温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种外延生长方法及外延晶圆，属于半导体制造技术领域。外延生长方法，应用于外延生长设备，所述外延生长设备包括反应腔室、位于所述反应腔室内的基座、用于对所述反应腔室进行加热的加热模组，所述加热模组包括位于所述基座沿竖直方向的上方的第...
该专利属于西安奕斯伟硅片技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安奕斯伟硅片技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。