本发明公开了一种半导体装置，包括整流器、晶体管增强电流路径以及开关电路。整流器耦接于电路接地点与端点之间，端点用以耦接至外部电路；晶体管增强电流路径耦接至整流器；开关电路耦接至晶体管增强电流路径，并耦接于端点以及电路接地点之间。开关电路...

本发明公开了一种电子束检测优化方法，该电子束检测优化方法是先取得一芯片中的多个初始检测区域，每个所述初始检测区域的中心为一缺陷点；然后，重新产生互不重叠的多个重设检测区域，其中每个所述重设检测区域是被一视场(FOV)所涵盖的范围，且所述...

本发明公开了一种漏电侦测方法及存储器。漏电侦测方法包括：施加测试电压至字线，且测试电压介于1伏特至5伏特之间；以及将测试电压自字线移除后，根据字线的电压变化，鉴别字线的漏电状态。

本发明公开了一种操作存储器的方法及存储器装置，该操作存储器的方法包括：接收输入数据组、储存用于输入数据组的数据的第一阶层错误更正码(Error Correction Code，ECC)、储存用于输入数据组的多个第二阶层群组数据的多个第二...

本发明公开了一种三维存储器及其制造方法。该制造方法包括：在基底上形成包括相互交替的多个半导体层与多个绝缘层的叠层结构；图案化叠层结构，以形成网状结构；网状结构具有在第一方向延伸的多个第一条状物与在第二方向延伸的多个第二条状物，第一与第二...

本发明公开了一种储存数据集(data set)以及数据集的ECC于存储器中的操作方法。此方法包括在将新数据写入在一数据集中时，如果储存新数据及事先在数据集中被编程的数据的一些可编址段包括至少一预定数目的可编址段，则计算并储存一ECC。此...

本发明公开了一种半导体元件及其制造方法。半导体元件包括：基底、隔离结构、栅极结构、源极区与漏极区、以及导体层；源极区与漏极区位于基底中；隔离结构位于源极区与漏极区之间；栅极结构位于源极区与隔离结构之间的基底上；导体层位于基底上方，至少自...

本发明公开了一种三维半导体元件，包括：多层存储器层(memory layers)，垂直叠层于一衬底上且存储器层是相互平行的；多条选择线(selection lines)，位于存储器层上方，且选择线是相互平行的；多条位线(bit line...

本发明公开了一种存储器装置及其制造方法，该存储器装置包括：有源层带及绝缘层带交错的多个叠层，绝缘层带具有等效氧化层厚度，使这些叠层通过交错的有源层带及绝缘层带具有非简单空间周期；多个导线，正交排列于这些叠层上且具有与这些叠层共形的表面，...

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括一衬底、一条状叠层结构以及一伸张性材料条(tensile material strip)。条状叠层结构垂直形成于衬底上，条状叠层结构具有压应力(compressive stress)...

本发明公开了一种存储器系统及其访问方法。本发明的存储器系统包含：多个存储单元、转换电路，以及存取电路。访问方法包含以下步骤：对各该存储单元提供M个阈值电压与N个数据位间的一对应关系，其中，该M个阈值电压包含至少一具较高抗干扰能力的阈值电...

本发明公开了一种半导体装置，包含一基板、一第一阱区(well)及一第二阱区，形成在基板之中。第一阱区具有一第一导电类型(conductivity type)。第二阱区具有不同于第一导电类型的一第二导电类型。半导体装置包含具有第一导电类型...

本发明公开了一种静电放电保护装置，包括PNP晶体管、保护电路与调整电路。PNP晶体管的射极电性连接至焊垫，且PNP晶体管的集极电性连接至接地端。保护电路电性连接在PNP晶体管的基极与接地端之间，并提供一放电路径。当焊垫出现静电讯号时，静...

本发明公开了一种半导体装置及其形成方法，该形成方法包括：形成一栅极结构在一衬底上；使用该栅极结构为一掩模执行第一掺杂离子的一轻掺杂漏极注入至该衬底中，以在该衬底中形成轻掺杂漏极区域；在该轻掺杂漏极注入后，使用该栅极结构为一掩模执行一前非...

本发明公开了一种三维存储器结构及其制造方法。三维存储器结构包括一基底、多个叠层结构、多个电荷捕捉层(charge trapping layer)、多个位线以及多个阶梯结构。叠层结构形成于基底上，各叠层结构包括多个栅极(gate)和多个栅...

本发明公开了一种三维存储器及其制造方法。该三维存储器的制造方法包括：图案化叠层结构以形成梳状结构；该梳状结构包括在第一方向延伸的位线接垫与在第二方向延伸的梳部；在梳状结构的上表面与侧壁上形成电荷储存层；在电荷储存层上形成在第一方向延伸的...

本发明是有关于一种半导体元件及其制造方法。该半导体元件的制造方法。首先,在衬底上形成介电层,所述介电层包括第一部分与第二部分,第一部分邻接于衬底，第二部分邻接于第一部分。接着，以三氟化氮处理介电层，移除介电层的第二部分，暴露出介电层的第...

本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，该制造方法包括以下步骤：提供一基板；形成一绝缘衬底层于基板上；于一初始温度下将一导电层配置在绝缘衬底层上。此方法更包括以一第一增加速率增加初始温度至一第一增加温度，并于第一增加温度下对导电层执行一...

本发明公开了一种半导体元件及其制造方法，该半导体元件包括具有第一导电型的深掺杂区、具有第二导电型的阱区、具有第一导电型的基体区、绝缘栅双极晶体管以及金属氧化物半导体晶体管。阱区位于深掺杂区中。基体区位于阱区中，未与深掺杂区相连。绝缘栅双...

本发明公开了一种半导体元件及其制造方法，该半导体元件是利用设置淡掺杂区(HNMLDD)来增加射极(Emitter)周围的浓度。当此元件在顺向偏压下操作时，在顺向有源区可得到最大共射极电流增益，使得讯号放大，并且同时可过滤不必要的噪声。此...