形成包括具有受应力的信道区的场效晶体管的半导体结构的方法技术

一种形成半导体结构的方法，包括提供半导体衬底，该半导体衬底包括第一晶体管元件及第二晶体管元件。该第一晶体管元件包括至少一个第一非结晶区（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ　ｒｅｇｉｏｎ），而该第二晶体管元件包括至少一个第二非结晶区。应力产生层系形成于该第一晶体管元件之上，该应力产生层并未覆盖该第二晶体管元件。实施第一退火程序，该第一退火程序用来再结晶化（ｒｅ－ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚｅ）该第一非结晶区及该第二非结晶区。在该第一退火程序后，实施第二退火程序。该应力产生层于该第二退火程序期间保持在该半导体衬底上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术系关于集成电路之形成，且尤系关于包括场效晶体管之半导体结构之形成，该场效晶体管具有受应力之信道区(stressed channel region)。
技术介绍
集成电路包括为数甚多的个别电路元件，例如晶体管、电容器及 电感器。这些元件彼此内部连接，以形成复杂的电路，例如内存装置、 逻辑装置及微处理器。藉由提高每个电路中功能性元件的数目以便增 加功能性元件之功能性、及/或藉由增加电路元件之运作速度，可增进 集成电路的效能。特征尺寸(feature size)之减小，可让相同的面积上得 以形成较多的电路元件，因此可扩展该电路的功能性，也可降低讯号 传递延迟，并因而使电路元件之运作速度的增加变为可能。场效晶体管用来作为集成电路中开关元件(switching element),场 效晶体管可控制流经位于源极区及汲极区间之信道区的电流。该源极 区及该汲极区系被高度掺杂。在N型晶体管中，该源极及汲极区系掺 杂有N型掺杂物，相反地，在P型晶体管中，该源极及汲极区系掺杂 有P型掺杂物。该信道区之掺杂反向(inverse)于该源极区及该汲极区之 掺杂。该信道区之导电率受控于施加至闸电极之闸本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成半导体结构的方法，包括：　提供半导体衬底，该半导体衬底包括第一晶体管元件及第二晶体管元件，该第一晶体管元件包括至少一个第一非结晶区，该第二晶体管元件包括至少一个第二非结晶区；　在该第一晶体管元件之上形成应力产生层，其中， 该应力产生层不覆盖该第二晶体管元件；　实施第一退火程序，该第一退火程序用来再结晶化该第一非结晶区及该第二非结晶区；以及　在实施该第一退火程序后，实施第二退火程序，其中，该应力产生层在该第二退火程序期间保持在该第一晶体管元件之上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：A格林，A魏，A莫里，M拉托尔，
申请(专利权)人：先进微装置公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]