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先进微装置公司专利技术
先进微装置公司共有613项专利
用于具有多重图形子系统、减少的功率消耗模式的计算装置的驱动程序架构、软件和方法制造方法及图纸
现今许多的计算装置也许包含二个或更多个图形子系统。多重图形子系统可以具有不同的能力,并且可以例如消耗不同数量的电力,因为一个子系统较其它的子系统消耗更多的平均功率。较高的功率消耗图形子系统可以耦接到装置,并且此外可以用来取代较低的功率消...
具有包括银的互连的半导体结构及其形成方法技术
一种形成半导体结构的方法,包括提供半导体衬底,该半导体衬底包括一层介电材料(210)。凹部(recess)设置在该层介电材料中。该凹部系以包括银(216)的材料所填充,并可能通过铑(214)、(217)包覆。
用于在半导体制造期间探测不希望的粒子的存在的方法及系统技术方案
本发明之一个范例实施例为一种用于在半导体制造期间探测平面的光刻目标(planar lithographic object)(譬如半导体晶片(102)或光刻掩模(202))与卡盘(chuck)(104)之间不希望的粒子(122)的存在的方...
包含设计用于无铝焊块连接的管芯区的半导体器件以及设计用于无铝引线键合的测试结构制造技术
于包含铜基(copper-based)金属化系统之精密半导体器件(200)中,根据造成相等最终介电层(identical?final?dielectric?1ayer)堆栈(203)于下述器件区域中之制造技术,能于器件区(250D)中形...
应力增强的MOS晶体管及其制造方法技术
本发明提供一种应力增强的MOS晶体管(30)及其制造方法。于一个实施例中,该方法包括形成栅极电极(62),该栅极电极覆盖和界定于单晶半导体衬底(38)中的沟道区(68)。具有面对该沟道区之侧表面(78、80)之沟槽(72、74)被蚀刻入...
用于片上装置管理的已知优良程序代码制造方法及图纸
在一实施例中,处理器包含可编程的对映表及电路。可编程的对映表是配置成用来储存数据,该数据可识别出至少一个指令,对于该指令处理器执行的指令集架构修改还没有定义,其中处理器未执行修改。该电路配置成用来侦测指令或其内存的操作数,并且引发转移至...
包含高速串联缓冲器的存储器系统技术方案
一种存储器系统,包含一个或多个存储器单元,各该存储器单元包含一个或多个存储器装置与并行互连(parallelinterconnect)。该系统亦包含存储器控制器,该存储器控制器可控制该存储器控制器与所述存储器单元之间的数据传输(data...
静电放电保护器件以及用于保护半导体器件不受静电放电事件损害的方法技术
本发明提供用于保护半导体器件不受静电放电事件损害的器件及方法。一种静电放电保护器件(100)包括硅衬底(104)、设置于该硅衬底内的P↑[+]型阳极区(116)、以及与该P↑[+]型阳极区串联而设置于该硅衬底内的第一N阱器件区(120)...
具有增大的EUV光透光率的EUV膜结构制造技术
依照一个例示实施例,一种用来保护光刻掩膜(lithographicmask)(104)的超紫外线(extreme ultraviolet,EUV)膜结构(pellicle)(106)包含气凝胶(aerogel)膜(122)。所述膜结构复...
用于实行用于量测资料的通用坐标系统的方法及设备技术方案
一种方法包含接收量测报告(metrology report)(260),该量测报告包含由量测工具(210)所收集的量测数据、关联于该量测数据的位置数据、和关联于该量测工具(210)的背景数据(context data)。由该量测工具(2...
包括具有用于产生拉伸及压缩应变的嵌入SI/GE材料的NMOS及PMOS晶体管的半导体器件制造技术
通过于一个主动区(active region)(105A,205A,305A,405A)中形成实质连续的和均匀的半导体合金(107,207,307,407),同时于第二个主动区(105B,205B,305B,405B)中图案化该半导体合...
不具有端部铝金属层的金属化层堆栈制造技术
本发明通过直接形成凸块底部金属化层(underbumpmetallization layer)(211)在最后(last)金属化层的接触区(202A)上,可避免形成任何其它的端部金属(terminal metal),例如铝,及对应的黏着...
包含双模式存储器互连的存储器控制器制造技术
一种包含双模式存储器互连(dual-mode memory interconnect)之存储器控制器,系包括包含多个输入缓冲区(input buffer)及多个输出驱动器(output driver)之输入/输出(input/outpu...
形成包括具有受应力的信道区的场效晶体管的半导体结构的方法技术
一种形成半导体结构的方法,包括提供半导体衬底,该半导体衬底包括第一晶体管元件及第二晶体管元件。该第一晶体管元件包括至少一个第一非结晶区(amorphous region),而该第二晶体管元件包括至少一个第二非结晶区。应力产生层系形成于该...
用于控制高速双向通讯之系统技术方案
一种用于控制高速双向通讯之系统,包含例如存储器装置的从装置,例如,该从装置连接于譬如存储器控制器之主装置。主装置可配置为控制该主装置和该从装置之间的数据传输。主装置可配置为提供一个或多个时钟信号至从装置,且于初始化(initializa...
受应力的场效晶体管以及其制造方法技术
本发明提供一种受应力的场效晶体管(40)以及其制造方法。该场效晶体管(40)包括硅衬底(44),在该硅衬底上覆有栅极绝缘体(54)。栅电极(62)覆于该栅极绝缘体上,并且确定信道区域(68)于该栅电极之下方的该硅衬底中。具有第一厚度的第...
图形流水线的有效状态管理制造技术
本发明提供一种复杂ASIC的有效状态管理系统及其应用。在一实施例中,基于计算机的系统执行依赖状态进程。该基于计算机的系统包括命令处理器(CP)以及多个处理模块。该命令处理器接收命令流内的命令,并管理响应于该命令流内的全局背景事件的全局状...
用于实施锁定操作的系统及方法技术方案
本发明提出一种机构,用来在处理单元中实施锁定操作。调度单元调度包含锁定指令与多个非锁定指令的数个指令。在该锁定指令之前及之后,可调度一个或多个非锁定指令。执行单元执行包含锁定与非锁定指令的多个指令。引退单元在锁定指令执行后,引退该锁定指...
具有推迟配置的连接管理器制造技术
本发明提供一种用于配置移动式装置(110)的方法,该移动式装置包含多个通信接口(225)。选择所述通信接口(225)中的第一通信接口以建立至第一远程网络(120)的初始连接。询问该移动式装置(110)的使用者相关于所选择的第一通信接口(...
具有改善尺寸可缩放性的金属镶嵌式金属-绝缘体-金属器件制造技术
一种制造内存器件的方法,包含下列步骤:设置介电层(110);于该介电层(110)中设置开口(112);于该开口(112)中设置第一导电主体(116A);于该开口中设置切换主体(118A),该第一导电主体(116A)和切换主体(118A)...
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