要求一种升压的衬底槽／衬底浮栅存储单元编程方法，它将电压施加于与非闪存阵列的衬底或衬底“槽”以便在将高栅编程电压施加于所选浮栅存储单元的栅极、并耦合编程或编程禁止电压以根据需要对所选浮栅存储单元编程之前，对浮栅存储单元中的载流子沟道充电...

披露了一种具有分段行修复结构的存储器件，它提供了单独位修复的优点，从而有效地使用了存储器件的冗余行。存储器件的行被分成四段，并且通过选择性地禁止缺陷存储单元所处的主要行的仅一个段的字线驱动器并用由冗余匹配电路提供的冗余项信号来使能冗余字...

一种将捕获数据的数据包络扩展到某一预定时钟周期数的方法和装置。该预定时钟周期数足够大，以保证内部产生的主时钟边沿在整个工作范围上，保持在所述数据包络内。这样，尽管温度和电压的变化会影响到所述存储装置的定时关系，但捕获数据仍维持有效，并能...

接收经缓冲的命令时钟和未经缓冲的写时钟的某些同步半导体存储器件。写命令与命令时钟同步而相关的写数据则与写时钟同步。由于缓冲器的使用，命令和写时钟之间可能存在随机的相移。两个时钟间相移的存在使确定存储器件应该接受与写命令有关的写数据的时间...

一种操作具有一组存储单元的展开位线和折叠位线ＤＲＡＭ存储阵列的设备和方法，在一个实施例中，在平面图中每个存储单元具有６ｆ↑［２］的面积。一种方法包括，在第一个存储单元中存储第一个位并在第二个存储单元中存储与第一个位互补的第二个位。第一个...

一种用于闪存块的擦除操作的方法和装置。在一个实施例中，一种方法包括擦除存储块中预定百分比的行，分析用于擦除预定百分比的擦除脉冲的数量和计算可应用到存储块上以擦除其余行的附加擦除脉冲的可接受数量。在另一个实施例中，闪存装置包括存储阵列、控...

一半密度嵌入ＲＯＭ的ＤＲＡＭ使用硬编程的非易失性单元和未编程的动态单元。通过将一对单元中的第一或第二存储器单元硬编程，存储不同的数据状态。两条字线被用于访问存储器单元对。因为一个单元被硬编程，读出放大器电路识别合适的数据状态。可以以大量...

本发明提供了一种使用２↑［Ｎ］位同步模式的独特方法，从而可在存储系统中获得较快且较可靠的多数据通道的校准。如果２↑［Ｎ］位同步模式是用已知的时钟相位关系获得的，则可使用简单的解码逻辑来判定数据－时钟相位的对准，从而从刚检测到的ｍ位预测下...

在非易失性存储器阵列和器件的制造中形成在隔离阱中的浮栅场效应晶体管或存储器元件很有用。这样的浮栅存储器元件列和包含列中的每个存储器元件的源／漏区的阱相关。这些阱和阵列的其他列的源／漏区隔离。Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ隧道可以用于在个...

闪存存储器设备中的多个单元在串联配置中被耦合在一起，如在ＮＡＮＤ闪存存储器中。引用闪存存储器设备中的接地电势，确定第一访问单元的位置。第一字线信号被耦合到第一访问单元。响应在其串联单元中的第一访问单元的位置，调节第一字线信号电压电平。

描述了改进的集成电路、存储器件、电路，以及数据方法，它们通过设置具有被可调延迟的输入和／或输出的接口，来帮助器件的信号定时的调节与重建。这允许本发明的实施例感测信号延迟并利用可调的输入或输出延迟来校正信号定时关系，从而使得设备的内部电路...

一种在半密度或全密度模式下操作存储器，并在需要时在各模式间切换的方法和装置。存储器设备在起动时默认设置成半密度操作以降低功耗，并在低地址全满时切换至全密度操作。当高地址再次为空时，该设备切换回半密度操作。

一种具有内部检测机构的存储器，该内部检测机构用于检测某些无连接引脚上外部电压的每一外部部件的存在，从而允许基于这些检测来改变内部电压泵的配置，或检测也能用作标准设备的存在。这些实施例允许系统取决于系统中其它电压源或诸如电感器等可用部件的...

公开了一种使用２↑［Ｎ］位同步模式从而可在存储系统中获得较快且较可靠的多数据通道的校准的独特方法。如果２↑［Ｎ］位同步模式是用已知的时钟相位关系获得的，则可使用简单的解码逻辑来判定数据－时钟相位的对准，从而从刚检测到的ｍ位预测下一个ｍ位...

揭示了偏振掩膜版、使用偏振掩膜版的光刻系统、以及使用该系统的方法。形成的偏振掩膜版所具有的那个掩膜版包含至少一个第一图案化区域，该区域至少部分地由至少一个第二图案化区域所围绕。该偏振掩膜版的第一图案化区域包括偏振材料，并且偏振掩膜版的第...

揭示了在基片上沉积薄膜用的装置内的暴露面进行钝化的方法。沉积室和与之相通管道的内表面经钝化处理而阻止了在沉积工艺中反应物和反应产物在所述内表面上的吸附或化学吸附。为此目的而进行的表面钝化处理包括表面处理、衬里、温度调节或它们的组合。还揭...