用于微影曝光工具的碳氢化合物收集器制造技术

本发明专利技术系于曝光工具中的光学元件的碳污染可藉由加入碳氢化合物收集器而最小化。实施例包含超紫外线（ｅｘｔｒｅｍｅ?ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ，ＥＵＶ）微影工具，该微影工具设有包含基板（１０、１１）与高能量源（诸如，电子枪或独立ＥＵＶ源）之至少一个碳氢化合物收集器，该高能量源放置以集中具有足够能量的能量束于基板（１０、１１）上，以破坏重碳氢化合物且形成碳。实施例亦包含曝光工具，该曝光工具备有包括能量源的碳氢化合物收集器，该能量源放置以照射能量束于石英晶体厚度监视器（１０、１１）、残余气体分析器及控制器上，以控制电子流且将该系统中碳氢化合物的量维持在预定的低程度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术系关于有效制造具有精确超细(accurate ultrafine)之设计特征的半导 体装置。本专利技术特别地适用于藉由最小化停工时间(downtime)而有效使用的微影曝光装 置(诸如，超紫外线(extreme ultraviolet, EUV)微影装置)。
技术介绍
半导体装置特征的尺寸不断地挑战习知制造能力的深度亚微米(sub-micron)范 围。当关键尺寸縮小时，想要以具有高制造生产量的有效率方法达成高尺寸准确度变得 更加困难。最小的特征尺寸系取决于特定微影系统的化学与光学的限制以及失真的公差 (tolerance)。除了习知微影技术的限制外，当尺寸縮小且内存容量增加时，制造成本增加， 因此需要针对工具的有效使用以及高制造生产量的处理来发展。于今日竞争的市场中，至 少需要70%的产量才能获利。 近来有提出使用较短波长辐射(例如，大约3至20nm)的方法。这种辐射通常称 为EUV或软性X射线。来源包括，例如，雷射产生(laser-produced)的电桨源、放电电桨源 或来自电子储存环(electronstorage rings)的同步(synchrotron)幅射本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微影曝光装置，包括碳氢化合物收集器。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：OR伍德三世，
申请(专利权)人：先进微装置公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]