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本公开提供一种单晶炉及二次加料方法，所述单晶炉包括：炉体，其包括炉室；及至少一组挡块机构，每组所述挡块机构包括挡块及升降单元，所述挡块设置在所述炉室的内周壁上，且所述挡块连接至所述升降单元上，并在所述升降单元驱动下能够沿所述炉室轴向移动。本...
该专利属于西安奕斯伟硅片技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安奕斯伟硅片技术有限公司授权不得商用。

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