本发明公开了一种操作多芯片封装装置的方法，此处所描述的多芯片封装具有一芯片其具有分享输入及独特的存取识别码。一独特的第一识别码被分配且储存于一批芯片中的芯片。安置一组芯片于一多芯片封装上。施加一系列的扫描识别码于该分享输入以分配可用的存...

本发明公开了一种具有局部绝缘结构的半导体元件及其制造方法，该半导体元件的制造方法包括：提供一具有一第一导电型的基板；形成一具有一第二导电型的高电压阱在基板中；形成一漂移区在高电压阱中；以及形成一绝缘层在基板上。此一绝缘层包括一第一绝缘部...

本发明是关于一种金属内连线结构，其包括衬底、介电层、导体镶嵌结构、第一阻障层与第二阻障层。介电层位于衬底上，介电层具有开口，裸露出衬底，导体镶嵌结构位于开口中，导体镶嵌结构的顶面低于介电层的顶面，第一阻障层位于介电层与导体镶嵌结构之间以...

本发明是关于一种存储装置，包括衬底、井区、隧穿介电层、第一导体层、隔离结构以及阻障层。井区位于衬底中，隧穿介电层位于井区上，第一导体层位于隧穿介电层上，隔离结构位于第一导体层、隧穿介电层、井区以及衬底中，其中隔离结构与井区之间具有阻障层...

本发明公开了一种具有深注入区域的半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：一基板，具有一第一导电型；一高电压阱，具有一第二导电型，并配置在基板中；一源极阱，具有第一导电型，并配置在高电压阱中；一漂移区域，配置在高电压阱中并与源极阱分隔开...

本发明公开了一种编程多个存储单元及存储器的方法及该存储器。此方法包括选择当前存储单元，并在第一编程验证电平执行预编程验证操作；此方法包括针对当前存储单元执行编程及编程验证操作，包括施加一串行编程脉冲，并执行编程验证步骤；此串行编程脉冲包...

本发明公开了一种结合实体坐标的位失效侦测方法，在此方法中先取得一晶圆对位检测数据，其包括一晶圆内每一层的缺陷的影像和此缺陷的实体坐标；然后，进行一位失效侦测步骤，以得到晶圆内失效位的数字坐标，并转换此数字坐标为实体位置，且将实体位置重叠...

本发明提供了一种存储器的集成电路上的数据的保护方法及相关的存储器电路。该保护方法包括将非挥发性保护码存储在集成电路上。非挥发性保护码具有关于存储器的多个区段中的各区段的表示保护状态的第一数值或表示未保护状态的第二数值。此方法包括将挥发性...

本发明公开了一种高压场效晶体管及其应用电路，该高压场效晶体管包括高压鳍式场效晶体管其具有半导体鳍片和位于鳍片上的绝缘覆盖层。栅介电材料配置于半导体鳍片的第一侧边和第二侧边。栅极覆盖在位于第一侧边和第二侧边上方的栅介电材料以及半导体鳍片中...

本发明提供了一种存储器的集成电路上的数据保护方法及相关的存储器电路。该数据保护方法包括将保护码存储在集成电路上。每个保护码具有关于存储器的多个区段中的一对应区段的一个表示保护状态的第一数值，以及一个表示未保护状态的第二数值。此方法包括将...

本发明公开了一种测量芯片或晶片表面结构的方法，该方法包括：利用仪器得到芯片的表面结构的影像，再对所述影像进行影像萃取并转换为第一电路设计文件；另选取标准影像并转换为第二电路设计文件，然后比较所述影像中的至少一目标(target)与所述标...

本发明公开了一种半导体元件包括具有第一电性的一基材、具有第二电性并形成于基材之中的一高压阱区、形成于高压阱区中的一漂移区、形成于高压阱区中且与漂移区隔离的一漏极，以及具有第一电性、形成在高压阱区中且位于漂移区和漏极之间的一埋藏区。

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括一基板、一第一导电结构、一第二导电结构、介电结构、介电层、一第一导电插塞、及一第二导电插塞。第一导电结构位于基板上。第二导电结构位于基板上，并具有材料异于第一导电结构的一上导电部分。...

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括一基板、一第一阱(well)、一第一重掺杂区(heavily doping region)、一场氧化层、一第一介电层以及一导电层。第一阱设置于基板上，第一重掺杂区设置于第一阱内。场...

本发明公开了一种感测放大器及其感测方法，该感测放大器包括箝位电路，此箝位电路耦接于一第一节点与一第二节点之间；此箝位电路包括第一P型晶体管(P—type Transistor)，其具有第一端，第二端以及接收第一偏压信号的控制端，此第一P...

本发明通过修复均化技术而提升存储器装置的耐久度。修复均化技术是一种使存储区块的修复周期更为分散的轻型解决方案。本文所描述的方法能够在不产生大量负担情况下实现修复均化。修复均化技术能显著的改善存储区块的存取效能(access perfor...

本发明公开了一种刻蚀方法与刻蚀组成物。该刻蚀方法包括：首先，提供衬底；接着，进行刻蚀，以在上述衬底中形成至少一开口；继而，在开口中形成辅助刻蚀层，以覆盖至少一刻蚀残留物；上述辅助刻蚀层包括载体、介质以及包覆于载体中的刻蚀成分；再来，对该...

本发明公开了一种储存装置的制造方法，包括：数层的第一导电材料是被刻蚀以界定在第一组沟槽的左右的第一组叠层的导电条带，于此，一叠层具有大于目标宽度的两倍的宽度。第一储存层是形成于第一组沟槽中的导电条带的侧表面上，而第二导电材料的第一层是形...

本发明公开了一种非易失性存储器及其制造方法，该非易失性存储器包括一衬底、一布设于该衬底上的电荷撷取结构、一布设于该电荷撷取结构的缓冲层及多个布设于该缓冲层上的导电层。该非易失性存储器的制造方法包括以下步骤：将一电荷撷取结构形成于一衬底上...

本发明公开了一种可作为电子付费的移动通讯装置，该装置包含：一用户识别模块卡；一移动付费集成电路嵌合于所述用户识别模块卡，所述移动付费集成电路包含一无线通讯控制器；一储值存储器位于所述移动付费集成电路，储存支持移动付费所需数据。一种交易增...