生成脉冲频率高于约３００Ｈｚ的光。该光在非晶硅薄膜上照射预定时间段，以形成初始多晶硅晶体；沿预定方向移动该光以使初始多晶硅晶体生长。将输出能量降低了的激光束照射在非晶硅薄膜上，以将非晶硅薄膜结晶成多晶硅薄膜，使得降低了生成激光束用装置的...

本发明提供一种液晶显示器，包括第一基板和形成在第一基板上且包括第一和第二亚像素电极的像素电极，其中该第一和第二亚像素电极通过连接部分彼此连接，且该连接部分的长度大于或等于约１０μｍ。

本发明涉及具有垂直沟道的非易失存储装置及其制造方法，公开了半导体闪存单元对，该半导体闪存单元对包括：形成于半导体基板中的第一和第二源极线；在所述源极线之间从半导体基板延伸的半导体柱；形成于半导体柱的相对侧表面上且被沟槽隔离结构分隔的第一...

本发明提供了一种存储器件，该存储器件包括：第一有源区，在基底上；第一源／漏区和第二源／漏区，在基底上，第一源／漏区毗邻所述第一有源区的对应的第一侧壁，第二源／漏区毗邻所述第一有源区的对应的第二侧壁。第一栅结构设置在第一源／漏区和第二源／...

本发明公开了一种显示装置，该显示装置包括：绝缘基底，具有显示区；线部分，包括彼此绝缘并彼此交叉的数据线和栅极线；共电压提供部分，形成在显示区的外围的外部；绝缘层，形成在共电压提供部分上，并且包括在线部分的一些线基本上彼此平行地延伸的区域...

本发明涉及一种用于将激光束辐照到非晶硅薄膜上的装置，该非晶硅薄膜形成在基片上。该装置包括平板，可安装基片；激光振荡器，用于产生激光束；投影透镜，用于将该激光束聚焦并引导到薄膜上；反射器，用于反射被引导到薄膜上的激光束；控制器，用于控制反...

本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板，该阵列面板包括：基底；数据线，形成在基底上；栅极线，与数据线交叉并且包括栅电极；源电极，连接到数据线；漏电极，面对源电极。有机半导体通过具有开口的绝缘层接触源电极和漏电极，所述开口限定有机半导体的位置...

本发明提供了一种鳍式结构和制造采用该鳍式结构的鳍式晶体管的方法。在基底上形成包括侧壁的多个台面结构。在台面结构上形成半导体层。在半导体层上形成覆盖层。因此，半导体层被覆盖层保护，并包括将被形成为鳍式结构的部分。通过平面化工艺来去除覆盖层...

一种晶体管，包括衬底上的第一和第二对垂直覆盖源／漏区。各第一和第二垂直沟道区在该第一和第二对覆盖源／漏区的各对覆盖源／漏区之间延伸。各第一和第二绝缘区被设置在各第一和第二对覆盖源／漏区的覆盖源／漏区之间并相邻于第一和第二垂直沟道区的各垂...

本发明提供了一种半导体集成电路器件及其制造方法，该半导体器件包括：半导体基板；在基板顶部部分上的绝缘体，其限定了绝缘体区；在基板上的导电层图案，该导电层图案由公共导电层被图案化，该导电层图案包括在绝缘体区中的绝缘体上的第一图案部分和在基...

在存储器件和形成其的方法中，在一个实施例中，存储器件包括衬底上的第一字线结构，该第一字线结构在第一方向上延伸。位线设置在第一字线结构上并且与第一字线分开第一间隔，该位线在横断于第一方向的第二方向上延伸。第二字线结构设置在位线之上并且与位...

本发明揭示了一种背光单元，可以包括具有形成于其至少一侧成第一形状的沟槽的光导板、具有突出透镜的至少一个发光二极管（ＬＥＤ），所述ＬＥＤ布置成对应于所述光导板的沟槽、布置于所述ＬＥＤ上方的第一反射板、以及布置于所述ＬＥＤ下方的第二反射板。

本发明提供了一种存储器件及形成存储器件的方法，该器件包括：基底；第一电极，在相对于基底的垂直方向上延伸；第二电极，在相对于基底的垂直方向上延伸，第二电极通过电极间隙与第一电极分隔开。第三电极设置成在电极间隙中沿着垂直方向延伸，第三电极通...

本发明公开了一种显示基板及其制造方法，以及具有该显示基板的液晶显示装置。该显示基板包括：存储电极，其在形成于基板上的第一和第二区域上延伸；形成于存储电极上的绝缘层图案；以及形成在绝缘层图案上的第一和第二像素电极。第一和第二像素电极中的至...

本发明公开了一种显示装置，该显示装置包括：绝缘基底；半导体层，形成在绝缘基底上，并包含硅和氟；源电极，源电极的至少一部分形成在半导体层上；漏电极，漏电极的至少一部分形成在半导体层上，漏电极与源电极分开，并在源电极和漏电极之间具有沟道区；...

本发明涉及薄膜晶体管基板及其制造方法和具有其的显示设备。在薄膜晶体管（ＴＦＴ）基板中，栅极绝缘层布置于电连接到栅极线的栅电极上。半导体层设置于栅极绝缘层上。源电极电连接到与栅极线相交的数据线。漏电极面对源电极并界定半导体层的沟道区域。有...

本发明涉及一种阵列基板，包括开关元件、信号传输线、钝化层和像素电极。开关元件设置在绝缘基板上。信号传输线连接到开关元件，并包括阻挡层、导电线和氮化铜层。阻挡层设置在绝缘基板上。导电线设置在阻挡层上，并且包括铜或者铜合金。氮化铜层覆盖导电...

一种用于ＬＣＤ的显示面板的制造方法，包括：在柔性绝缘基板上形成栅极线；在栅极线上沉积栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成半导体层；以及在半导体层和栅极绝缘层上形成数据线和漏电极。半导体层的形成可以在大约１００℃至大约１８０℃通过ＰＥＣＶＤ来完...

本发明提供芴类化合物，所述芴类化合物包括位于两端的芴或螺芴结构以及位于所述两端之间的包含一个或多个原子的间隔基。本发明还提供具有有机层的有机电致发光器件，在所述有机层中引入了芴类化合物。可采用干法和湿法容易地加工所述芴类化合物，并且使用...

本发明涉及一种非易失性存储器件及其制造方法，该器件使用嵌入到没有源极和漏极区域的聚合物薄膜中的多层自组装Ｎｉ↓［１－ｘ］Ｆｅ↓［ｘ］纳米晶体阵列。根据本发明可以比现有方法更简单地制造纳米晶体。更具体地，可以控制纳米晶体的尺寸和密度，而不...