记忆元件及其制造方法技术

本发明专利技术是有关于一种记忆元件及其制造方法。该记忆元件的制造方法，包括以罩幕层做为植入罩幕，进行离子植入工艺，以在衬底中形成第一埋入式掺杂区与第二埋入式掺杂区。第一埋入式掺杂区在第一方向延伸，通过所述控制栅极，电性连接控制栅极两侧的第一掺杂区、第二掺杂区以及第三掺杂区。第二埋入式掺杂区在所述第二方向延伸，位于第三掺杂区下方的衬底中，电性连接第三掺杂区，且第一埋入式掺杂区电性连接第二埋入式掺杂区。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体元件及其制造方法，特别是涉及一种。
技术介绍
非易失性记忆体由于具有存入的数据在断电后也不会消失的优点，因此许多电器产品中必须具备此类记忆体，以维持电器产品的正常操作。特别是，快闪记忆体(FlashMemory)由于具有可多次进行数据的存入、读取、擦除等操作，所以已成为个人电脑和电子设备所广泛采用的一种记忆体元件。随着元件集成度的增加，元件尺寸不断缩小。然而，快闪记忆体并非每一个构件可以持续缩小，而必须维持在一定尺寸。举例来说，在制造快闪记忆体时，通常会将源极线以及源极接触窗的尺寸制作得较大于位元线以及漏极接触窗的尺寸，以降低片电阻。然而，采用此种方法，字元线的布局相当复杂，字元线在通过源极线时必须设计成弯曲状，需考量复杂的光学邻近效应修正问题，因此，其光罩的费用相当高。此外，其工艺裕度也非常小，容易造成均匀度不佳等问题。由此可见，上述现有的在产品结构、制造方法与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品及方法又没有适切的结构及方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种记忆元件的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：在一衬底中形成多个隔离结构，每一隔离结构在一第一方向延伸；在所述衬底上形成多个控制栅极，每一控制栅极在一第二方向延伸,所述第一方向与所述第二方向不同；在每一控制栅极下方，任意相邻的两个隔离结构之间的所述衬底上依序形成一穿隧介电层、一浮置栅极与一栅间介电层；在所述衬底的一第一区中的所述控制栅极的两侧分别形成一第一掺杂区，在所述衬底的一第二区中的所述控制栅极的两侧分别形成一第二掺杂区以及在所述衬底的一第三区中形成多个第三掺杂区，其中所述第三区位于第一区与第二区之间；在所述衬底上形成一罩幕层，所述罩幕层具有相交的一第一开口与一第二开口，其中：所述第一...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡亚峻，苏俊联，林新富，陈鸿祺，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71