半密度嵌入ROM的DRAM制造技术

一半密度嵌入ＲＯＭ的ＤＲＡＭ使用硬编程的非易失性单元和未编程的动态单元。通过将一对单元中的第一或第二存储器单元硬编程，存储不同的数据状态。两条字线被用于访问存储器单元对。因为一个单元被硬编程，读出放大器电路识别合适的数据状态。可以以大量不同的方式将ＲＯＭ单元编程。例如，可以通过消除单元电介质以便将单元板短路到编程电压，或者可以将电插头制造于单元板之间并被短路到编程电压，来硬编程ＲＯＭ单元。在其它实施例中，可以使用抗熔丝编程技术或者通过提供诸如通过活动区域到基板的高泄漏路径（非完全短路）将ＲＯＭ单元编程。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般涉及存储器装置，且本专利技术尤其涉及嵌入在动态随机存取存储器(DRAM)中的只读存储器(ROM)。
技术介绍
半导体存储器系统由两种基本元素组成存储器存储区和存储器控制区。例如，DRAM包括储存信息的存储器单元阵列以及控制存储器单元阵列的操作的外围电路。通过在单个半导体晶片上重复几百万个相同的电路元件(通称的DRAM单元)来制造DRAM阵列。DRAM单元是可以存储一位(二进数位)数据的可寻址位置。在其最普通的形式中，DRAM单元由两种电路部件组成存储电容器和存取场效应晶体管。电容器保持每个单元的值，即“1”或“0”，作为电容器上的电荷。因为电容器上的电荷逐渐泄漏，必须定时地刷新DRAM电容器。结合DRAM存储器的存储器装置包括逻辑电路以便周期性地刷新(再充电)单元的电容器，否则将丢失信息。读取单元中储存的数据，随后以预定电压电平将该数据写回单元中，通过这样将单元刷新。所需的刷新操作使得DRAM存储器是动态的而非静态的。DRAM单元的晶体管是开关，以使得RAM的控制电路读取电容器值或者改变其状态。通过耦合到其栅极连接的行线控制晶体管。在读取操作中，晶体管被激活，且耦合到本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器装置，其特征在于，包括：只读存储器（ＲＯＭ）单元，它被硬编程到第一数据状态；动态存储器单元；以及存取电路，它将ＲＯＭ单元和动态存储器单元耦合到差分数位线。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2001-12-12 10/017,6581.一种存储器装置，其特征在于，包括只读存储器(ROM)单元，它被硬编程到第一数据状态；动态存储器单元；以及存取电路，它将ROM单元和动态存储器单元耦合到差分数位线。2.如权利要求1所示的存储器装置，其特征在于，所述存取电路包括第一晶体管，它耦合于ROM单元和第一数位线之间；以及第二晶体管，它耦合于动态存储器单元和第二数位线之间，其中第一和第二晶体管的栅极连接被耦合到不同的字线。3.如权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，所述ROM单元被硬编程到Vcc。4.如权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，所述ROM单元被硬编程到Vss。5.如权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，所述ROM单元是使用将ROM单元的电介质层短路的电位被硬编程的电容器单元。6.如权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，所述ROM单元是用制造于ROM单元的电容器板之间的物理导体被硬编程的电容器单元。7.如权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，所述ROM单元是通过从ROM单元的存储节点提供高泄漏路径被硬编程的电容器单元。8.如权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，所述ROM单元是通过将ROM单元的存储节点物理短路以便接收电压信号而被硬编程的电容器单元。9.一种半密度只读存储器(ROM)嵌入的动态随机存取存储器(DRAM)装置，其特征在于，包括DRAM阵列，它包括第一动态存储器单元；ROM阵列，它包括硬编程的非易失性存储器单元和第二动态存储器单元；读出放大器电路，它被耦合到ROM阵列的差分数位线；字线，它访问存储器ROM阵列的行；以及存取电路，它响应于一对字线信号将一个非易失性存储器单元和一个第二动态存储器单元耦合到差分数位线。10.如权利要求9所述的嵌入ROM的DRAM装置，其特征在于，所述存取电路包括第一晶体管，它耦合于非易失性存储器单元和第一数位线之间；以及第二晶体管，它耦合于第二动态存储器单元和第二数位线之间，其中第一和第二晶体管的栅极...

【专利技术属性】
技术研发人员：S德尔纳，C库尔斯，PG沃尔德，
申请(专利权)人：微米技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]