退火炉温度计校准方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种退火炉温度计校准方法及装置，属于半导体制造技术领域。退火炉温度计校准方法，包括：确定退火炉的待校准的温度计对应的第一关系曲线，所述第一关系曲线为硅片氧化膜厚度与温度之间的对应关系曲线；获取所述退火炉内、所述待校准的温度计的位置处的硅片的第一氧化膜厚度；根据所述第一关系曲线确定与所述第一氧化膜厚度对应的温度值；根据所述温度值对所述待校准的温度计的示数进行校准。本发明专利技术的技术方案能够对退火炉的温度计进行校准，进而利用温度计可以对退火工艺过程中的温度进行准确监测。中的温度进行准确监测。中的温度进行准确监测。

【技术实现步骤摘要】
退火炉温度计校准方法及装置
5

[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种退火炉温度计校准方法及装置。

技术介绍

[0002]0在半导体领域，硅片是集成电路的原料。相比经抛光处理的硅片，经外延处理的外延硅片具有表面缺陷少和电阻率可控等特性，因此被广泛用于高集成化的集成电路(Integrated Circuit，IC)元件和金氧半场效晶体管(Metal
‑
Oxide
‑
Semiconductor Field
‑
Effect Transistor,MOSFET)中。
[0003]外延硅片在生产加工过程中会采用最为广泛的低温退火工艺，其加工温度5通常在650℃与1000℃之间，温度作为低温退火工艺的重要参数，对产品质量有显著影响。但现有退火炉的温度计在使用一段时间后存在示数不准确的问题，导致不能对退火工艺过程中的温度进行准确监测。

技术实现思路

[0004]0为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种退火炉温度计校准方法及装置，
[0005]能够对退火炉的温度计进行校准，进而利用温度计可以对退火工艺过程中的温度进行准确监测。
[0006]为了达到上述目的，本专利技术实施例采用的技术方案是：
[0007]一种退火炉温度计校准方法，包括：5确定退火炉的待校准的温度计对应的第一关系曲线，所述第一关系曲线为硅片氧化膜厚度与温度之间的对应关系曲线；
[0008]获取所述退火炉内、所述待校准的温度计的位置处的硅片的第一氧化膜厚度；
[0009]根据所述第一关系曲线确定与所述第一氧化膜厚度对应的温度值；
[0010]根据所述温度值对所述待校准的温度计的示数进行校准。
[0011]一些实施例中，所述待校准的温度计的位置处存在多个硅片，所述第一氧化膜厚度为所述多个硅片的氧化膜厚度的算术平均值或加权平均值。
[0012]一些实施例中，所述方法还包括：
[0013]建立所述退火炉的多个基准温度计的第一关系曲线，建立每个所述基准温度计的第一关系曲线包括：
[0014]在退火炉内所述基准温度计所在位置放置多个测试硅片；
[0015]向所述退火炉内通入氧气，在所述测试硅片上沉积氧化膜；
[0016]获取所述基准温度计的示数作为基准温度，根据所述测试硅片上氧化膜的厚度确定基准厚度；
[0017]根据多组测试数据建立所述基准温度计的第一关系曲线，每组所述测试数据包括所述测试硅片上氧化膜的基准厚度和对应的基准温度。
[0018]一些实施例中，所述待校准的温度计对应的第一关系曲线为距离所述待校准的温度计最近的基准温度计的第一关系曲线。
[0019]一些实施例中，所述基准厚度为所述多个测试硅片的氧化膜厚度的算术平均值或加权平均值。
[0020]本专利技术实施例还提供了一种退火炉温度计校准装置，包括：
[0021]确定模块，用于确定退火炉的待校准的温度计对应的第一关系曲线，所述第一关系曲线为硅片氧化膜厚度与温度之间的对应关系曲线；
[0022]获取模块，用于获取所述退火炉内、所述待校准的温度计的位置处的硅片的第一氧化膜厚度；
[0023]处理模块，用于根据所述第一关系曲线确定与所述第一氧化膜厚度对应的温度值；
[0024]校准模块，用于根据所述温度值对所述待校准的温度计的示数进行校准。
[0025]一些实施例中，所述待校准的温度计的位置处存在多个硅片，所述第一氧化膜厚度为所述多个硅片的氧化膜厚度的算术平均值或加权平均值。
[0026]一些实施例中，所述装置还包括：
[0027]建立模块，用于建立所述退火炉的多个基准温度计的第一关系曲线，建立每个所述基准温度计的第一关系曲线包括：
[0028]在退火炉内所述基准温度计所在位置放置多个测试硅片；
[0029]向所述退火炉内通入氧气，在所述测试硅片上沉积氧化膜；
[0030]获取所述基准温度计的示数作为基准温度，根据所述测试硅片上氧化膜的厚度确定基准厚度；
[0031]根据多组测试数据建立所述基准温度计的第一关系曲线，每组所述测试数据包括所述测试硅片上氧化膜的基准厚度和对应的基准温度。
[0032]一些实施例中，所述待校准的温度计对应的第一关系曲线为距离所述待校准的温度计最近的基准温度计的第一关系曲线。
[0033]一些实施例中，所述基准厚度为所述多个测试硅片的氧化膜厚度的算术平均值或加权平均值。
[0034]本专利技术的有益效果是：
[0035]本实施例中，确定退火炉的待校准的温度计对应的第一关系曲线，获取退火炉内、待校准的温度计的位置处的硅片的第一氧化膜厚度，根据第一关系曲线确定与第一氧化膜厚度对应的温度值，根据温度值对待校准的温度计的示数进行校准，本实施例通过氧化膜的厚度能够精确地确定退火炉的腔体内的实际温度，进而对退火炉的温度计进行校准，使测量温度更接近实际温度值，利用校准后的温度计可以对退火工艺过程中的温度进行准确监测。本实施例避免了拆卸、安装退火炉的腔体内的零部件，因而避免了拆装所带来的产能下降和频繁的工艺验证。
附图说明
[0036]图1表示本专利技术实施例退火炉温度计校准方法的流程示意图；
[0037]图2表示本专利技术实施例退火炉的结构示意图；
[0038]图3表示本专利技术实施例第一关系曲线的示意图；
[0039]图4表示本专利技术实施例退火炉温度计校准装置的结构框图。
[0040]附图标记
[0041]1回风组件，2石英晶舟，3硅片，4温度计，5隔热层，6气体管路。
具体实施方式
[0042]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例的附图，对本专利技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本专利技术的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0043]在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0044]本专利技术提供一种退火炉温度计校准方法及装置，能够对退火炉的温度计进行校准，进而利用温度计可以对退火工艺过程中的温度进行准确监测。
[0045]本专利技术实施例提供一种退火炉温度计校准方法，如图1所示，包括：
[0046]步骤101：确定退火炉的待校准的温度计对应的第一关系曲线，所述第一关系曲线为硅片氧化膜厚度与温度之间的对应关系曲线；
[0047]步本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种退火炉温度计校准方法，其特征在于，包括：确定退火炉的待校准的温度计对应的第一关系曲线，所述第一关系曲线为硅片氧化膜厚度与温度之间的对应关系曲线；获取所述退火炉内、所述待校准的温度计的位置处的硅片的第一氧化膜厚度；根据所述第一关系曲线确定与所述第一氧化膜厚度对应的温度值；根据所述温度值对所述待校准的温度计的示数进行校准。2.根据权利要求1所述的退火炉温度计校准方法，其特征在于，所述待校准的温度计的位置处存在多个硅片，所述第一氧化膜厚度为所述多个硅片的氧化膜厚度的算术平均值或加权平均值。3.根据权利要求1所述的退火炉温度计校准方法，其特征在于，所述方法还包括：建立所述退火炉的多个基准温度计的第一关系曲线，建立每个所述基准温度计的第一关系曲线包括：在退火炉内所述基准温度计所在位置放置多个测试硅片；向所述退火炉内通入氧气，在所述测试硅片上沉积氧化膜；获取所述基准温度计的示数作为基准温度，根据所述测试硅片上氧化膜的厚度确定基准厚度；根据多组测试数据建立所述基准温度计的第一关系曲线，每组所述测试数据包括所述测试硅片上氧化膜的基准厚度和对应的基准温度。4.根据权利要求3所述的退火炉温度计校准方法，其特征在于，所述待校准的温度计对应的第一关系曲线为距离所述待校准的温度计最近的基准温度计的第一关系曲线。5.根据权利要求3所述的退火炉温度计校准方法，其特征在于，所述基准厚度为所述多个测试硅片的氧化膜厚度的算术平均值或加权平均值。6.一种退火炉温度计校准装置，其特征在于，包括：确...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘晓鹏，贺鑫，
申请(专利权)人：西安奕斯伟硅片技术有限公司，
类型：发明
国别省市：