退火炉温度计校准方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种退火炉温度计校准方法及装置，属于半导体制造技术领域。退火炉温度计校准方法，包括：确定退火炉的待校准的温度计对应的第一关系曲线，所述第一关系曲线为硅片氧化膜厚度与温度之间的对应关系曲线；获取所述退火炉内、所述待校准的温度计的位置处的硅片的第一氧化膜厚度；根据所述第一关系曲线确定与所述第一氧化膜厚度对应的温度值；根据所述温度值对所述待校准的温度计的示数进行校准。本发明专利技术的技术方案能够对退火炉的温度计进行校准，进而利用温度计可以对退火工艺过程中的温度进行准确监测。中的温度进行准确监测。中的温度进行准确监测。

【技术实现步骤摘要】
退火炉温度计校准方法及装置
5

[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种退火炉温度计校准方法及装置。

技术介绍

[0002]0在半导体领域，硅片是集成电路的原料。相比经抛光处理的硅片，经外延处理的外延硅片具有表面缺陷少和电阻率可控等特性，因此被广泛用于高集成化的集成电路(Integrated Circuit，IC)元件和金氧半场效晶体管(Metal
‑
Oxide
‑
Semiconductor Field
‑
Effect Transistor,MOSFET)中。
[0003]外延硅片在生产加工过程中会采用最为广泛的低温退火工艺，其加工温度5通常在650℃与1000℃之间，温度作为低温退火工艺的重要参数，对产品质量有显著影响。但现有退火炉的温度计在使用一段时间后存在示数不准确的问题，导致不能对退火工艺过程中的温度进行准确监测。

技术实现思路

[0004]0为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种退火炉温度计校准方法及装置，
[0005]能够对退火炉本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种退火炉温度计校准方法，其特征在于，包括：确定退火炉的待校准的温度计对应的第一关系曲线，所述第一关系曲线为硅片氧化膜厚度与温度之间的对应关系曲线；获取所述退火炉内、所述待校准的温度计的位置处的硅片的第一氧化膜厚度；根据所述第一关系曲线确定与所述第一氧化膜厚度对应的温度值；根据所述温度值对所述待校准的温度计的示数进行校准。2.根据权利要求1所述的退火炉温度计校准方法，其特征在于，所述待校准的温度计的位置处存在多个硅片，所述第一氧化膜厚度为所述多个硅片的氧化膜厚度的算术平均值或加权平均值。3.根据权利要求1所述的退火炉温度计校准方法，其特征在于，所述方法还包括：建立所述退火炉的多个基准温度计的第一关系曲线，建立每个所述基准温度计的第一关系曲线包括：在退火炉内所述基准温度计所在位置放置多个测试硅片；向所述退火炉内通入氧气，在所述测试硅片上沉积氧化膜；获取所述基准温度计的示数作为基准温度，根据所述测试硅片上氧化膜的厚度确定基准厚度；根据多组测试数据建立所述基准温度计的第一关系曲线，每组所述测试数据包括所述测试硅片上氧化膜的基准厚度和对应的基准温度。4.根据权利要求3所述的退火炉温度计校准方法，其特征在于，所述待校准的温度计对应的第一关系曲线为距离所述待校准的温度计最近的基准温度计的第一关系曲线。5.根据权利要求3所述的退火炉温度计校准方法，其特征在于，所述基准厚度为所述多个测试硅片的氧化膜厚度的算术平均值或加权平均值。6.一种退火炉温度计校准装置，其特征在于，包括：确...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘晓鹏，贺鑫，
申请(专利权)人：西安奕斯伟硅片技术有限公司，
类型：发明
国别省市：