【技术实现步骤摘要】
本专利技术总的涉及到集成电路(IC)存储器件,并且更具体地涉及到一种不对称晶体结构存储电阻元件及其制造方法。
技术介绍
通常,使用存储电阻器材料,如超大磁致电阻(CMR)材料,的存储单元采用未经图案化的大的导电底部电极、未经图案化的CMR材料以及相对较小的顶部电极制成。这些器件在有限的一些应用中起作用,但是因为存储单元尺寸相对较大,所以它们不适用于高密度存储器阵列应用。因为CMR材料的电阻在多数情况下保持恒定,CMR材料可以说具有非易失特性。但是,当高电场感应电流流过CMR材料时,可以导致CMR电阻改变。在编程过程中,在靠近电极的高电场区域处的存储电阻器的电阻率首先改变。实验数据表明,在称为A端的阴极处材料的电阻率增加,而在称为B端的阳极处材料电阻率减小。在擦除过程中,脉冲极性反转,即阴极和阳极的指定被反转。因而,靠近A端的材料的电阻率减小,而靠近B端的电阻率增加。随着对单元存储器需求的增加,减少阵列中单元的尺寸的动力也越加强烈。但是,较小的部件尺寸使得器件对工艺容差更为敏感。由于工艺容差,甚至相当小的物理不对称的器件都不能实用。然而,分析(下面给出)表明,所制造的十分对称的存储单元将不能正常工作。即使这些几何对称器件可以被编程,但是从高电阻状态到低电阻状态的净电阻变化相对小。可以不管工艺的容许构建具有足够几何不对称性的存储单元,以保证有充分的电阻状态改变。但是,这样的设计会增加制造步骤的数量及其复杂性。如果在存储电阻存储单元中,部件能够设计成允许适当的编程和擦除操作而不管器件的几何对称性将是很有优势的。
技术实现思路
本专利技术描述了一种适用于非易失性存 ...
【技术保护点】
用于形成不对称晶体结构存储单元的方法,该方法包括:形成底部电极;覆在底部电极上形成具有多晶结构的电脉冲变化电阻(EPVR)材料第一层;邻近第一层形成EPVR第二层,EPVR第二层具有从包括纳米晶体和非晶体的组中选取的 结构;以及覆在EPVR第一和第二层上形成顶部电极。
【技术特征摘要】
US 2003-5-21 10/4427491.用于形成不对称晶体结构存储单元的方法,该方法包括形成底部电极;覆在底部电极上形成具有多晶结构的电脉冲变化电阻(EPVR)材料第一层;邻近第一层形成EPVR第二层,EPVR第二层具有从包括纳米晶体和非晶体的组中选取的结构;以及覆在EPVR第一和第二层上形成顶部电极。2.权利要求1的方法,其中,形成具有多晶结构的EPVR第一层包括在高于550℃的温度下,利用金属有机旋涂(MOD)工艺淀积EPVR第一层。3.权利要求2的方法,其中,在高于550℃的温度下淀积EPVR第一层,包括在550-700℃温度范围内用MOD工艺淀积EPVR第一层。4.权利要求1的方法,其中,邻近第一层形成EPVR第二层,EPVR第二层具有从包括纳米晶体和非晶体的组中选取的结构,该过程包括在小于或等于第一层的淀积温度的温度下形成第二层。5.权利要求3的方法,进一步包括加热MOD淀积形成的EPVR第一层以去除溶剂;以及其中,邻近第一层形成EPVR第二层,EPVR第二层具有从包括纳米晶体和非晶体的组中选取的结构,该过程包括在小于或等于550℃的温度下于第一层上形成第二层。6.权利要求1的方法,进一步包括施加电压脉冲到EPVR第一和第二层;以及响应于脉冲宽度,选择性调整EPVR第一和第二层的电阻。7.权利要求6的方法,其中施加电压脉冲到EPVR第一和第二层包括施加第一电压脉冲;以及其中,响应于电压脉冲的脉冲宽度,选择性调整EPVR第一和第二层的电阻包括响应于第一电压脉冲,调整EPVR第一层中的电阻;以及保持EPVR第二层中的电阻.8.权利要求7的方法,其中,施加电压脉冲到EPVR第一和第二层包括施加负的第一电压脉冲到顶部电极;以及其中,响应于第一电压脉冲调整EPVR第一层的电阻包括响应于负的第一电压脉冲,在EPVR第一层中建立高电阻区。9.权利要求7的方法,其中,施加电压脉冲到EPVR第一和第二层包括施加正第一电压脉冲到顶部电极;以及其中,响应于第一电压脉冲调整EPVR第一层的电阻包括响应于正第一电压脉冲,在EPVR第一层中建立低电阻区。10.权利要求7的方法,进一步包括施加脉冲宽度大于第一电压脉冲的第二电压脉冲到EPVR第一和第二层;以及其中,响应于电压脉冲的脉冲宽度选择性调整EPVR第一和第二层的电阻包括响应于第二电压脉冲在EPVR第一和第二层中建立低电阻状态。11.权利要求10的方法,其中,响应于电压脉冲的脉冲宽度选择性调整EPVR第一和第二层的电阻,包括响应于第二电压脉冲在EPVR第一层中建立低电阻状态。12.权利要求11的方法,其中,邻近第一层形成具有从包括纳米晶体和非晶体的组中选取的结构的EPVR第二层包括形成非晶结构;以及其中,响应于电压脉冲的脉冲宽度选择性调整EPVR第一和第二层的电阻包括响应第二电压脉冲,保持非晶EPVR第二层的电阻状态。13.权利要求7的方法,其中,施加第一电压脉冲到EPVR第一和第二层包括施加脉冲宽度小于400纳秒(ns)的第一电场。14.权利要求13的方法,其中,施加脉冲宽度小于400纳秒的第一电场包括使用1ns到400ns范围内的脉冲宽度。15.权利要求10的方法,其中,施加第二电压脉冲到EPVR第一和第二层包括施加脉冲宽度大于400纳秒的第二电场。16.权利要求15的方法,其中,施加脉冲宽度大于400纳秒的第二电场包括使用400ns到10微秒(μs)范围内的脉冲宽度。17.权利要求8的方法,其中,施加负的第一电压脉冲包括施加0.1兆伏每厘米(MV/cm)到0.4MV/cm范围内的脉冲电场;以及其中,响应第一电压脉冲调整EPVR第一层的电阻包括响应负的第一电压脉冲,在100欧姆到10兆欧(Mohms)范围内调整电阻。18.权利要求11的方法,其中,施加第二电压脉冲包括施加0.05MV/cm到0.5MV/cm范围内的电场;以及其中,响应第二电压脉冲在EPVR第一层中建立低电阻状态包括建立电阻小于1000欧姆的EPVR第一层。19.权利要求12的方法,其中,施加第二电压脉冲包括施加0.05MV/cm到0.5MV/cm范围内的电场;以及其中,保持EPVR第二层中的电阻包括保持EPVR第二层中的电阻小于1000欧姆。20.权利要求7的方法,其中响应第一电压脉冲保持EPVR第二层的电阻状态包括保持电阻在2倍内。21.权利要求12的方法,其中响应第二电压脉冲保持非晶EPVR第二层的电阻状态包括保持该电阻在2倍内。22.权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员:许胜藤,李廷凯,DR埃范斯,庄维佛,潘威,
申请(专利权)人:夏普株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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