本发明揭露将图形存储器(亦称作视频存储器212)用于非图形相关任务的方法及装置。在一实施例中，图形处理单元(GPU302)包括VRAM缓存模块(204)，其具有硬件和软件，以为中央处理单元(CPU)提供并管理额外的缓存资源。在一实施例中...

在形成复合金属化系统的过程中，可在含铜的金属区域(122A)上形成传导覆盖层(122C)，用来强化电迁移作用而不会负面影响整体的传导性。同时，可进行热化学处理，提供敏感介电材料(121)的超表面条件以及也抑制碳消耗，所述碳消耗在习知技艺...

在晶体管中，通过提供随后填入应变引发半导体合金（例如，硅／锗、硅／碳及其类似物）的逐渐成形空腔，可安置极接近沟道区的应变引发半导体合金。为此目的，可使用两个或更多有不同蚀刻性能的“用完即弃型”间隔组件以便定义对应空腔在不同的深度有不同的...

在半导体装置的金属化系统中，可通过修改对应蚀刻顺序来提供具有锥形程度增加的转变贯孔。举例来说，可一次或多次腐蚀用以形成该贯孔开口的阻剂掩膜，以增加对应掩膜开口的横向尺寸。由于显著的锥形程度，在用以共同填充该贯孔开口与连接该贯孔开口的宽沟...

在复杂半导体器件中，可基于非对称阱注入获得非对称晶体管组态，同时避免倾斜注入工艺。为此目的，可形成梯度注入掩模，例如梯度抗蚀剂掩模，该掩模在该非对称晶体管的漏极侧可具有比源极侧高的离子阻挡能力。例如，可基于具有高度性能增益的非倾斜注入工...

方法与设备侦测视频流中锁码状态改变的存在，例如视频流中的预告。所述方法与设备发出通知信息，例如通过虚拟用户接口，用声音或任何其它合适的方法，基于所述视频信息的锁码状态改变的侦测，通知例如观看是频信息付费的新内容可得或不可得。提供互动或自...

实施方式包括一种在并行处理系统执行的运动估计方法，其为视频影像的宏块确定几个候选运动矢量的列表，并在多个运算传递（ｃｏｍｐｕｔａｔｉｏｎ　ｐａｓｓｅｓ）之中保持。所有候选运动矢量被使用为潜在的邻近的预测，以致于差异矢量的最佳组合上升到候...

在增强沉积均匀性的基础上，为晶体管的一类型可选择性提供阈值调整半导体材料，如硅／锗合金。为此目的，可沉积半导体合金在任何晶体管的有源区，随后可在高度可控的图案化模式的基础上图案化。因此，可降低阈值变异。

本发明是关于通过时钟占空比调整的半导体器件的性能退化的补偿。通过适当地调整时钟信号的占空比可补偿集成电路的器件退化。为此目的，在器件的正常实际工作时，可建立及使用占空比和集成电路的整体性能特性之间的相关性，以改变占空比。因为可以有效控制...

本发明提供一种用于将多载波接收器同步化以接收传输信号的方法。该方法包括于接收的符号序列中决定一个或多个散射引示载波的位置并根据单一拟随机二元序列调变该散射引示载波。该方法亦通过该调变的散射引示载波执行相位错误修正。

提供一种方法进行正交分频复用（Ｏｒｔｈｏｇｏｎａｌ　Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ　Ｄｉｖｉｓｉｏｎ　Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｅｄ，简称ＯＦＤＭ）信号的信道估计。基于预留音调信道载波的使用，该方法包括执行信道估计。并且，提供一种用以降低多载波调制信号之峰...

如本文所述的本发明具体实施例针对上述习知方法的问题提出解决方案。在以下的说明中，给出各种范例用来图解说明，而非旨在限制。具体实施例均针对一种利用多个中央处理单元（ＣＰＵ）核心及／或一个或多个图形处理单元（ＧＰＵ）来分担视频转码的工作量的...

本发明揭露一种经由本地网络在与显示器件互连的多个器件之间分布音频和视频处理任务的方法。在一个实施例中，该显示器件将一些处理任务卸载至该本地网络上的计算器件以实现处理性能的提升。该计算器件接收视听数据、解码、处理、编码并以适当的数据格式向...

本申请揭露多处理器架构与方法的实施例。实施例提供替换使用外部桥集成电路（ＩＣ）架构。例如，一实施例多任务周边总线，因而多个处理器可使用一个周边接口槽而不需要外部桥ＩＣ。实施例可使用已知的总线协议。

应变诱导半导体合金可基于具有非矩形形状的开口形成，通过提供适当的保护层例如二氧化硅材料，即使在相应的高温处理期间也可保持该非矩形形状，从而降低该应变诱导半导体材料的横向偏移，同时在该开口蚀刻制程期间仍使相应的偏移侧间隙壁具有足够的厚度，...

本发明藉由于半导体装置中设置一种热电元件（如贝尔蒂元件）来增加整体热管理。于一些说明实施例中，可于堆叠晶片组构中使用对应的主动冷却／加热系统，以于温度关键电路部份及该堆叠晶片组构的散热器之间建立有效率的热传导路径。

在精密的半导体器件的金属化系统中，可设置金属柱２７１，以便增进分散施加在其上的任何机械性应力的效率。此目的可通过显着地增加最终钝化层２６０与金属柱紧密机械性接触的表面积，例如通过设置与金属柱２７１和最终钝化层２６０接触的额外应力分布元件...

在形成复杂的晶体管元件的制造工艺中，可减少栅极的高度，也可在各自的金属硅化物区域形成之前，在共同的蚀刻序列得到漏极和源极配置。因为在蚀刻序列时，相应的侧壁间隔结构可维持，因此可控性和栅电极内的硅化处理的统一性可加强，从而得到减少程度的阈...

在应变ＳＯＩ（ｓｉｌｉｃｏｎ　ｏｎ　ｉｎｓｕｌａｔｏｒ；绝缘体上硅）半导体层中，可选择适当降低工作区的目标高度以减少通常发生于沟槽隔离结构图案化期间的应力松弛，从而使晶体管元件能够形成于该高度降低之工作区上，其中，该工作区仍可包括大部分...

在先进金属化系统的制造期间，可在去除多余金属的ＣＭＰ（化学机械抛光）工艺中部分保留形成在敏感介电材料上的介电覆盖层，从而避免如传统方法须在该ＣＭＰ工艺期间实质上完全消耗该介电覆盖材料后沉积专用的蚀刻停止材料。因而，可实现降低的工艺复杂度...