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本发明提供了一种退火炉温度计校准方法及装置，属于半导体制造技术领域。退火炉温度计校准方法，包括：确定退火炉的待校准的温度计对应的第一关系曲线，所述第一关系曲线为硅片氧化膜厚度与温度之间的对应关系曲线；获取所述退火炉内、所述待校准的温度计的位...
该专利属于西安奕斯伟硅片技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安奕斯伟硅片技术有限公司授权不得商用。

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