温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种形成半导体结构的方法，包括提供半导体衬底，该半导体衬底包括第一晶体管元件及第二晶体管元件。该第一晶体管元件包括至少一个第一非结晶区（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ　ｒｅｇｉｏｎ），而该第二晶体管元件包括至少一个第二非结晶区。应力产生层系形成于该第一...
该专利属于先进微装置公司所有，仅供学习研究参考，未经过先进微装置公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。