提供用于控制第一及第二缓存的方法及装置。接收在该第一缓存中的一缓存项目，以及识别该项目具有未接触状态。之后，回应接收对于该缓存项目的至少一部分的一请求而更新该缓存项目的状态为已存取，以及随后根据一预选缓存列置换算法，逐出该缓存项目。根据...

一种译码视频数据的方法，包含：接收块变换处理的视频数据的至少一个第一宏块；平滑和解块该宏块内的被选择的像素数据以产生至少一个第一部分过滤的块和至少一个第一完成的块；以及在第二宏块内存储用于平滑和解块被选择的像素数据的该第一部分过滤的块。...

一种装置包括定义通讯数据用的数据总线的多个数据线。控制器可操作来通讯使用多个数据时隙的数据总线上的多个数据传输，其中，对于数据时隙的至少一子集，控制器可操作来指示在关联的数据时隙期间通讯的位被反转的关联的数据总线反转指标，数据传输的子集...

本发明揭示一种用于计算机处理器(102)的装置及方法，该计算机处理器配置成存取由多个处理核心共享的存储器(140)，以及在交易模式下执行当作单一原子交易的多个存储器存取操作，以及回应隐性暂停状况的判断，例如程序控制转移，而暂停该交易模式...

一种校准存储器装置中的写入时序的方法及系统。举例而言，方法能包含接收数据讯号、写入时脉讯号及参考讯号。方法亦能包含侦测参考讯号随着时间的推移的相位位移。参考讯号的相位位移能用来校准数据讯号及写入时脉讯号间的相位差，其中，存储器装置基于校...

一种包括多个虚拟引擎以及着色器核心的处理单元。该多个虚拟引擎组构成用以(i)接收来自操作系统(operation?system，OS)的实质上彼此平行的多个工作，以及(ii)加载关联于该多个工作的每一个的状态数据集。该着色器核心组构成基...

一种处理器包含第一着色器引擎及第二着色器引擎。所述第一着色器引擎建构成处理用于即将显示于显示装置上的像素的第一子集的像素着色器。所述第二着色器引擎建构成处理用于即将显示于所述显示装置上的像素的第二子集的像素着色器。所述第一及第二着色器引...

本发明揭露一种具有一般目的使用的内部存储器的图形处理单元(GPU)与其应用。此GPU包括第一内部存储器、耦接至该第一内部存储器的执行单元以及配置以耦接该第一内部存储器至其它处理单元的第二内部存储器的接口。该第一内部存储器可包括堆栈动态随...

本发明揭露一种在第二处理器例如GPU上排程并执行由第一处理器例如CPU发出之命令的装置及方法。在一实施例中，在图形处理单元(Graphics?Processing?Unit；GPU)上执行处理的方法包括监控存储器中的一个或多个缓冲区，基...

本发明提供一种管理资源的方法。该方法包括回应于即将发生的过渡而识别与处理器关联的资源，并从与GPU关联的存储器复制已识别的资源或复制已识别的资源到与GPU关联的存储器。

提供一种操作装置的方法。该方法包括回应于第一已接收的信号而过渡GPU到实质上禁用状态，和当GPU是在实质上禁用状态中时，回应于第二已接收的信号而产生回应信号。回应信号与若GPU是在有电状态中回应于第二已接收信号而产生的第二回应信号实质上...

本发明揭露执行图形处理的方法、装置以及系统。在此方面，处理单元包括曲面细分模块以及连接模块。该曲面细分模块组构成连续曲面细分几何形状的多个部分，从而为该几何形状提供一系列曲面细分点。该连接模块组构成按该系列曲面细分点的提供顺序，将一组或...

本申请案揭露处理系统。所述处理系统包含第一处理单元耦合至第一内存，以及第二处理单元耦合至第二内存。所述第二内存包括同调内存与所述第二处理单元私用的私用内存。

本申请案揭露基于错误侦测功能的结果，调整内存装置中写入时序的方法、系统与计算器程序产物。例如，所述方法可包含基于所述错误侦测功能的结果，决定数据总线上的信号与写入时钟信号之间的写入时序窗。所述方法也可包含基于所述写入时序窗，调整所述数据...

本申请案揭露用于有效率读取处理单元的区域内存的系统、设备与方法。在实施例中，处理单元包含接口与缓冲器。所述接口用于(i)传送请求另一处理单元的区域内存的区段中的一部分数据，以及(ii)响应所述请求，接收来自所述区段的所有数据。所述缓冲器...

一种用以在处理核心上执行处理逻辑的复数资料并行线程的方法，包含将该复数资料并行线程群集成一个或更多工作群组，使来自该一个或更多工作群组的第一个工作群组关联于在该处理器核心上的操作系统线程，以及将来自该第一工作群组的线程配置成该操作系统线...

在复杂半导体器件的金属化系统中，可以钉状组态来形成金属支柱(271)，例如铜支柱，以便减少作用于该金属化系统的最大机械应力，同时提供连接至封装基板的必要接触面。基于经适当组态的抗蚀剂掩膜，可得到该钉状组态。

在执行选择性外延生长工艺之前，可通过执行等离子体辅助蚀刻工艺，提高用于沉积阈值调整半导体合金(如硅/锗合金)的选择性外延生长工艺的生长率。例如，等离子体辅助蚀刻工艺的基础上可图案化掩膜层，从而同时在随后的生长工艺期间提供优良的器件构形。...

可基于原位(in-situ)掺杂的应变诱导半导体合金获得晶体管的掺杂分布，其中，可沿高度方向建立梯度掺杂浓度。因此，该半导体合金可邻近沟道区设置，以提升总体的应变诱导效率，同时不会过分影响最终获得的掺杂分布。而且，可在选择性生长该半导体...

用以下方式可大幅简化在虚拟机环境中的原生方法的部署：加入对应原生代码段于应用档案，例如，JAVA类别档案，以及使用嵌入原生代码段于对应类别档案的库绑定操作。