修复均化的方法与系统技术方案

本发明专利技术通过修复均化技术而提升存储器装置的耐久度。修复均化技术是一种使存储区块的修复周期更为分散的轻型解决方案。本文所描述的方法能够在不产生大量负担情况下实现修复均化。修复均化技术能显著的改善存储区块的存取效能(access performance)与有效寿命(effective lifetime)。长期而言，能使每一个存储区块的磨损次数降低。修复均化的作法可为：将白产生后鲜少被使用或从未被修改的数据(例如：只读性文件)，搬移至经历过最多次、或经历过多次修复的存储区块。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种具有内存管理功能的存储器装置与系统。
技术介绍
某些非挥发性存储器具有存取周期的耐久性限制（accesscycleentrance limitations)。例如，基于电荷捕捉（chargetrapping)的闪存、相变化存储器（phase changememory)等。其中，存取周期的耐久性限制可能是编程/抹除周期或设定/重设周 期期间的限制。 对存储器的一给定存储区块而言，施加于其上的存取周期可能与存储于该存储区 块的数据相关。因此，不同部分的存储器可能会在不同时间达到耐久性限制（emlurance limitations)。为解决此种问题，现已发展出耗损均化技术（wearleveling)。基本上， 耗损均化技术会根据闪存的存储区块的编程与抹除周期，在不同的快闪存储区块间搬移数 据。本专利技术的方法会将位于即将达到耐久性限制的存储区块内的常用数据，搬移至较少被 使用的存储区块。应用程序能通过逻辑寻址架构（logicalacMressingschemes),掌握此 类资料搬移的过程。尽管采用了耗损均化技术，会因为先进存储器耐久度变低的趋势下，审本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于操作具有多个存储区块的一存储器装置的方法，其特征在于，包含以下步骤：维持与位于该等存储区块内的存储区块对应的多个修复次数；根据具有一第一修复次数的一第一存储区块的存取周期，寻找具有一第二修复次数的一第二存储区块，并将该第二区块的数据复制到第一存储区块，其中该第二修复次数小于该第一修复次数。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：张育铭，李祥邦，吕函庭，张原豪，郭大维，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71