温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

公开一种改进的干等离子体清洁方法，用来从半导体衬底上的绝缘层中形成的孔中除去固有氧化物、或其他氧化物薄膜或生成的残留物，不会损害衬底或明显影响孔的临界尺寸。首先，将三氟化氮（ＮＦ＃－［３］）、氨（ＮＨ＃－［３］）和氧（Ｏ＃－［２］）的混合物...
该专利属于微米技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过微米技术股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。