一种显示器基板，包括底部基板，有机脊形图案，像素电极和屏蔽电极。在底部基板上形成排列成矩阵形状的多个像素区域。有机脊形图案在相邻像素区域之间突出。像素电极处于每个像素区域中。屏蔽电极设置在有机脊形图案上，与像素电极电连接。

本发明公开了一种液晶显示面板及薄膜晶体管基板的制造方法。该液晶显示面板包括：第一基板；布置在第一基板上并且彼此交叉的多条栅极线和多条数据线；布置在第一基板上的像素电极图案；布置在第一基板上的存储图案，存储图案设置于连续的栅极线之间并且基...

本发明提供薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。一种薄膜晶体管阵列面板包括：基板；多个第一信号线，形成在基板上；多个第二信号线，与第一信号线绝缘，形成在基板上，并且通过横越第一信号线来限定显示区域的面积；驱动器，设置在周边区域上；多个连接线，...

所提供的是一种具有增强的接点可靠性的半导体封装及其制作方法。该方法包括：形成包括封装单元，该封装单元包括插入在底层与顶层之间的半导体芯片；以及，在衬底上顺序堆叠所述封装单元。所述底层和所述顶层由具有比半导体芯片模量低的模量的材料形成。所...

揭露了一种包括一混合结构电荷捕获层的闪存器件及其相关制造方法。所述电荷捕获层包括至少一个混合捕获层，混合捕获层包括一由具有第一带隙能量的第一材料制成的第一捕获层，以及多个彼此分离的纳米点，每个纳米点至少部分的被所述第一捕获层包围，所述多...

本发明公开了一种用于液晶显示装置的下衬底，一种具有该下衬底的显示装置以及一种制造该下衬底的方法，下衬底包括像素区域和电路区域。图像在像素区域显示。第一信号电极设置在电路区域。第一绝缘层包括开口，第一信号电极通过该开口露出。第二信号电极设...

本发明公开提供了导电结构、包括导电结构的非易失性存储器件及其制造方法。集成电路器件内的导电结构，该导电结构包括集成电路衬底以及该衬底上的第一导电层图案。第二导电层图案位于衬底上，该第二导电层图案在各个第一导电层图案之间延伸。相邻的所述第...

本发明提供一种半导体器件的制造方法。该方法包括提供具有导电图案的半导体衬底和在导电图案和半导体衬底上形成绝缘层。对绝缘层进行构图以形成露出一部分导电图案的开口。在开口的内壁和绝缘层的顶面上形成预扩散阻挡层。向预扩散阻挡层上提供氧原子以形...

本发明公开了一种低阻导电结构、包括其的器件和系统以及形成其的方法，所述导电结构包括通过在衬底上执行循环淀积工艺形成的第一成核层、通过ＣＶＤ工艺形成于所述第一成核层上的第二成核层以及形成于所述第二成核层上的体金属层。

本发明可以提供一种电阻随机存取存储器（ＲＲＡＭ）装置。所述电阻随机存取存储器装置可以包括：至少一个第一电极；至少一个第二电极，与所述至少一个第一电极分开；第一结构，包括在所述至少一个第一电极和所述至少一个第二电极之间的第一电阻改变层；第...

本发明公开了一种导电性提高的碳纳米管、其制备工艺及包含其的电极。本发明提供了一种掺杂碳纳米管的方法、利用该方法制备的ｐ－掺杂的碳纳米管、包含所述碳纳米管的电极、显示装置或太阳能电池。具体来讲，提供了一种通过利用氧化剂对碳纳米管改性来掺杂...

本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。该薄膜晶体管阵列面板包括：绝缘基板，形成于基板上的多个栅极线，多个数据线和绝缘层。每个栅极线包括多个栅电极。数据线与栅极线交叉且其间绝缘。每个数据线包括多个源电极。多个漏电极面对源电极。绝...

示例性实施例公开了非易失性存储装置及其操作方法。所述非易失性存储装置具有优良的操作性能并可以被制成高度集成的结构。示例性实施例的非易失性存储装置的包括：基底电极；半导体沟道层，在基底电极上；浮置栅电极，在基底电极上，其中，浮置栅电极的一...

本发明涉及一种模具，包括：支撑层；形成在该支撑层的第一表面上并具有至少一个凸起的图案形成层；以及形成在该支撑层的第二表面上并位于与该凸起相对应的区域内的遮光膜。

本发明公开了一种半导体装置、电子系统、存储卡以及使引线绝缘的方法。包括在集成电路装置中的引线可具有形成在其上的分隔绝缘结构。引线上的分隔绝缘结构可围绕引线相应的剖面部分，所述分隔绝缘结构可用作“隔开件”以防止直接相邻的引线（或其他相邻组...

本发明公开了形成多晶硅的方法、采用多晶硅的薄膜晶体管（ＴＦＴ）以及制造ＴＦＴ的方法。形成多晶硅的方法包括：在衬底上形成绝缘层；在绝缘层上形成第一电极和第二电极；在绝缘层上形成至少一个加热层以连接第一电极和第二电极；在加热层上形成包含硅的...

一种显示基板包括基板，保护环和连接线。基板包括多个有效区域，每个有效区域具有像素区域和外围区域。保护环形成在基板上以封闭每个有效区域，并由与单元像素中形成的像素电极基本上相同的层形成。连接线由不同于保护环的层形成，以电连接保护环和衬垫。...

显示基板包括基础基板，该基础基板具有显示区域和围绕显示区域的外围区域，形成在显示区域的像素电极，形成在外围区域的衬垫部分，形成在外围区域且具有多个形成在外围区域邻近衬垫部分区域的多个孔的粘结部分，和形成在衬垫部分和粘结部分上的导电粘结件...

一种制造集成电路器件的方法，包括形成从衬底垂直延伸的多个下电容电极。多个下电容电极分别包括内侧壁和外侧壁。形成至少一种支撑图案，其在多个下电容电极的一些之间从相对着衬底的它的顶部部分沿着它的外侧壁朝着衬底的方向垂直延伸到大于多个下电容电...

本发明提供一种再加工半导体衬底的方法和在不损伤有机抗反射涂层（ＡＲＣ）的情况下使用再加工半导体衬底的方法形成半导体器件图案的方法。再加工半导体衬底的方法包括在形成有有机ＡＲＣ的衬底上形成光致抗蚀剂图案。当光致抗蚀剂图案中存在缺陷时，可曝...