提供一种用于制造集成电路的方法，该集成电路包含由层间电介质（ｉｎｔｅｒｌａｙｅｒ?ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）（７５）分别覆盖的短沟道（ｓｈｏｒｔ?ｃｈａｎｎｅｌ；ＳＣ）器件（１６）和长沟道（ｌｏｎｇ?ｃｈａｎｎｅｌ；ＬＣ）器件（１８）。该Ｓ...

本发明提供一种凹陷的晶体管配置，可选择性地提供一种类型之晶体管（１５０Ｂ）（例如Ｎ沟道晶体管），因此提升应变诱发效率与串联电阻，同时可于其它晶体管（１５０Ａ）（例如Ｐ沟道晶体管）设置实质上平面配置或提高的漏极与源极配置，该其它晶体管也可...

本发明提供一种安全启动处理，可基于属于中央处理单元（１００）之不可或缺部分的非易失性存储器（１０３）而达成，且一旦于预启动信息被程序化于非易失性存储器（１０３）中之后，该非易失性存储器即无法任意更改。在重启事件或开机事件的期间，可从该内...

本发明提供一种当第一处理器在操作的睡眠模式时用以优化计算机性能的设备、方法和系统。例如，于该设备的实施例中，该设备包括第一处理器、第二处理器（在此亦可称为“睡眠”处理器）、和一个或多个外围装置。在操作的活动模式期间，该第一处理器与该外围...

本发明提供一种使用冗余着色器开关（ＲＳＳ）进行着色器数据修复的方法及装置。ＲＳＳ由输入及输出区段组成，藉以在侦测到损坏的着色器管线时，ＲＳＳ将预设于损坏着色器管线的着色器管线数据多任务至用于处理的冗余着色器管线阵列。在处理时，着色器管线...

本发明揭露一种图形处理单元，该图形处理单元具有处理器，该处理器具有一个或多个ＳＩＭＤ处理单元，以及对应该一个或多个ＳＩＭＤ处理单元之一的本地数据共享，该本地数据共享包括供分配至一个或多个执行波阵面（ｗａｖｅｆｒｏｎｔ）的各线程群组的一个...

本发明揭露提供镶嵌化基元数据至几何着色器的系统、方法及计算机程序产品。该方法包含：基于原顶点组及原连结数据组，计算镶嵌化顶点组及经计算连结数据组；基于该原顶点组及该镶嵌化顶点组，产生经计算顶点数据；接收该经计算连结数据组；基于该经计算连...

一种着色管纹理滤波器，其系使用第一阶缓存系统作为主要的储存方法，然而在有必要时能够叫第一阶缓存系统读写第二阶缓存系统。该第一阶缓存系统系经由宽信道内存总线来与该第二阶缓存系统通讯。此外，可将该第一阶缓存系统组态成可支持两个着色管纹理滤波...

一种可扩展及整合的计算系统系执行可扩展、可修复的泛用及图形着色操作，内存加载／储存操作，以及纹理滤波。一种可扩展及整合之计算单元模块系包含着色管阵列、纹理映像单元、以及第一阶纹理缓存系统。该可扩展及整合之计算单元模块接收来自着色程序的Ａ...

一种系统和方法，可使存储装置响应其输入或操作环境中的变化而进行自调整或重训练。该存储装置，例如ＤＲＡＭ，包括位于其接口中的嵌入式可编程元件。该可编程元件可为，例如但不限于，微处理器、微控制器或微序列器。可编程元件经编程以响应该存储装置的...

一种数字版权管理系统，包含认证模块以及解密模块。若有需要，该些模块可在相分离的集成电路中予以实现。该认证模块针对受保护的内容检索认证信息并在检索到该认证信息后掉电。该解密模块在该认证模块掉电后，依据该认证信息将受保护的内容予以解密。

本发明提供用于薄ＳＯＩ整合的ＭＯＳ晶体管（１００）及此种ＭＯＳ晶体管的制造方法。一个范例方法包含以下步骤：提供覆盖在埋植绝缘层（１０４）上的硅层（１０６）以及外延生长覆盖在该硅层上的含硅材料层（１０８）。在该含硅材料层内蚀刻沟槽（１１２...

本发明系提供一种可操作在不同电源模式中的处理器（１０５）。在主动电源模式中，该处理器执行软件（３０３）。响应于收到来自该软件的暂停指示（３０４），在处理器里的硬件就为该处理器评估总线事务（３０６）。如果该总线事务满足试探（３０７），则硬...

本发明系使用间隔件微影蚀刻技术以在目标层（１１）准确且有效地形成超细微尺寸，其包含形成第一屏蔽图案（１０），在该第一屏蔽图案（１０）上形成可交联层（２０），在该第一屏蔽图案（２０）和该可交联层（２０）之间形成交联间隔件（３０、３１），去...

本发明提供一种制作半导体器件（１５０）的方法。第一栅极电极（１６０）跟第二栅极电极（１６２）系形成在硅衬底（１０４）的第一部分（１１４）上。第一导电率类型离子系注入该硅衬底（１０４）的第二部分（１１６）中，以定义该硅衬底（１０４）内的第...

通过根据间隔件结构而凹陷漏极及源极区的一些部分，用来形成深漏极及源极区之后续注入工艺可造成向下延伸到ＳＯＩ晶体管的埋入绝缘层之适度高掺杂剂浓度。此外，该间隔件结构使显著量的应变半导体合金维持其原始的厚度，因而提供了有效率的应变诱发机构。...

去除通过ＳＡＣＶＤ沉积的层间介电材料（２０７，３０７）的过量材料，可利用此沉积技术之间隙填充能力，然而，另一方面，可减少对此材料的负面影响。于另一态样，以ＳＡＣＶＤ方式沉积层间介电材料（２０７，３０７）以前，可形成一种缓冲材料（３６０）...

本发明系于曝光工具中的光学元件的碳污染可藉由加入碳氢化合物收集器而最小化。实施例包含超紫外线（ｅｘｔｒｅｍｅ?ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ，ＥＵＶ）微影工具，该微影工具设有包含基板（１０、１１）与高能量源（诸如，电子枪或独立ＥＵＶ源）之至少一...

一种处理器，包括含有１阶高速缓存和更高阶高速缓存的高速缓存层次结构。该处理器映射部分的物理存储器空间到部分的该更高阶高速缓存、执行指令，至少一些该指令包括微码，允许微码来存取该更高阶高速缓存的该部分、与防止不包括微码的指令来存取该更高阶...

一种系统（３００）包括主控处理器（３０１）及至少一个从属处理器（３２１、３３１）。该主控处理器（３０１）的状态包括第一多个变量，且该从属处理器（３２１、３３１）的状态包括第二多个变量。该系统（３００）包括由该主控处理器（３０１）及该从属...