本发明公开了一种半导体元件、其制造方法与其操作方法，该半导体元件包括：金属氧化物半导体晶体管、电阻以及增纳二极管。金属氧化物半导体晶体管包括栅极、源极与漏极。电阻的一端与漏极电性连接，其中电阻具有高电阻值，足以使大部分电流均流过金属氧化...

本发明公开了一种集成电路、多层装置的结构及其制造方法。该多层装置的结构包括：一基板；N个梯级，位于该基板上，这些梯级自该基板在一第一水平的一表面，延伸到该基板在一第二水平的一表面，其中N为大于或等于1的整数；有源层与绝缘层交错的一叠层，...

本发明公开了一种定位治具与制作工艺机台。定位治具用以标定并排设置的两刷洗件之间的距离。定位治具包括主体以及定位块。主体具有多个刻度标记，且包括一延伸部。延伸部具有相对的两侧边以及对应于此两侧边的宽度，其中靠近延伸部的尾端的位置上的宽度小...

本发明公开了一种平坦化装置及应用其的平坦化方法，平坦化装置包括平台、研磨垫、操作臂、一撷取头及遮垫。研磨垫设于平台上。撷取头可转动地配置于操作臂。遮垫可拆卸地设于操作臂的下表面。平坦化方法，包括：提供一平坦化装置；提供一半导体结构，该半...

本发明公开了一种高压半导体元件及其制造方法，该高压半导体元件包括一高压半导体晶体管(HVMOS)和一常开型低压半导体晶体管(normally-on LVMOS)电性连接高压半导体晶体管。HVMOS具有一第一集极及一第一发射极。常开型LV...

本发明公开了一种静电放电保护装置，包括保护电路、第一电阻与低通滤波器。保护电路包括第一元件与第二元件。第一元件与第二元件相互串接在电源配线与接地配线之间，且第一元件与第二元件之间具有连接节点。低通滤波器、保护电路与第一电阻相互串接在输入...

本发明公开了一种半导体结构、电阻式存储单元结构及半导体结构的制造方法。半导体结构包括绝缘结构、阻挡层(stop layer)、金属氧化物层、电阻结构(resistance structure)以及电极材料层。绝缘结构具有通孔(via)，...

本发明是有关于一种记忆元件及其制造方法。该记忆元件的制造方法，包括以罩幕层做为植入罩幕，进行离子植入工艺，以在衬底中形成第一埋入式掺杂区与第二埋入式掺杂区。第一埋入式掺杂区在第一方向延伸，通过所述控制栅极，电性连接控制栅极两侧的第一掺杂...

本发明公开了一种电阻式存储器及其操作方法。电阻式存储器包括电阻存储单元、主晶体管及辅助晶体管。主晶体管及辅助晶体管的漏极耦接电阻存储单元的一端。当编程电阻存储单元时，主晶体管导通，且辅助晶体管截止。当擦除电阻存储单元时，主晶体管及辅助晶...

本发明公开了一种三维叠层半导体结构及其制造方法。该制造方法中，形成一复合层于一基板上，且复合层包括多个第一介电层和多个第二介电层交替叠层而成；之后，图案化复合层以形成多个第一图案化叠层和多个间距于第一图案化叠层之间，第一图案化叠层其中之...

本发明公开了一种图案化的方法与图案化的装置，该图案化的方法包括：在材料层上形成图案化的掩模层，图案化的掩模层具有第一开口裸露出部分材料层；进行前处理工艺以对第一开口裸露的材料层改质，而形成改质区；进行刻蚀工艺以移除改质区的材料层，而形成...

本发明公开了一种具有不同深宽比的接触结构的半导体结构及其制造方法。半导体结构包括一绝缘结构、一第一接触结构以及一第二接触结构。第一接触结构和第二接触结构形成于绝缘结构中。第一接触结构具有一第一深宽比并包括一第一金属材料。第二接触结构具有...

本发明公开了一种存储器装置及其制造方法和操作方法，该存储器装置具有独立双重栅极存储单元，每一存储单元储存多重位且包括配置为字线的导电线多层叠层。有源支柱是设置于一对第一与第二叠层之间，每一有源支柱包括一垂直通道结构、一电荷储存层与一绝缘...

本发明公开了一种存储器元件及其制作方法，该存储器元件包括一串接存储单元阵列，包括：由绝缘材质所分离的多个导电条纹的多个叠层，包括至少由多个导电条纹所构成的一底部阶层、由多个导电条纹所构成的多个中间阶层、以及由多个导电条纹所构成的一顶部阶...

本发明是有关于一种半导体元件及其制造方法。该方法包括以下步骤。在基底上形成含硅导体层。接着，在含硅导体层周围形成介电层。移除部分介电层，以暴露含硅导体层的第一侧壁。在含硅导体层的部分表面上形成遮蔽结构，遮蔽结构至少暴露出第一侧壁。在基底...

本发明是有关于一种记忆单元及其制造方法，所述记忆单元包括第一导体层、穿隧介电层、阶梯状氧化层以及第一介电层。第一导体层位于基底上，其侧壁呈阶梯状。穿隧介电层位于第一导体层与基底之间。阶梯状氧化层覆盖于第一导体层的表面与侧壁上。第一介电层...

本发明公开了一种半导体结构及静电放电防护电路。半导体结构包括一装置结构，包括一第一阱区、一第二阱区、一源极、一漏极、一延伸掺杂区、与一栅极。第二阱区具有相反于第一阱区的导电型。漏极具有与源极相同的导电型。源极与漏极分别形成在第一阱区与第...

本发明公开了一种集成电路及其制造方法，该集成电路包括存储器阵列，存储器阵列包括具有复合杂质结构的扩散位线，多个字线伏在基板内的通道区，数据储存结构，例如浮置栅极结构或介电电荷捕获结构位于交叉点。复合杂质扩散位线在通道区的相对侧提供源极/...

本发明公开了一种频率接口装置及其操作方法，该频率接口装置包含：一集成电路，包含多个输入端；一内部电路；一频率电路，该频率电路位于该集成电路之上，并用以提供一内部频率讯号到该内部电路，该频率电路包含多个频率输入端电性连接到该多个输入端，该...

本发明公开了一种存储器装置及提供该存储器装置的方法。该存储器装置包括第一组存储单元以及第二组存储单元，第一组存储单元与第二组存储单元具有存储器元件以及位于第一与第二组存储单元上的第一与第二覆盖材料。第一与第二覆盖材料包括较低与较高密度的...