公开了一种非易失性存储器件及其形成方法。一种存储器件包括具有单元区、低压区以及高压区的衬底。接地选择晶体管、串选择晶体管以及单元晶体管位于单元区中，低压晶体管位于低压区中，以及高压晶体管位于高压区中。公共源极接触件位于接地选择晶体管上，...

本发明公开了一种有机发光二极管显示器及其制造方法，该有机发光二极管显示器包括：显示区和外围区，显示区形成有多个薄膜晶体管和多个发射层，外围区沿着显示区的外周形成；电压焊盘，形成在外围区中，并向显示区施加驱动电压和共电压中的至少一种；各向...

本发明提供了一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置可包括半导体基底、至少一个控制栅电极，至少一层存储节点层、至少一层隧穿绝缘层、至少一层阻挡绝缘层和／或第一沟道区和第二沟道区。至少一个控制栅电极可凹进到半导体基底中。至少一层存储节点层...

本发明提供了一种具有浮凸电阻性尖端的半导体探针及该半导体探针的制造方法。该半导体探针包括沿交叉悬臂长度方向的第一方向在悬臂上突出到预定高度的突出部分、形成在该突出部分上的浮凸电阻性尖端、和在该突出部分的浮凸电阻性尖端的任一侧形成的第一和...

本发明提供了一种制备薄膜晶体管基底的方法，该方法包括在基底上依次形成栅极绝缘层、有源层和数据金属膜。第一光刻胶图形在数据金属膜上形成，在沟道形成区内的第一光刻胶图形与不在沟道形成区内的第一光刻胶图形相比，具有相对小的厚度。利用第一光刻胶...

本发明公开了一种显示装置及其制造方法，该显示装置包括彼此面对的第一基底和第二基底、设置在第一基底上的感测电极以及设置在第二基底上的分隔件。分隔件随着外力施加到分隔件而连接到感测电极，并具有形成在分隔件的面对感测电极的表面上的凹凸部分。可...

一种非易失性集成电路存储设备可以包括具有相同传导类型的第一电隔离阱和第二电隔离阱的半导体衬底。可以在第一阱上提供第一多个非易失性存储单元晶体管，并且可以在第二阱上提供第二多个非易失性存储单元晶体管。局部控制栅极线可以与第一多个非易失性存...

公开了一种半导体存储器件和字线接触部的布局结构，其中，所述半导体存储器件包括：有源区、多个存储单元和字线接触部。有源区沿作为长度方向的第一方向设置在半导体衬底上，并且用作字线。多个存储单元沿第一方向设置在有源区上，并且每一个均由一个可变...

本发明提供一种液晶显示器，包括：形成在第一基板上的多条栅线；交叉栅线的多条数据线；连接到栅线和数据线的多个薄膜晶体管；连接到各薄膜晶体管的多个像素电极，每个像素电极部分交叠数据线并包括第一和第二子电极；多条存储电极线，形成在第一基板上，...

示例性地公开了一种制造具有精细接触孔的半导体的方法。该方法包括在半导体衬底上形成限定有源区的隔离层。在具有隔离层的半导体衬底上形成层间电介质层。在所述层间电介质层上形成第一模塑图案。还形成第二模塑图案，其位于所述第一模塑图案之间并与其相...

一种显示基底及具有该显示基底的显示面板，所述显示基底包括底部基底、第一存储电极、第二存储电极、第一绝缘层、第一隔离件和第二隔离件。所述底部基底包括通过多条栅极线和沿不同于栅极线的延伸方向的方向延伸的多条数据线限定的第一像素区域和第二像素...

一种单晶体管浮体动态随机存取存储器（ＤＲＡＭ）装置，包括设置在半导体基板上的浮体和设置在浮体上的栅极电极，浮体包括过量载流子存储区域。ＤＲＡＭ装置还包括分别设置在栅极电极两侧的源极和漏极区域，以及设置在浮体与源极和漏极区域之间的泄漏屏蔽...

本发明提供一种制造薄膜晶体管基板的方法和使用该方法的制造系统，其中在制造薄膜晶体管基板的工艺期间减少了腐蚀性物质的产生。该方法包括提供蚀刻单元和其上已沉积有薄金属膜的绝缘基板，且干法蚀刻该绝缘基板以形成预定电路图案；为等待被清洁的该绝缘...

提供一种制造集成电路器件的方法。该方法包括：在半导体衬底上顺序地形成下部互连层、催化剂层以及缓冲层，形成层间介电层以覆盖缓冲层，形成穿过层间介电层的接触孔以便可部分地暴露缓冲层的顶面，去除缓冲层的由接触孔暴露的部分以便可以暴露催化剂层的...

一种非易失性存储器件包括：包括有单元区和外围电路区的半导体衬底，在所述单元区上的单元栅，以及在所述外围电路区上的外围电路栅极，其中所述单元栅包括所述半导体衬底上的电荷存储绝缘层、所述电荷存储绝缘层上的栅电极以及所述栅电极上的导电层，以及...

一种单元标识形成方法，包括：在基板上形成金属层；在金属层上涂覆光致抗蚀材料，以形成光致抗蚀膜；通过包括与单元标识图案相对应的阻光图案的掩模来对光致抗蚀膜进行曝光；对曝光的光致抗蚀膜进行显影；使用显影的光致抗蚀膜来蚀刻金属层，以形成包括单...

本发明公开硅化钴膜的形成方法和具有硅化钴膜的半导体装置的制造方法。在含硅导电区上有一含钴膜，并且一富含钛的覆盖层形成在含钴膜上。其中所述覆盖层是钛／氮原子百分比比率大于１的氮化钛层。对该合成结构进行退火，使得含钴膜中的钴和含硅导电区中的...

本发明涉及生产效率提高的管芯焊接机。本发明所提供的管芯焊接机包含被搭载到导轨上而移动的基片、安放晶片并为了管芯的拾取作业而移动的晶片扩张机、设置在所述晶片扩张机下部从所述晶片分离管芯的分离器、将依靠所述分离器从所述晶片分离的管芯传送到用...

本发明涉及一种具有改进的电学特性的薄膜晶体管（ＴＦＴ）及其制造方法。该制造方法使用了一种掩模，该掩模包括漏极掩模图案、源极掩模图案和光调节图案。漏极掩模图案阻挡形成漏电极的光。源极掩模图案阻挡形成源电极的光，并和漏极掩模图案相对，漏极和...

本发明的实施例提供了一种具有上和下封装的ＭＳＰ，在上封装的基板中具有凹陷开口。上封装还可包括多个堆叠的半导体芯片。下封装可以包括基板和至少一个半导体芯片。在装配期间，部分下封装放置在上封装的基板中的凹陷开口中。有利的结果是具有缩小的总高...