设置有套筒,所述套筒内侧设置有基座,所述基座顶部用于支撑晶片;所述反应室外一侧设置有所述搬运系统,所述搬运系统用于将所述基座顶部的晶片取出;所述反应室下方设置有所述旋转室,所述旋转轴设置于所述旋转室内,且所述旋转轴的顶部伸入所述反应室内与所述基座相连接;所述旋转轴用于驱动所述基座旋转;所述基座内设置有推杆座,所述推杆座底部与一提升杆的顶部相连接,所述提升杆的底部与驱动机构相连接,所述推杆座顶部且位于所述晶片下方等高度的同轴心的设置有内圈发热体和外圈加热体;所述旋转轴为中空轴,所述旋转轴内同轴的设置有一多通道功能轴;所述提升杆贯穿所述多通道功能轴;所述多通道功能轴伸入所述基座内的一端设置有多个开孔。2.根据权利要求1所述的具有可伸入腔体的多通道功能轴的立式成膜设备,其特征在于,所述多个开孔包括所述多通道功能轴的轴心处设置的提升杆开孔,所述提升杆与所述提升杆开孔之间设置有套管,所述提升杆与所述提升杆开孔之间位于所述套管下方设置有至少一个橡胶圈;所述套管用于对所述提升杆的导向并防止杂质进入所述提升杆开孔。3.根据权利要求1所述的具有可伸入腔体的多通道功能轴的立式成膜设备,其特征在于,所述多个开孔包括偏离所述多通道功能轴的轴心处设置的电极开孔,所述电极开孔内设置有导电体,所述导电体用于连接将电源与所述内圈发热体和所述外圈加热体连接。4.根据权利要求3所述的具有可伸入腔体的多通道功能轴的立式成膜设备,其特征在于,所述导电体包括钼杆座、钼螺母和钼螺杆;所述钼螺杆底部与所述电源电连接,所述钼螺杆顶部延伸至所述电极开孔处,所述钼螺母...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘鹏,徐文立,高炀,沈磊,
申请(专利权)人:宁波恒普真空科技股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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