【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路领域，具体而言，涉及。
技术介绍
在对晶片上面绝缘层中的接触孔进行腐蚀过程中，固有氧化物的残留物例如二氧化硅常常会残留下来，特别是在接触孔的底部。将半导体沉积在接触孔之前，必须除去这种固有的氧化物残留物，因为氧化物残留物会增加电阻，这是不利的，因为会阻碍电流通过半导体。半导体表面还必须用氢钝化，以防止除去固有氧化物后的再氧化。湿腐蚀清洁法普遍用来除去固有氧化物并钝化半导体表面，主要是因为湿腐蚀常规地用来腐蚀绝缘层如二氧化硅层中的窗。通常，使用含氢氟酸(HF)的缓冲氧化物腐蚀溶液(BOE)，来腐蚀并清洁热生长的薄膜和沉积的SiO2薄膜。室温下，HF腐蚀二氧化硅的速度比其腐蚀光致抗蚀剂或下层硅的速度快得多。BOE的腐蚀速度在25℃为10-100nm/min，取决于二氧化硅薄膜的密度。腐蚀速度还取决于存在氧化物的类型。因此，在干氧中生长的二氧化硅，其腐蚀速度较在水存在条件下生长的二氧化硅慢。而且，氧化物中高浓度的磷能提高腐蚀速度，而高浓度的硼却降低氧化物腐蚀速度。通过湿的化学清洁法来除去固有的氧化物，尤其是除去二氧化硅，有两个重要缺点。第一...
【技术保护点】
一种等离子体腐蚀半导体衬底的方法，所述方法包括下列步骤： 在等离子体源室内通入包含ＮＨ３、ＮＦ３和Ｏ２的气体混合物，所述等离子体源室位于装有半导体衬底的等离子体室的前面； 在所述等离子体源室中产生所述气体混合物的等离子体； 使所述等离子体源室的等离子体向前流动进入等离子体室； 使所述衬底与所述等离子体接触。
【技术特征摘要】
US 2000-8-31 09/653,5541.一种等离子体腐蚀半导体衬底的方法，所述方法包括下列步骤在等离子体源室内通入包含NH3、NF3和O2的气体混合物，所述等离子体源室位于装有半导体衬底的等离子体室的前面；在所述等离子体源室中产生所述气体混合物的等离子体；使所述等离子体源室的等离子体向前流动进入等离子体室；使所述衬底与所述等离子体接触。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述衬底与所述等离子体接触的步骤还包括用所述包含NH3/NF3/O2的气体混合物腐蚀所述衬底，其中，NH3的流量在1000-4000sccm范围，NF3流量在25-200sccm范围，O2流量在50-1000sccm范围。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于所述NH3的流量与所述NF3流量之比约为1/40。4.如权利要求2所述的方法，其特征在于所述NH3的流量、所述NF3流量和所述O2流量之比约为1/40/2。5.如权利要求2所述的方法，其特征在于所述NH3的流量约为2000sccm，所述NF3流量约为50sccm，所述O2流量约为100sccm。6.如权利要求2所述的方法，其特征在于所述NH3的流量约为2000sccm，所述NF3流量约为100sccm，所述O2流量约为100sccm。7.一种清洁在衬底上形成的绝缘层中的接触孔的方法，所述方法包括下列步骤将所述衬底和绝缘层置于等离子体室中，所述绝缘层具有至少一个接触孔；在等离子体源室内通入包含NH3、NF3和O2的气体混合物，所述等离子体源室位于装有半导体衬底的等离子体室的前面；在所述等离子体源室中产生所述气体混合物的等离子体；使所述等离子体源室的等离子体向前流动进入等离子体室；使所述衬底与所述等离子体接触，用所述等离子体清洁至少所述孔的底部。8.如权利要求7所述的方法，其特征在于所述接触所述绝缘层的步骤还包括选择性腐蚀所述孔的所述底部。9.如权利要求7所述的方法，其特征在于所述用所述等离子体接触所述绝缘层的步骤还包括用所述包含NH3、NF3和O2的气体混合物选择性腐蚀所述孔底部，其中，NH3的流量在1000-4000sccm范围，NF3流量在25-200sccm范围，O2流量在50-1000sccm范围。10.如权利要求9所述的方法，其特征在于所述NH3的流量与所述NF3流量之比约为1/40。11.如权利要求9所述的方法，其特征在于所述NH3的流量、所述NF3流量和所述O2流量之比约为1/40/2。12.如权利要求9所述的方法，其特征在于所述NH3的流量约为2000sccm，所述NF3流量约为50sccm，所述O2流量约为100sccm。13.如权利要求9所述的方法，其特征在于所述NH3的流量约为2000...
【专利技术属性】
技术研发人员：MF欣曼，KJ托勒克，
申请(专利权)人：微米技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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