本发明系提供一种用于制造存储装置的方法，包括：提供半导体基板（５０５），该半导体基板包含：具有第一导电类型的第一阱区（５３２）、具有第一导电类型的第二阱区（５３４）、覆于该第一阱区（５３２）上的第一栅极结构（５６２、５６６）以及覆于该第...

提供一种存储器单元（４１０），其系包含存取晶体管（４７０）与门控横向闸流管（ＧＬＴ）器件（４６０）。该存取晶体管（４７０）包含源极节点（４７４）。该门控横向闸流管（ＧＬＴ）器件（４６０）包含与该存取晶体管（４７０）之该源极节点（４７４）...

本发明提供一种可操作于三种不同模式的处理器。于主动模式中，提供第一电压给该处理器，其中该第一电压足以容许该处理器执行指令（４０２）。于低功率模式中，提供保持电压（ｒｅｔｅｎｔｉｏｎ？ｖｏｌｔａｇｅ）给该处理器（４０８）。相较于在主动模式...

一种用来于非错误更正码（ＥＣＣ）兼容组件中执行错误更正码检查的方法和装置。本方法包含接收逻辑地址，其中该逻辑地址映对至存储器的第一和第二物理地址。存储器的第一和第二物理地址对应于分别储存数据和相应ＥＣＣ的存储器位置。本方法复包括转译逻辑...

藉由例如局部调适在个别晶体管（２１０、２１０Ａ、２１０Ｂ）内接触结构（２３０Ａ、２３０Ｂ）的尺寸和／或密度，或者以更总体的方式，可以增加先进半导体装置（２００）的总性能。因此，该接触结构（２３０Ａ、２３０Ｂ）与局部装置特性之间的彼此互动...

一种运作处理器（１００）的技术，包括决定处理器的浮点单元（ＦＰＵ）（１２０）是要运作在全位模式（ｆｕｌｌ－ｂｉｔ?ｍｏｄｅ）或是在减少的位模式（ｒｅｄｕｃｅｄ－ｂｉｔ?ｍｏｄｅ）中。当指示为全位模式时，指令被提取且指令被译码成为单一运算...

描述了一种与图形处理器电路一起使用的动态泄露控制电路的实施例。该动态泄露控制电路选择性地在特定工作模式期间启用包括该图形处理器电路的晶体管的反向偏置。通过两个单独的电源轨来控制反向偏置电平。第一电源轨耦合到现有的电源而第二电源轨耦合到单...

本发明提供一种应变强化型半导体器件（３０）及用于该半导体器件制作的方法。一种方法，包括嵌入应变引发（ｓｔｒａｉｎ？ｉｎｄｕｃｉｎｇ）半导体材料（１０２、１０６）于该器件的源极区（１０３、１０７）及漏极区（１０５、１０９）中来引发器件沟道...

于图案化具有不同类型之本质应力之受应力层的期间，能够通过根据指示蚀刻率及个别蚀刻工艺（２０５）之效能的光学测量数据（２８１）的受控蚀刻（２０５），而大幅减少介于第一及第二介电层（２３０、２４０）间之二氧化硅基底的蚀刻指针材料之沉积的影响...

在一个实施例中，本发明系揭露一种包括指令缓冲器（ｉｎｓｔｒｕｃｔｉｏｎ？ｂｕｆｆｅｒ）（２０）以及选取单元（ｐｉｃｋ？ｕｎｉｔ）（２６）之处理器（１０）。该指令缓冲器（２０）被连接用来接收从指令缓存（ｉｎｓｔｒｕｃｔｉｏｎ？ｃａｃｈｅ）...

根据经过适当设计之制造流程而形成用于ＳＯＩ器件（２００、３００）中之衬底二极管，其中可在实质上不会影响到二极管特性之情形下实施晶体管效能增强机制。在一面向中，可在形成了用来界定漏极及源极区（２３７、３３７）的对应的侧壁间隔件结构（２３６...

通过以自限制程顺序来形成氮化铝层（１０６），可显著增强铜基金属化层的界面特性同时仍然保持层堆栈（ｌａｙｅｒ　ｓｔａｃｋ）的总介电系数（ｐｅｒｍｉｔｔｉｖｉｔｙ）于较低位准。

本发明提供一种用于在晶体管中形成含硅／锗的漏极／源极区域以减少硅／锗损失的方法。通过在高锗浓度之硅／锗材料上设置保护层，可明显降低或甚至完全避免应变半导体材料之对应损失。该保护层可在关键清洗制程前形成且可维持直到金属硅化物区域的形成。因...

本发明公开了一种具有减少的栅极氧化物泄漏的取代金属栅极晶体管，通过在栅极氧化物层与金属栅极电极之间形成保护层来达成用于取代金属栅极晶体管的具有减少的泄漏的薄而有效的栅极氧化物厚度，因而减少应力。实施例包括形成含有金属碳化物的非晶形碳的保...

在本发明的系统与方法中，源自垫调节系统的驱动组件的传感信号，例如电机电流信号，被用来估计化学机械研磨（ＣＭＰ）系统内的一个或更多的消耗品（１１３）的状态。

本发明提供一种用于球栅阵列封装件的具有改进旁通去耦的印刷电路板组件。于一个实施例中，电容器（１０３）可插置在ＢＧＡ封装件（１１０）和在接触垫（１０５）的周边内的ＰＣＢ（１０１）之间，该接触垫（１０５）形成ＢＧＡ足迹（１０２）。电容器（１...

一半导体装置（４００），包括一外框（１１０）、由该外框（１１０）所支撑的半导体芯片、至少一个接点垫（４２０）和多个外部接点，该多个外部接点是从该外框延伸并连接至该半导体芯片。本发明还关于一电路装配体，包括一印制电路板、一半导体装置和一插...

本发明提供一种包括贯穿连接之高频多层印刷电路板，该贯穿连接具有围绕着该贯穿连接且能够调整该贯穿连接的特性阻抗至所希望之值的阻抗调适结构。因此，可使高频讯号经过印刷电路板而减少讯号变形。该高频多层印刷电路板可应用于达ＧＨｚ范围之高频讯号。

藉由以干式刻蚀工艺（１１１）为基础图案化凸块下金属化层（ｕｎｄｅｒｂｕｍｐ　　ｍｅｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ　　ｌａｙｅｒ）堆栈（１０５），与涉及高度复杂的湿式化学刻蚀工艺之传统技术相比可达到显著的优点。在特定的具体例中，凸块下金属化层堆栈...

本发明提供一种通讯系统，包含有实体层硬件单元和处理单元。实体层硬件单元适用于依据所指定的传输参数而透过通讯频道传送数据。实体层硬件单元适用于透过通讯频道接收输入讯号且取样输入讯号以便产生所接收到数字式讯号。处理单元适用于在标准操作模式下...