一种单晶炉及二次加料方法技术

本公开提供一种单晶炉及二次加料方法，所述单晶炉包括：炉体，其包括炉室；及至少一组挡块机构，每组所述挡块机构包括挡块及升降单元，所述挡块设置在所述炉室的内周壁上，且所述挡块连接至所述升降单元上，并在所述升降单元驱动下能够沿所述炉室轴向移动。本公开实施例提供了一种单晶炉及二次加料方法，能够在加料管的加料过程中灵活调整加料管的高度。料管的加料过程中灵活调整加料管的高度。料管的加料过程中灵活调整加料管的高度。

【技术实现步骤摘要】
一种单晶炉及二次加料方法


[0001]本专利技术涉及拉晶
，尤其涉及一种单晶炉及二次加料方法。

技术介绍

[0002]单晶炉是生产单晶硅棒的专业设备。传统生产过程中，多晶硅原料一次性装入石英坩埚内熔化进行生产。单晶硅棒的有效质量受最大投料量限制，最大投料量是由石英坩埚的尺寸决定的，石英坩埚装满的块状硅料重量，即为最大投料量。在硅料熔化过程中，块状固体硅变成液体，料块间缝隙所占用的空间得到释放，一次性投料不能做到足量投料，在一定程度上减少了最大投料量，坩埚利用率不高。因此，二次加料技术得到广泛应用，可提高坩埚利用率，降低成本。
[0003]在相关技术中，广泛使用一种典型二次加料系统通过加料管实现。加料管主要由导向装置、管体、中心钼杆和锥形底座组成；中心钼杆顶部可与单晶炉提拉头连接，底部通过螺丝与锥形底座连接，中心钼杆穿过管体与导向装置，管体底部与锥形底座闭合便形成可储存硅料的空间。加料管需要借助单晶炉内相应位置的挡块进行定位与限位，然后降落提拉头，锥形底座与管体逐渐分离，硅料落下，实现加料。
[0004]但是，常规的加料方式本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单晶炉，其特征在于，包括：炉体，其包括炉室；及至少一组挡块机构，每组所述挡块机构包括挡块及升降单元，所述挡块设置在所述炉室的内周壁上，且所述挡块连接至所述升降单元上，并在所述升降单元驱动下能够沿所述炉室轴向移动。2.根据权利要求1所述的单晶炉，其特征在于，所述挡块机构至少有两组，至少两组所述挡块机构沿所述炉室的内周壁周向分布。3.根据权利要求1所述的单晶炉，其特征在于，所述炉室的内周壁上设有沿所述炉室轴向延伸的滑槽，所述炉室的侧壁内部还设有与所述滑槽相通的安装腔，所述炉室侧壁上还设有径向贯通所述安装腔及所述炉室的外周壁的径向通道；其中，所述升降单元包括传动组件和驱动组件，所述挡块对应所述滑槽设置，所述驱动组件至少部分暴露至所述炉室外、且经由所述径向通道连接至所述传动组件，所述传动组件安装至所述安装腔内、且经由所述滑槽连接所述挡块，所述驱动组件通过所述传动组件驱动所述挡块沿所述炉室轴向移动。4.根据权利要求3所述的单晶炉，其特征在于，所述传动组件包括丝杠组，所述丝杠组包括：沿所述炉室轴向设置的丝杠，所述丝杠具有沿其自身轴向相对的第一端和第二端；及滑块，所述滑块连接至所述丝杠上，且能够随所述丝杠旋转而沿所述丝杠运动；其中，所述驱动组件直接或间接连接至所述丝杠上以驱动所述丝杠旋转，所述挡块连接至所述滑块上以与所述滑块同步运动。5.根据权利要求4所述的单晶炉，其特征在于，所述驱动组件包括转轴和驱动件，所述转轴沿所述炉室径向延伸且穿设于所述径向通道内，所述转轴具有沿其自身轴向相对的第三端和第四端，...

【专利技术属性】
技术研发人员：余崇江，
申请(专利权)人：西安奕斯伟硅片技术有限公司，
类型：发明
国别省市：