一种对FLASH内部单元进行测试的方法技术

技术编号:3084911 阅读:173 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种对FLASH内部单元进行测试的方法,在所述方法中,FLASH内部单元被均匀分为n块,按地址升序依次为B↓[0]、B↓[1]、…、B↓[n-1],每一个块的大小为m,其特征在于,所述方法包括如下步骤:    1)整片擦除;    2)从B↓[0]到B↓[n-1],对每一块B↓[i]依次进行地址判断、写入模值及判断模值;    3)整片擦除;    4)从B↓[n-1]到B↓[0],对每一块B↓[i]依次进行地址判断、写入模值及判断模值;    以上各步骤中,如果读到的数据与期望值不一致,则报告并记录相关错误信息。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及测试技术,尤指一种对FLASH内部单元进行测试的方法
技术介绍
FLASH器件的故障主要表现为以下形式(1)导线的开路或短路;(2)地址译码器不能正确寻址;(3)多重写入;(4)一个单元的数据受到其他单元的数据或读写操作的影响而发生变化;(5)写后未能恢复,立即进行读出时得不到正确信息;(6)读放大器读出一系列信息x后紧接着读x′时,无正确响应;(7)FLASH不能保持写入的信息。结合FLASH的基本结构和故障表现形式,可以得出以下故障模型(1)存储单元阵列中的故障①固定逻辑故障(Stuck-at fault)一个单元的逻辑值不随单元的任何行为而改变,也不受其余单元的影响,又称呆滞型故障,它包括固定为1或固定为0两种情形(S-A-1 or S-A-0);②固定开路故障(Stuck-open fault)电路开路导致的故障;③状态转换故障(Transition fault)0->1或1->0的状态转换至少有一个不被正确执行;④数据保持故障(Data-maintaining fault)存储单元无法保持一个逻辑值持续一定的时间;⑤状态耦合故障(Coupling fau本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种对FLASH内部单元进行测试的方法,在所述方法中,FLASH内部单元被均匀分为n块,按地址升序依次为B0、B1、...、Bn-1,每一个块的大小为m,其特征在于,所述方法包括如下步骤1)整片擦除;2)从B0到Bn-1,对每一块Bi依次进行地址判断、写入模值及判断模值;3)整片擦除;4)从Bn-1到B0,对每一块Bi依次进行地址判断、写入模值及判断模值;以上各步骤中,如果读到的数据与期望值不一致,则报告并记录相关错误信息。2.如权利要求1所述的一种对FLASH内部单元进行测试的方法,其特征在于所述步骤2)包括下列步骤对Bi的第1个地址,读是否为111...111;同时写入数字di;再读是否为di,数字di为i对m的模值;对Bi的第2个地址,读是否为111...111;同时写入数字di+1;再读是否为di+1,数字di+1为(i+1)对m的模值;……对Bi的第m个地址,读是否为111...111;同时写入数字di+m-1;再读是否为di+m-1,数字di+m-1为(i+m-1)对m的模值;所述步骤4)包括下列步骤对Bi的第m个地址,读是否为111...111;同时写入数字di;再读是否为di,数字di为i对m的模值;对Bi的第m-1个地址,读是否为111...111;同时写入数字di+1;再读是否为di+1,数字di+1为(i+1)对m的模值;……对Bi的第1个地址,读是否为111...111;同时写入数字di+m-1;再读是否为di+m-1,数字di+m-1为(i+m-1)对m的模值。3.如权利要求1或2所述的一种对FLASH内部单元进行测试的方法,其特征在于所述每一个块的大小m远远...

【专利技术属性】
技术研发人员:李颖悟游志强
申请(专利权)人:华为技术有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1
相关领域技术
  • 暂无相关专利