本发明包括在诸如闪存存储器器件之类非易失性存储器器件中使用的浮栅晶体管结构。在一个实施例中，系统包括ＣＰＵ和包括具有存储器单元的阵列的存储器器件，所述存储器单元具有柱状结构和插在结构之间接近结构中之一的浮栅结构。在另一个实施例中，存储器...

揭示了一种用来在半导体部件中形成导电通道的方法。该方法包括提供具有第一表面和相反的第二表面的基片（１１２）。在基片中形成至少一个在第一表面和相反的第二表面之间延伸的孔（１１８）。在限定所述至少一个孔的基片侧壁上形成籽晶层（１２８），镀敷...

一种包含Ｃ＃－［２］Ｈ＃－［ｘ］Ｆ＃－［ｙ］蚀刻剂，其中ｘ是２－５的整数，ｙ是１－４的整数，ｘ＋ｙ等于６。该蚀刻剂能以相对于未掺杂二氧化硅和氮化硅的选择性蚀刻掺杂的二氧化硅。因此，在使用含Ｃ＃－［２］Ｈ＃－［ｘ］Ｆ＃－［ｙ］的蚀刻剂的干...

一种基本同时抛光半导体器件结构的铜导电结构和相邻屏蔽层的方法。该方法包括使用固定磨料抛光垫与基本没有磨料的浆料，在所述浆料中铜的除去速度与除去屏蔽层材料如钨的速度基本相同或快于该速度。配制浆料，使它能以和屏蔽材料基本相同的速度或快于该速...

公开一种改进的干等离子体清洁方法，用来从半导体衬底上的绝缘层中形成的孔中除去固有氧化物、或其他氧化物薄膜或生成的残留物，不会损害衬底或明显影响孔的临界尺寸。首先，将三氟化氮（ＮＦ＃－［３］）、氨（ＮＨ＃－［３］）和氧（Ｏ＃－［２］）的混...

披露了一种具有分段行修复结构的存储器件，它提供了单独位修复的优点，从而有效地使用了存储器件的冗余行。存储器件的行被分成四段，并且通过选择性地禁止缺陷存储单元所处的主要行的仅一个段的字线驱动器并用由冗余匹配电路提供的冗余项信号来使能冗余字...

在绝缘材料内形成的开孔中提供导电材料。该过程包括：首先在至少一部分该开孔和该开孔外的至少一部分绝缘材料上形成导电材料。接着，含金属的填充材料在开孔内部并且也在该开孔外的绝缘材料上的至少一部分导电材料上形成。该含金属的填充材料至少部分地填...

适用于垂直存储器单元的结构和方法。该垂直存储器单元包括从基片（３００）向外延伸的垂直金属氧化物半导体场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）（３０１）。该ＭＯＳＦＥＴ具有第一源极／漏极区域（３０２）、第二源极／漏极区域（３０６）、在第一和第二源极／...

一种设计成每一个Ｆ↑［２］储存至少１比特的存储器元件的阵列，包括提供电子存储器功能的基本垂直的并相隔等于该阵列的最小节距的一半的距离的结构。所述提供电子存储器功能的结构被设计成每一个栅储存多于１比特。该阵列也包括和包括基本垂直结构的存储...

公开一种改进的干等离子体清洁方法，用来从半导体衬底上的绝缘层中形成的孔中除去固有氧化物、或其他氧化物薄膜或生成的残留物，不会损害衬底或明显影响孔的临界尺寸。首先，将三氟化氮（ＮＦ↓［３］）、氨（ＮＨ↓［３］）和氧（Ｏ↓［２］）的混合物注...

在绝缘衬底硅ＣＭＯＳ存储器装置中使用提取器植入区。该提取器区域被反向偏压以便从部分耗尽的存储器单元的体区中去除少数载流子。这使得该体区被完全耗尽而没有不利的浮体效应。

一种氮化物只读存储器（ＮＲＯＭ）单元具有不位于晶体管中央下方的氮化层。具有氮化层的栅绝缘层包括两个部分，这两部分具有各自从结构上限定和隔离的电荷陷阱区。电荷响应晶体管工作的方向被存储在特定陷阱区内。栅绝缘体的两个部分使多晶硅栅结构的外部...

以超薄绝缘体上硅结构实现ＮＲＯＭ闪存单元。在平面器件中，位于源极／漏极（２２０，２２１）区之间的沟道（２００）是通常完全耗尽的。氧化物层（２１０，２１１）提供了源极／漏极区和上层栅极绝缘体层（２０７）之间的绝缘。控制栅极（２３０）形成在...

一分离栅极、垂直ＮＲＯＭ存储单元（１８９０），包括：各自具有形成在柱顶部的源极／漏极区（１８４０、１８４１）的多个氧化柱（１８３０、１８３１）。沟形成在各对氧化柱之间。在一对氧化柱之间的沟内形成有多晶硅控制栅极（１８００）。多晶硅编程栅...

一种多态ＮＡＮＤ存储器单元由基片中的两个漏极／源极区构成。在漏极／源极区之间所述基片之上形成氧化物－氮化物－氧化物结构。氮化物层用作不对称电荷陷获层。控制和栅极位于该氧化物－氮化物－氧化物结构上。漏极／源极区上的不对称偏压使得漏极／源极...

描述了便于在ＮＯＲ或ＮＡＮＤ高密度存储结构中使用垂直ＮＲＯＭ存储单元和选择门电路的ＮＲＯＭ　　ＥＥＰＲＯＭ存储器件和阵列。本发明的存储器实施例利用垂直选择栅和ＮＲＯＭ存储单元来构成ＮＯＲ和ＮＡＮＤ　　ＮＲＯＭ结构存储单元串、段以及阵列。...

配置来存储至少每四Ｆ↑［２］两比特的ＮＲＯＭ闪存元件阵列。分裂垂直沟道沿相邻柱的各个侧产生。单个控制栅极在柱上面且在柱之间的沟槽中形成。分裂沟道可由位于沟槽或围绕沟槽底部的沟道的底部的ｎ＋区域连接。各个栅极绝缘体能存储由于增加的沟道长度...

从可流动的绝缘材料中除去残留碳沉积物的一种方法。可流动的绝缘材料包括硅、碳和氢，且是可流动的氧化物材料或旋压的可流动的氧化物材料。通过将材料暴露于臭氧中而从可流动的绝缘材料中除去残留碳沉积物。可流动的绝缘材料用于形成位于半导体基材上的沟...

一种在一部分高压功率偏置振荡循环期间向半导体衬底基座提供正电压尖峰的方法和设备，可以减小或消除特征充电在等离子体反应堆工作期间所产生的不利影响。

一种可减少在隧道氧化物中被捕获的空穴的擦除非易失性存储器器件的方法和装置。为避免当空穴在闪存的隧道氧化物中被捕获时发生的应力感应泄漏电流（ＳＩＬＣ），建议采用下面的擦除方法。擦除分为源擦除（源极５伏，栅极－１０伏）和信道擦除（源极０伏，...