【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般涉及存储器单元,尤其涉及多态非易失性存储器单元。
技术介绍
存储器装置现具有各种样式和大小。一些存储器装置在性质上是易失性的且在没有有源电源的情况下不能保存数据。通常的易失性存储器是包括作为电容器形成的存储器单元的DRAM。电容器上的电荷或没有电荷指示存储器单元中存储的数据的二进制状态。动态存储器装置与非易失性存储器相比需要更多的努力来保持数据,但通常前者更快地进行读写。非易失性存储器装置可具有不同配置。例如,浮置栅极存储器装置是非易失性存储器,它使用浮置栅极晶体管来存储数据。通过改变晶体管的阈值电压将数据写入存储器单元并在断电时保持该数据。可以擦除晶体管以恢复晶体管的阈值电压。存储器可在擦除块中排列,其中擦除块中的所有存储器单元可被一次擦除。这些非易失性存储器装置通常称作闪存。闪存可使用浮置栅极技术或陷获技术。浮置栅极单元包括横向隔开的源极和漏极区,以形成一中间沟道区。源极和漏极区形成于硅基片的共用水平面中。通常由掺杂多晶硅制成的浮置栅极设置于沟道区上并通过氧化物与其它单元元件电隔离。浮置栅极技术的非易失性存储器功能通过隔离的浮置栅极上存储的电荷存在与否来创建。陷获技术通过用于俘获并存储电子或空穴的隔离陷阱中存储的电荷存在与否而用作非易失性存储器。为使存储器制造商保持竞争性,存储器设计者不断尝试增加闪存装置的密度。增加闪存装置的密度一般需要减小存储器单元之间的间隔和/或使存储器单元更小。许多装置元件的尺寸越小会引起单元的操作问题。例如,源极/漏极区之间的沟道变得更短,可能引起严重的短沟道效应。此外,在较小的单元尺寸的情况下,从单元的一个 ...
【技术保护点】
一种多态NAND存储器单元,包括:包括第一导电材料的基片;所述基片内的第一和第二有源区,所述第一和第二有源区由第二导电材料构成;所述第一和第二有源区之上和之间的控制栅极;以及所述控制栅极和基片之间的陷获层,使得所述陷获层通过第一介电层与所述控制栅极隔离并通过第二介电层与所述基片隔离,其中所述陷获层能响应于第一和第二有源区的不对称偏压而进行邻近于第一有源区的第一数据位和邻近于第二有源区的第二数据位的不对称地电荷陷获。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2004-2-24 10/785,7851.一种多态NAND存储器单元,包括包括第一导电材料的基片;所述基片内的第一和第二有源区,所述第一和第二有源区由第二导电材料构成;所述第一和第二有源区之上和之间的控制栅极;以及所述控制栅极和基片之间的陷获层,使得所述陷获层通过第一介电层与所述控制栅极隔离并通过第二介电层与所述基片隔离,其中所述陷获层能响应于第一和第二有源区的不对称偏压而进行邻近于第一有源区的第一数据位和邻近于第二有源区的第二数据位的不对称地电荷陷获。2.如权利要求1所述的单元,其特征在于,所述第一导电材料包括p型导电材料。3.如权利要求1所述的单元,其特征在于,所述第二导电材料包括n型导电材料。4.如权利要求1所述的单元,其特征在于,所述第一有源区是漏极区且所述第二有源区是源极区。5.如权利要求1所述的单元,其特征在于,所述第一介电层由氧化铝材料构成。6.如权利要求1所述的单元,其特征在于,所述第二介电层由氧化铝材料构成。7.如权利要求1所述的单元,其特征在于,所述陷获层由氮化物材料构成。8.如权利要求1所述的单元,其特征在于,所述陷获层是硅纳米晶体材料。9.如权利要求1所述的单元,其特征在于,所述陷获层能通过栅极感应漏极泄漏空穴注入进行擦除。10.如权利要求1所述的单元,其特征在于,所述陷获层能通过栅极感应漏极泄漏空穴注入进行编程。11.如权利要求1所述的单元,其特征在于,所述陷获层能通过电子注入进行擦除。12.如权利要求1所述的单元,其特征在于,所述陷获层能通过电子注入进行编程。13.一种多态NAND存储器单元,包括包括第一导电材料的基片;所述基片内的第一和第二有源区,所述第一和第二有源区由第二导电材料构成;所述第一和第二有源区之上和之间的控制栅极;以及所述控制栅极和基片之间的陷获层,使得所述陷获层能响应于所述第一和第二有源区的不对称偏压而进行邻近于第一有源区的第一数据位和邻近于第二有源区的第二数据位的不对称电荷陷获。14.如权利要求13所述的单元,其特征在于,还包括使所述陷获层与所述基片和所述控制栅极隔离的多个介电层。15.一种多态NAND存储器单元,包括包括第一导电材料的基片;所述基片内的第一和第二有源区,所述第一和第二有源区由第二导电材料构成;所述第一和第二有源区之上和之间的控制栅极;以及所述控制栅极和基片之间的不连续陷获层,使得所述陷获层通过第一介电层与所述控制栅极隔离并通过第二介电层与所述基片隔离,其中所述陷获层通过来自控制栅极的至少一个延伸被分成多个部分以使每个部分能与其它部分分开地保持电荷。16.一种存储器阵列,包括列中排列的多个多态NAND存储器单元,每一单元都包括漏极区、源极区和陷获层,其中所述陷获层能响应于漏极区和源极区的不对称偏压而进行邻近于漏极区的第一数据位和邻近于源极区的第二数据位的不对称地电荷陷获;以及多个选择栅极,第一选择栅极在列的一端处且第二选择栅极在列的剩余端处,其中在所述多个多态NAND存储器单元的多态NAND存储器单元的编程操作期间,通过第一选择栅极施加漏极电压并通过第二选择栅极施加源极电压,所述漏极和源极电压响应于所述第一数据位还是第二数据位正被编程而具有不同电平。17.如权利要求16所述的存储器阵列,其特征在于,当第一数据位正被编程时,所述源极电压大致等于0V且所述漏极电压在3V到6V的范围内,且当所述第二数据位正被编程时,所述漏极电压大致等于0V且所述源极电压在3V到6V的范围内。18.如权利要求16所述的存储器阵列,其特征在于,将范围大致为-10V到-20V的电压施加于第一多态NAND存储器单元的控制栅极。19.一种用于编程具有控制栅极、第一和第二有源区以及能在每一有源区附近进行不对称陷获的陷获层的多态NAND存储器单元的方法,该方法包括将负栅极电压施加于所述控制...
【专利技术属性】
技术研发人员:K普劳尔,
申请(专利权)人:微米技术股份有限公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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