鳍式结构和制造采用该鳍式结构的鳍式晶体管的方法技术

本发明专利技术提供了一种鳍式结构和制造采用该鳍式结构的鳍式晶体管的方法。在基底上形成包括侧壁的多个台面结构。在台面结构上形成半导体层。在半导体层上形成覆盖层。因此，半导体层被覆盖层保护，并包括将被形成为鳍式结构的部分。通过平面化工艺来去除覆盖层的上部的部分，由此去除半导体层在台面结构的上表面上的那部分。结果，在台面结构的侧面上形成彼此隔离的鳍式结构。因此，可以形成具有非常窄的宽度的鳍式结构，并可以容易地控制鳍式结构的厚度和位置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种制造鳍式(fin)结构的方法，更具体地讲，涉及一种制 造用在半导体存储器件中的鳍式晶体管的方法。
技术介绍
鳍式晶体管适用于100nm或更小的设计规则(design rule )。具体地讲， 鳍式晶体管已经被作为低功耗、高效且高速的器件来研究。需要极端地具有 20nm的线宽或更小线宽的有源区来得到鳍式晶体管的全耗尽(fUll depletion)。为了得到满足这种要求的鳍式晶体管，制造作为有源区的鳍式结 构是非常重要的。传统地，使用侧壁技术(sidewall technique),紫外光刻、电子束光刻等 来形成鳍式结构。公知的方法是利用侧壁技术在硅基底上形成多晶硅鳍式结 构。第2005-0048727号美国专利申请公布公开了一种利用侧壁晶体生长来制 造鳍式晶体管鳍式晶体管的方法。在这些传统的方法中，由于线宽窄，因此鳍式结构的均匀性降低，且制造鳍式结构的成本高。
技术实现思路
本专利技术提供了一种均匀地形成价格低、可靠性高的鳍式结构的方法和制 造采用该鳍式结构的鳍式晶体管的方法。根据本专利技术的一方面，提供了一种在基底上制造鳍式结构的方法，该方 法包括在基底上形成多个台本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在基底上制造鳍式结构的方法，包括：　　　　在基底上形成多个台面结构，所述多个台面结构包括与鳍式结构对应的侧壁；　　　　在台面结构上沉积非晶半导体材料，以形成非晶半导体层，所述非晶半导体层包括直接形成在基底的表面上的部分和形成在台面结构的侧壁上的部分；　　　　在非晶半导体层上形成覆盖层；　　　　在形成在基底上的所得到的堆叠结构中，去除台面鳍式结构的上表面上的非晶半导体层和覆盖层的部分；　　　　将台面结构和覆盖层去除至预定的深度，以得到包括下部的鳍式结构，其中，所述下部由台面结构和覆盖层的剩余部分支撑。

【技术特征摘要】
KR 2006-8-11 10-2006-00762101、 一种在基底上制造鳍式结构的方法，包括在基底上形成多个台面结构，所述多个台面结构包括与鳍式结构对应的 侧壁；在台面结构上沉积非晶半导体材料，以形成非晶半导体层，所述非晶半分；- 、、土 、 、 ； 、a 、' 、在非晶半导体层上形成覆盖层；在形成在基底上的所得到的堆叠结构中，去除台面鳍式结构的上表面上 的非晶半导体层和覆盖层的部分；将台面结构和覆盖层去除至预定的深度，以得到包括下部的鳍式结构，其中，所述下部由台面结构和覆盖层的剩余部分支杯者2、 如权利要求l所述的方法，还包括在形成覆盖层之后，利用包括退火 的结晶工艺使非晶半导体层结晶。3、 如权利要求l所述的方法，还包括在得到鳍式结构之后，利用包括退 火的结晶工艺使鳍式结构结晶。4、 如权利要求3所述的方法，其中，利用固相外延和液相外延中的一种 来使鳍式结构结晶。5、 如权利要求l所述的方法，其中，基底是晶体基底。6、 如权利要求5所述的方法，其中，基底和非晶半导体层是由硅形成的。7、 如权利要求l所述的方法，其中，台面结构和覆盖层由氧化硅形成。8、 如权利要求l所述的方法，还包括在形成台面结构之后，去除基底的 表面上的氧化物。9、 如权利要求l所述的方法，还包括将离子注入到非晶半导体层。10、 如权利要求9所述的方法，其中，非晶半导体层是硅半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵世泳，朴永洙，鲜于文旭，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]